研究成果（平成3～10年度）

平成3～10年度の論文発表、研究会/大会論文・報告・展望・解説等、口頭発表の一覧です。
論文・研究会／解説・口頭発表一覧

論文発表

  1. Fine Pattern Definition with Atomic Intermixing Induced by Focused Ion Beam and Its Application to X-ray Mask Fabrication : T. Kanayama, M. Komuro, H. Hiroshima, J. Itoh, N. Atoda, H. Tanoue, and T. Tsurushima: J. Vac. Sci. Tech. B9(2), pp.295-301 (May/April, 1991)　


  2. Diffusion of Vanadium in Silicon : T. Sadoh, and H. Nakashima : Appl. Phys. Lett. 58(15), pp.1653-1655 (Apr., 1991)


  3. Solubility and Diffusion Coefficient of Electrically Active Titanium in Silicon : S. Kuge, and H. Nakashima : Jpn. J. Appl. Phys. 30(11A), pp.2659-2663 (Nov., 1991)


  4. 放射光リソグラフィシステム設計のための基礎検討 : 伊藤順司、金山敏彦、阿刀田伸史、鶴島稔夫: 電子技術総合研究所彙報 55(12),pp.1363- (Dec.1991)


  5. Diffusivities of 3d Transition-Metal Impurities in Silicon : H. Nakashima and K. Hashimotor : Material Science Forum 83-87, Defects in Semiconductors 16 (Proc. 16th International Conf. on Defects in Semiconductors, Bethlehem, 1991, USA), pp.227-232 (Jan., 1992)　


  6. Deep levels of Zn-doped p-GaSe : S. Shigetomi, T. Ikari, H. Nakashima, and H. Nishimura: Phys. Status Solidi A 128(2), pp.K95-95, (Dec., 1991)


  7. Deep Levels of Vanadium and Vanadium-Hydrogen Complex in Silicon : T. Sadoh, H. Nakashima, and T. Tsurushima : J. Appl. Phys. 72(2), pp.520-524 (Jul., 1992)　


  8. Metastable Defects of Iron-Boron Pair in Silicon : H. Nakashima, and T. Sadoh : Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 262, pp.555-560 (Oct., 1992)　


  9. Hole Traps of Metastable Iron-Boron Pairs in Silicon : H. Nakashima, T. Sadoh, and T. Tsurushima: J. Appl. Phys. 73(6), pp.2803-2808 (March, 1993)　


  10. Electrical Characteristics of Layer Semiconductor p-GaSe Doped with Cd: S. Shigetomi, T. Ikari, and H. Nakashima : J. Appl. Phys. 73(9), pp.4686-4688 (May, 1993)


  11. Evaluation of Structurally Metastable Iron-Boron Pairs in Silicon: H. Nakashima, T. Sadoh, and T. Tsurushima : Ext. Abst. 1993 International Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM-'93), Makuhari Messe, Aug. 29- Sept. 1, 1993, Japan, pp.1017-1019 (Aug., 1993)　


  12. Optical and Electrical Properties of Layer Semiconductor p-GaSe doped with Zn: S. Shigetomi, T. Ikari, and H. Nakashima: J. Appl. Phys. 74(6), pp.4125-4129 (Sep., 1993)


  13. Diffusion and Electrical Properties of 3d Transition-Metal Impurity Series in Silicon: H. Nakashima, T. Sadoh, H. Kitagawa, and K. Hashimoto: Material Science Forum 143-147 Defects in Semiconductors 17(Proc. 17th International Conf. on Defects in Semiconductors, Gmunden July 18-23, 1993, Austria) pp.761-766 (Jan., 1994)　


  14. Deep Levels of Vanadium- and Chromium-Hydrogen Complexes in Silicon: T. Sadoh, M. Watanabe, H. Nakashima, and T. Tsurushima: Material Science Forum 143-147 Defects in Semiconductors 17(Proc. 17th International Conf. on Defects in Semiconductors, Gmunden July 18-23, 1993, Austria) pp.939-944 (Jan., 1994)　


  15. Metastable-Defect Behaviors of Iron-Boron Pairs in Silicon: H. Nakashima, T. Sadoh, and T. Tsurushima: Material Science Forum 143-147 Defects in Semiconductors 17(Proc. 17th International Conf. on Defects in Semiconductors, Gmunden July 18-23, 1993, Austria) pp.1191-1196 (Jan., 1994)　


  16. Deep Levels of Chromium-Hydrogen Complexes in Silicon: T. Sadoh, M. Watanabe, H. Nakashima, and T. Tsurushima: J. Appl. Phys. 75(8), pp.3978-3981 (Apr., 1994)　


  17. Electrical and Thermal Properties of Structurally Metastable Iron-Boron Pairs in Silicon: H. Nakashima, T. Sadoh, and T. Tsurushima: Physical Review B 49(24), pp.16983-13993 (Jun., 1994)　


  18. Behavior of Defects induced by Low-Energy Ions in Silicon Films: T. Sadoh, H. Takeshita, A. Baba, A. Kenjo, H. Nakashima, and T. Tsurushima: Jpn. J. Appl. Phys. 33(12B), pp.7151-7155 (Dec., 1994)　


  19. Evaluation of Damage induced by Low-Energy Ion Irradiation in Silicon: A. Baba, T. Sadoh, A. Kenjo, H. Nakashima, H. Mori, and T. Tsurushima: Memoirs of the Faculty of Engineering, Kyushu University, 55(2), pp.127-138 (Jun., 1995)　


  20. ZnS 蒸着膜の結晶化に及ぼす製作条件の影響 : 鍛冶屋 徹、森 紘 : 九大工学集報 68巻 4号 pp.305-312 (1995年7月)


  21. Recombination-Enhanced Migration of Interstitial Iron in Silicon : H. Nakashima, T. Sadoh, and T. Tsurushima: Material Science Forum 196-201 Defects in Semiconductors 18(Proc. 18th International Conf. on Defects in Semiconductors, Sendai July, 1995) pp.1351-1356 (Jan., 1996)


  22. Metastable-Defect Behaviors of Iron-Boron Pairs in Silicon Using Recombination-Enhanced Defect Reaction : H. Nakashima, T. Sadoh, and T. Tsurushima: Defect and Diffusion Forum vol.136-137, pp.41-60 (Aug./Sep., 1996)


  23. The Evaluation of Temporary Degradation in Quarter Micron MOSFET by Hydrogen Passivation of Boron : K. Tsukamoto, T. Sadoh, A. Ikeda, and Y. Kuroki: Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ. 1(1), pp.39-44 (Oct., 1996)


  24. Electrical passivation of B-doped Si through thin films used in VLSI fabrication: Keiichi Tsukamoto, Satoru Iwasaki, Taizoh Sadoh, and Yukinori Kuroki: Thin Solid Films vol.286, pp.299-304 (Dec., 1996)


  25. Behavior of Radiation-Induced Defects and Amorphization in Silicon Crystal : A. Baba, D. Bai, T. Sadoh, A. Kenjo, H. Nakashima, H. Mori, and T. Tsurushima: Nucl. Instrum. & Methods B 121(1-4) pp.299-301 (Jan., 1997)


  26. Simplified Evaluation of Displacement Effect Distribution in Silicon Irradiated with Low-Energy Ions: Dong-Ju Bai, Tomohiro Kawase, Akiyoshi Baba, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Hiroshi Mori, and Toshio Tsurushima: Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ. 2(1), pp.59-64 (March, 1997)


  27. 低エネルギーイオン照射によるシリコンの非晶質化: Dong-Ju Bai, Tomohiro Kawase, Akiyoshi Baba, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Hiroshi Mori, and Toshio Tsurushima: Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ. 2(1), pp.163-166 (March, 1997)


  28. Low-temperature deposition of high-quality silicon dioxide films by sputtering-type electron cyclotron resonance plasma: H. Nakashima, K. Furukawa, Y. C. Liu, D. W. Gao, Y. Kashiwazaki, K. Muraoka, K. Shibata, and T. Tsurushima: J. Vac. Sci. Technol. A, Vac. Surf. Films 15(4), pp.1951-1954 (July-Aug., 1997)


  29. Effect of Energy Transport with Recoil Atoms on Deposited Energy Distribution in Silicon Irradiated with Energetic Ions: Dong-Ju Bai, Akiyoshi Baba, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Hiroshi Mori, and Toshio Tsurushima: Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ. 2(2), pp.219-223 (Sept., 1997)


  30. Tapered-Surface Etching of GaAs Utilizing Low-Energy Ion Bombardment Effect: Dong-Ju Bai, Akiyoshi Baba, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Hiroshi Mori, and Toshio Tsurushima: Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ. 2(2), pp.225-228 (Sept., 1997)


  31. Deep Level of Iron-Hydrogen Complex in Silicon: T. Sadoh, K. Tsukamoto, A. Baba, D. Bai, A. Kenjo, T. Tsurushima, H. Mori, and H. Nakashima: J. Appl. Phys. 82(8), pp.3828-3831 (Oct., 1997)


  32. Deep States in Silicon on Sapphire by Transient-Current Spectroscopy: T. Sadoh, A. Matsushita, Y.-Q. Zhang, D.-J. Bai, A. Baba, A. Kenjo, T. Tsurushima, H. Mori, and H. Nakashima: J. Appl. Phys. 82(10), pp.5262-5264 (Nov., 1997)


  33. Growth Kinetics of CoSi Formed by Ion Beam Irradiation at Room Temperature: A. Baba, H. Aramaki, T. Sadoh, and T. Tsurushima: J. Appl. Phys. 82(11), pp.5480-5483 (Dec., 1997)


  34. Effect of Preoxidation on Deposition of Thin Gate-Quality Silicon Oxide Film at Low Temperature by Using a Sputter Type Electron Cyclotron Resonance Plasma: D. W. Gao, Y. Kashiwazaki, K. Muraoka, H. Nakashima, K. Furukawa, Y. C. Liu, K. Shibata, and T. Tsurushima: J. Appl. Phys. 82(11), pp.5680-5685 (Dec., 1997)


  35. Deposition of High-Quality Silicon Oxynitride Film at Low Temperature by Using a Sputter Type Electron Cyclotron Resonance Plasma: D. W. Gao, Y. Kashiwazaki, K. Muraoka, H. Nakashima, K. Furukawa, Y. C. Liu, and T. Tsurushima: Jpn. J. Appl. Phys. 36(12B), pp.L1692-L1694 (Dec., 1997)


  36. Si-SiO2界面の遷移領域の熱処理効果: Yi-Qun Zhang, Akira Kikutake, Shuichi Wada, Takashi Nakashige, Dong-Ju Bai, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Teshima Noboru, Hiroshi Mori, and Toshio Tsurushima: Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ. 3(1), pp.111-116 (Mar., 1998)


    　
  37. CoSi2ゲートMOSトンネル構造の形成と評価: Yi-Qun Zhang, Atsushi Matsushita, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Noboru Teshima, Hiroshi Mori, and Toshio Tsurushima: Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ. 3(2), pp.255-260 (Sept., 1998)


  38. Thin CoSi2 Formation on SiO2 with Low-Energy Ion Irradiation: Atsushi MATSUSHITA, Taizoh SADOH, and Toshio TSURUSHIMA: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 37, Part 1, No. 11, pp.6117-6122 (Nov., 1998)


  39. Ion-beam modification of TiO2 film to multilayered photocatalyst: T. Sumita, H. Otsuka, H. Kubota, M. Nagata, Y. Honda, R. Miyagawa, T. Tsurushim\ a, and T. Sadoh: Nucl. Instrum. & Methods B 148(1-4) pp.758-761 (Jan., 1999)


  40. Resistance Increase in CoSi2 Layer by Irradiation Induced Damage: Atsushi MATSUSHITA, Taizoh SADOH, and Toshio TSURUSHIMA: Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ. 4(1), pp.53-56 (March, 1999)


  41. Characterization of CoSi2 Gate MOS Structure Formed by Ion Irradiation: Atsuhi MATSUSHITA, Yi-Qun ZHANG, Taizoh SADOH, and Toshio TSURUSHIMA: Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ. 4(1), pp.47-52 (March, 1999)


  42. Fabrication and Characteristics Evaluation of CoSi2-Gate MOS Electron Tunneling Emission Cathode: Yi-Qun ZHANG, Atsushi KENJO, Taizoh SADOH, Hiroshi NAKASHIMA, and Toshio TSURUSHIMA: Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ. 4(1), pp.43-46 (March, 1999)


  43. Electronic properties of MOS capacitor exposed to inductively coupled hydrogen plasma: A. Ikeda, T. Sadou, H. Nagashima, K. Kouno, N. Yoshikawa, K. Tshukamoto, and Y. Kuroki:Thin Solid Films, Volume 345, Issue 1, pp.172-177 (May, 1999)

研究会／大会発表・報告・展望・解説等


  1. 半導体プロセス技術の推移と展望: 鶴島稔夫: 応用物理学会九州支部 プラズマ・光プロセスシンポジウム講演要旨集 (1991-9)


  2. A New Prospect of Developing Advanced Semiconductor Devices: T.Tsurushima: Ext. Abstracts, 10th Symp. Future Electron Devices (1991-10)


  3. 新機能素子(超格子素子,三次元回路素子,耐環境強 化素子)の研究開発成果
    =基盤技術開発の意図はどのように達せられたか=: 鶴島稔夫: 第１１回工業技術院筑波総合シンポジウム予稿集 (1992-2)


  4. 三次元構成による機能センサー開発の動向: 鶴島稔夫: 第１２回次世代センサセミナー講演予稿集 (1992-5)


  5. 環境に調和した技術の開発: 鶴島稔夫: Break Through No.81/82 (1993-9)


  6. シリコン中の鉄-ボロン対の準安定的挙動と電気的特性: 中島　寛，佐道泰造，鶴島稔夫: 平成６年電気学会電子・情報・システム部門大会論文集 pp.213-216 (1994-7)


  7. 水素が関与するシリコン中の複合欠陥とその特性: 佐道泰造，中島　寛，鶴島稔夫: 平成６年電気学会電子・情報・システム部門大会論文集 pp.227-230 (1994-7)


  8. Si中のイオン照射誘起欠陥の緩和過程とプロセス応用: 鶴島稔夫，佐道泰造，中島　寛，権丈　淳，金山敏彦: 平成６年電気学会電子・情報・システム部門大会論文集 pp.257-260 (1994-7)


  9. 自律的構造形成プロセスへのアプローチ: 鶴島稔夫，佐道泰造，中島　寛，金山敏彦: 電子情報通信学会秋季大会論文集 (1994-9)


  10. 自律的構造形成プロセスへのアプローチ: 鶴島稔夫: Break Through No.103, pp.20-(1995-1)


  11. 半導体のイオン照射誘起欠陥とその動的振舞い　－プロセス応用への展望－
    Ion-Irradiation-Induced Defects in Semiconductors and Their Dynamic Behavior: 鶴島　稔夫: 応用物理 64巻 11号 (1995年11月) T. Tsurushima: Oyo Butsuri 64(11), pp.1120-1123 (Nov., 1995)


  12. 自律構造形成プロセスの基礎過程の研究/FIB照射によるSi結晶中の照射誘起欠陥のダイナミクス(１): 鶴島稔夫: 重点領域研究269「知能の極限集積化」平成７年度 合同研究会論文集 pp.130-131(1996-3)


  13. 自律構造形成プロセスの基礎過程の研究/Si結晶中のイオンビーム照射誘起欠陥の回復と蓄積: 鶴島稔夫，佐道泰造，馬場昭如，白　冬菊，河瀬智宏，松下篤志: 重点領域研究269「知能の極限集積化」平成８年度 合同研究会論文集 pp.128-131(1997-3)


  14. スパッタ堆積による高品位Si系絶縁膜の形成: 中島　寛，村岡克紀，鶴島稔夫: インテリジェント材料フォーラム 第16回ワークショップ論文集 pp.16-20 (1997-11)


  15. 自律構造形成プロセスの基礎過程の研究/イオン照射誘起欠陥のダイナミクスとプロセス応用=Defect-active Processingへの展望=: 鶴島稔夫，佐道泰造，馬場昭如，中島　寛: 重点領域研究269「知能の極限集積化」平成９年度 合同研究会論文集 pp.112-117 (1998-4)


  16. インテリジェントなプロセスを考える: 鶴島稔夫: インテリジェント材料


  17. Defect-Active Processing: A New Skill in Defining Elemental Device Structures: Toshio Tsurushima, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, and Toshihiko Kanayama: Proceedings of The International Symposium on Future of Intellectual Integrated Electronics pp.73-82(1999-3)


口頭発表


  1. Diffusivities of 3d Transition-Metal Impurities in Silicon: H. Nakashima, and K. Hashimoto: 16th Int. Conf. on Defect in Semiconductor (1991-7)


  2. 半導体プロセス技術の推移と展望: 鶴島稔夫: 応用物理学会九州支部 プラズマ・光プロセスシンポジウム講演要旨集 (1991-9)


  3. A New Prospect of Developing Advanced Semiconductor Devices: T.Tsurushima: Ext. Abstracts, 10th Symp. Future Electron Devices (1991-10)


  4. 半導体素子の新展開: 鶴島稔夫: 第10回新機能素子技術シンポジウム (1991-10)


  5. 三次元回路素子研究開発の成果: 鶴島稔夫: 第10回新機能素子技術シンポジウム (1991-10)


  6. シリコン中にクロムの作る不純物中心: 渡辺正樹、中島 寛: 電気関係学会九州支部連合大会 (1991-10)


  7. CdSbの低温におけるホール係数の磁界依存項に関する考察: 井倉裕之、権丈 淳、森 紘: 電気関係学会九州支部連合大会 (1991-10)


  8. Si中のバナジウムが関係する不純物準位: 佐道泰造、中島 寛: 応用物理学会学術講演会 (1991-10)


  9. シリコン中の鉄－ボロンペアの準安定欠陥: 中島 寛: 応用物理学会学術講演会 (1991-10)


  10. Si中CoのESRスペクトル: 師岡正美、中島 寛: 応用物理学会九州支部講演会 (1991-12)


  11. シリコン中のチタンの拡散係数: 久家重博、中島 寛: 応用物理学会九州支部講演会 (1991-12)


  12. Si中のバナジウムと水素が関係する不純物準位: 佐道泰造、中島 寛: 応用物理学会九州支部講演会 (1991-12)


  13. シリコン中の鉄－ボロンペアのアクセプタ準位: 中島 寛: 応用物理学会九州支部講演会 (1991-12)


  14. 新機能素子の研究開発成果－基盤技術開発の意図はどのように達せられたか－: 鶴島稔夫: 第11回工業技術院筑波総合シンポジウム予稿集 (1992-2)


  15. シリコン中の鉄－ボロンペアのアクセプタ準位と準安定欠陥: 中島 寛、佐道泰造: 応用物理学関係連合講演会 (1992-3)


  16. Metastable Defects of Iron-Boron Pair in Silicon: H. Nakashima, and T. Sadoh: Mat. Res. Soc. Spring Meeting (1992-4), Symp. on Defect Engineering in Semiconductor Growth, Processing and Device Technology


  17. 三次元構成による機能センサー開発の動向: 鶴島稔夫: 第12回次世代センサーセミナー講演予稿集 (1992-5)


  18. イオンビームプロセス技術の動向－イオンビーム照射効果とそのプロセス応用－: 鶴島稔夫: 日本学術振興会特別シンポジウム「イオンビームによる高精度表面処理および計測技術」 (1992-7)


  19. 極限構造集積システムへの技術課題: 鶴島稔夫: 日本電子工業振興会電子デバイス技術講演会 (1992-7)


  20. 半導体エレクトロニクス－概論－: 鶴島稔夫: 筑波研究支援センター研究者養成講座「エレクトロニクス」 (1992-9)


  21. 接合容量法: －Si中のFe-Bの挙動－中島 寛: 東北大学金属材料研究所ワークショップ「半導体中の欠陥評価法」 (1992-10)


  22. ブリッジマン法により作製したCd_1-XIn_XSb混晶の評価: 若狭和式、石井隆二、権丈 淳、森 紘: 電気関係学会九州支部連合大会 (1992-10)


  23. シリコン中の格子間クロムの拡散係数: 渡辺正樹、佐道泰造、中島 寛、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1992-10)


  24. 量子化機能素子開発のねらいと見通し: －集積化の基本条件－: 鶴島稔夫: 第11回新機能素子技術シンポジウム (1992-11)


  25. 次世代デバイス技術を探る: 鶴島稔夫: 研究開発型企業育成セミナー講演会 (1992-11)


  26. Si中の格子間Crからの電子放出の電界効果: 渡辺正樹、佐道泰造、中島 寛、鶴島稔夫: 応用物理学会九州支部講演会 (1992-12)


  27. シリコン中の準安定な鉄－ボロンペアの回復: 中島 寛、佐道泰造、鶴島稔夫: 応用物理学会九州支部講演会 (1992-12)


  28. 極限構造集積システム: －集積技術の限界論とブレークスルー－鶴島稔夫: 日本電子工業振興協会電子デバイス講演会 (1993-7)


  29. Defect-Active Processing: －利用の可能性と展望－: 鶴島稔夫: シリコンテクノロジー大学間共同研究会 (1993-7)


  30. Metastable Defect Behaviors of Iron-Boron Pairs in Silicon: H. Nakashima, T. Sadoh, and T. Tsurushima: 17th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (July, 1993)


  31. Deep Levels of Vanadium- and Chromium-Hydrogen Complexes in Silicon: T. Sadoh, M. Watanabe, H. Nakashima, and T. Tsurushima: 17th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (July, 1993)


  32. Diffusion and Electrical Properties of 3d Transition-Metal Impurity Series in Silicon: H. Nakashima, T. Sadoh, H. Kitagawa, K. Hashimoto: 17th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (July, 1993)


  33. Evaluation of Structurally Metastable Iron-Boron Pairs in Silicon: H. Nakashima, T. Sadoh, and T. Tsurushima: Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Sept., 1993)


  34. n-CdIn_2Te_4の光学的特性: 石井隆二、白浜英徳、権丈 淳、森 紘、鶴島稔夫、田上尚男: 電気関係学会九州支部大会 (1993-10)


  35. GaSbにドープしたTe不純物の効果: 白浜英徳、石井隆二、権丈 淳、森 紘、鶴島稔夫、田上尚男: 電気関係学会九州支部大会 (1993-10)


  36. 熱処理によるCoSi_2形成の温度依存性: 馬場昭好、佐道泰造、竹下裕範、中島 寛、権丈 淳、鶴島稔夫、田上尚男: 電気関係学会九州支部大会 (1993-10)


  37. シリコン中のアルゴン照射誘起欠陥のアニール温度依存性: 竹下裕範、佐道泰造、馬場昭好、中島 寛、権丈 淳、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部大会 (1993-10)


  38. シリコン中のアルゴン照射誘起欠陥のドーズ依存性: 佐道泰造、竹下裕範、馬場昭好、藤内俊一、中島 寛、権丈 淳、鶴島稔夫、田上尚男: 電気関係学会九州支部大会 (1993-10)


  39. シリコン中のアルゴン照射誘起欠陥: 佐道泰造、竹下裕範、馬場昭好、中島 寛、権丈 淳、鶴島稔夫、田上尚男: 応用物理学会九州支部講演会 (1993-12)


  40. Co/Ti/Si系におけるCoSi_2膜の成長機構: 馬場昭好、佐道泰造、竹下裕範、中島 寛、権丈 淳、鶴島稔夫、田上尚男: 第41回応用物理学関係連合講演会 (1994-3)


  41. イオン照射と低温アニールを用いたシリコン薄膜の改質: 佐道泰造、竹下裕範、馬場昭好、中島 寛、権丈 淳、鶴島稔夫、田上尚男: 第41回応用物理学関係連合講演会 (1994-3)


  42. シリコン中の鉄－アクセプタぺアの準安定挙動: 中島 寛、佐道泰造、鶴島稔夫: 東北大学金属材料研究所研究会 (1994-6)


  43. Behavior of Defects Induced by Low-Energy Ions in Silicon Films: T. Sadoh, H. Takeshita, A. Baba, A. Kenjo, H. Nakashima, and T. Tsurushima: 7th International Micro-Process Conference (1994-7)


  44. Si中のイオン照射誘起欠陥の緩和過程とプロセス応用: 鶴島稔夫、佐道泰造、中島 寛、権丈 淳、金山敏彦: 平成６年電気学会電子・情報・システム部門大会 (1994-7)


  45. 水素が関与するシリコン中の複合欠陥とその特性: 佐道泰造、中島 寛、鶴島稔夫: 平成６年電気学会電子・情報・システム部門大会 (1994-7)


  46. シリコン中の鉄－ボロン対の準安定挙動と電気的特性: 中島 寛、佐道泰造、鶴島稔夫: 平成６年電気学会電子・情報・システム部門大会 (1994-7)


  47. 自律的構造プロセス: －その概念と可能性－: 鶴島稔夫: 重点領域研究「知能の極限集積化」準備連絡会議 (1994-7)


  48. 低速イオン照射による損傷形成のシミュレーション（Ⅰ）: 馬場昭好、佐道泰造、中島 寛、権丈 淳、鶴島稔夫: 応用物理学会第55回学術講演会 (1994-9)


  49. Ga_1-xIn_xSb混晶半導体のアニール効果: 田代靖典、権丈 淳、森 紘、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1994-9)


  50. シリコン表面の照射誘起促蝕効果: 松下篤志、馬場昭好、佐道泰造、中島 寛、権丈 淳、手島 昇、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1994-9)


  51. 熱処理によるCo/Ti/Si固相界面反応: 東 和幸、馬場昭好、佐道泰造、中島 寛、権丈 淳、鶴島稔夫、田上尚男: 電気関係学会九州支部連合大会 (1994-9)


  52. シリコン酸化膜の形成とその評価: 満生 彰、冨田康博、中島 寛、手島 昇、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1994-9)


  53. Si中のFeのゲッタリング: 日高憲一、馬場昭好、佐道泰造、中島 寛、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1994-9)


  54. 自律的構造形成プロセスへのアプローチ: 鶴島稔夫、佐道泰造、中島 寛、金山敏彦: 電子情報通信学会秋季大会 (1994-9)


  55. 低速イオン照射による損傷形成のシミュレーション（Ⅱ）: 馬場昭好、佐道泰造、中島 寛、権丈 淳、鶴島稔夫: 応用物理学会九州支部講演会 (1994-12)


  56. マイクロエレクトロニクスの先端技術開発: 鶴島稔夫: 電気学会九州支部講演会 (1994-12)


  57. キャリア再結合エネルギーによるSi結晶中の格子間原子移動: 中島 寛、佐道泰造、鶴島稔夫: 第8回知能集積化技術大学間合同研究会 (1994-12)


  58. イオン照射と表面/界面反応=基礎過程のモデル化: 鶴島稔夫: 東北大学電気通信研究所共同研究プロジェクト第1回研究会 (1995-3)


  59. Si中のイオン照射欠陥の緩和過程とプロセス応用: 鶴島稔夫: 九州大学超薄膜フォーラム (1995-3)


  60. "自律構造形成プロセス=欠陥のダイナミックスを利用した新しいプロセスの可能性を探る=: 鶴島稔夫: 「知能の極限集積化」重点領域研究会 (1995-5)


  61. イオン照射誘起欠陥の緩和過程を利用した固相界面構造の制御: 鶴島稔夫: 日本金属学会九州支部研究会 (1995-5)


  62. 再結合促進欠陥反応によるシリコン中の格子間鉄の原子移動: 中島 寛、佐道泰造、鶴島稔夫: 応用物理学会中国四国支部研究会 (1995-5)


  63. 照射誘起欠陥の動的振舞いと固相界面の構造制御: 鶴島稔夫: 電気学会高性能・高機能パワー素子用プロセス調査専門委員会 (1995-6)


  64. Recombination-Enhanced Migration of Interstitial Iron in Silicon: H. Nakashima, T. Sadoh, and T. Tsurushima: 17th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (July, 1995)


  65. n形Si中のFe-Bペアの不純物準位: 冨田康博、佐道泰造、中島 寛、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1995-9)


  66. Siの低エネルギーイオン照射とプロセス応用: 滝本俊介、松下篤志、馬場昭好、佐道泰造、中島 寛、権丈 淳、森　紘、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1995-9)


  67. GaSb-Ga2Te3系合金の混晶化の可能性: 増田浩太郎、権丈 淳、森　紘、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1995-9)


  68. 自律的構造形成の基礎過程の研究: 鶴島稔夫: 「知能の極限集積化」重点領域研究会 (1995-11)


  69. シリコン中の遷移金属・水素複合体が形成する不純物準位: 佐道泰造、中島 寛、鶴島稔夫: 東北大学金属材料研究所ワークショップ (1995-11)


  70. 自律構造形成プロセスの基礎過程　=Si結晶中の照射誘起欠陥のダイナミクスとプロセス応用: 鶴島 稔夫: 重点領域研究「知能の極限集積化」合同研究会, 東京 (1996-3)


  71. イオン照射誘起欠陥の回復過程に対する温度および照射率の効果: 馬場昭好、佐道泰造、権丈 淳、中島 寛、鶴島稔夫: 第43回応用物理学関係連合講演会 (1996-3)


  72. Current Status of Development of Solar Energy Power Generation in Japan: Toshio Tsurushima: Japan-Australia Joint Workshop on Solar Energy Technology, Sydney, Australia (1996-5)


  73. Present and Future of Solar Cell Manufacturing Technology: Toshio Tsurushima: Japan-Australia Joint Workshop on Solar Energy Technology, Perth, Australia (1996-5)


  74. Behavior of Radiation-Induced Defects and Amorphization in Silicon Crystal: A. Baba, D. Bai, T. Sadoh, A. Kenjo, H. Nakashima, H. Mori, and T. Tsurushima: Joint Int. Sympo. of the \lq 96 MRS-J Conf. and the 3rd Ion Engineering Conf., Chiba, Japan (1996-5)


  75. FIBによるCoシリサイド微構造の直接形成: 馬場昭好、松下篤志、佐道泰造、荒牧宏隆、権丈 淳、中島 寛、鶴島稔夫: 第57回 応用物理学会学術講演会 (1996-9)


  76. InSb-In2Te3系合金の相図および結晶構造: 川久保智宏、松岡浩史、権丈 淳、森　紘、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1996-10)


  77. ECRスパッタ法による酸化膜の形成とその評価: 芝田圭市、高 大為、柏崎泰宏、中島 寛、村岡克紀、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1996-10)


  78. 極薄トンネル酸化膜の形成とその評価: 菊竹 陽、佐道泰造、中島 寛、権丈 淳、手島 昇、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1996-10)


  79. Ar+イオン照射によるコバルトシリサイドの形成: 荒牧宏隆、阿部孝幸、馬場昭好、権丈 淳、佐道泰造、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1996-10)


  80. Co/Si界面におけるシリサイド形成プロセスの温度依存性: 阿部孝幸、馬場昭好、荒牧宏隆、佐道泰造、権丈 淳、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1996-10)


  81. 九州における半導体産業と大学の役割: 鶴島 稔夫: 新シリコンアイランドシンポジウム, 熊本 (1996-11)


  82. 自律構造形成プロセスの基礎過程 =Co/Si界面反応におけるイオン照射効果: 鶴島 稔夫: 重点領域研究「知能の極限集積化」, SCS-TV研究会 (1996-12)


  83. シリコンの低エネルギーイオン照射による非晶質化: 白 冬菊、河瀬智宏、馬場昭好、権丈 淳、佐道泰造、鶴島稔夫: 応用物理学九州支部学術講演会 (1996-12)


  84. イオン照射によるSi表面への非晶質層形成とその厚さ評価: 河瀬智宏、白 冬菊、馬場昭好、権丈 淳、佐道泰造、鶴島稔夫: 応用物理学九州支部学術講演会 (1996-12)


  85. ECRスパッタ法を用いて形成したMOSキャパシタの界面準位密度評価: 高 大為、芝田圭市、柏崎泰宏、中島 寛、村岡克紀、鶴島稔夫: 応用物理学九州支部学術講演会 (1996-12)


  86. Si結晶中の照射誘起欠陥の回復過程と界面反応促進: 鶴島 稔夫: 重点領域研究「知能の極限集積化」, 特別公開シンポジウム (1997-3)


  87. ECRスパッタ法を用いて形成したMOSキャパシタの電気特性: D. Gao, Y. Kashiwazaki, K. Muraoka, K. Shibata, T. Tsurushima, and H. Nakashima: 第44回応用物理学関係連合講演会 (1997-3)


  88. イオン照射によるCo/Si界面での原子混合反応誘起とシリサイド形成: 鶴島 稔夫: 重点領域研究「知能の極限集積化」, SCS-TV研究会 (1997-8)


  89. 低エネルギーイオン照射によるGaAs表面の傾斜面加工: 白冬 菊、権丈 淳、佐道泰造、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1997-10)


  90. High-Quality Silicon Oxynitride Film Deposited at Low Temperature by Using a Sputter-Type ECR Plasma: 高 大為、柏崎泰宏、中島 寛、村岡克紀、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1997-10)


  91. ECRスパッタ法を用いて形成したSiON/Siの界面制御: 柏崎泰宏、高 大為、中島 寛、村岡克紀、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1997-10)


  92. ECRプラズマによるシリコン酸化膜の低温成長: 山本光芳、高 大為、中島 寛、村岡克紀、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1997-10)


  93. SiO2上の堆積Co/Si系におけるコバルトシリサイド形成反応: 松下篤志、馬場昭好、阿部孝幸、権丈 淳、佐道泰造、中島 寛、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1997-10)


  94. 分子ビーム堆積法によるチタンシリサイドの形成: 青木健知、馬場昭好、権丈 淳、佐道泰造、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1997-10)


  95. 四面体構造の安定性の検討（Ｉ）: 松岡浩史、権丈 淳、佐道泰造、森 紘、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1997-10)


  96. スパッタ堆積による高品位Ｓｉ系絶縁膜の形成: 中島 寛、鶴島稔夫、村岡克紀: インテリジェント材料フォーラム　第16回ワークショップ (1997-11)


  97. ECRスパッタ法による極薄SiON膜の堆積: 柏崎泰宏、高 大為、境 直史、中島 寛、村岡克紀、鶴島稔夫: 応用物理学九州支部学術講演会 (1997-11)


  98. 極薄トンネル酸化膜の熱処理効果: 山村和臣、菊竹 陽、佐道泰造、中島 寛、権丈 淳、手島 昇、鶴島稔夫: 応用物理学九州支部学術講演会 (1997-11)


  99. 過渡電流分光法によるＳＯＳの電気的評価: 佐道泰造、権丈 淳、鶴島稔夫、中島 寛: 第45回応用物理学関係連合講演会 ２８ａＨ－２(1998-3)


  100. ECRスパッタ法によるエピタキシャルSi薄膜堆積: J. S. Gao, D. W. Gao, N. Sakai, K. Muraoka, and H. Nakashima： 第45回応用物理学関係連合講演会 ２８ａＫ－１(1998-3)


  101. プラズマ酸化によるSiON/Siの界面制御: D. W. Gao, Y. Kashiwazaki, K. Muraoka, H. Nakashima, T. Tsurushima： 第45回応用物理学関係連合講演会 ２９ｐＭ－１５(1998-3)


  102. SiO2上のコバルトシリサイド形成におけるイオン照射の効果: 松下篤志、佐道泰造、鶴島稔夫: 第45回応用物理学関係連合講演会 ２８ａＨ－２(1998-3)


  103. イオン照射誘起欠陥のダイナミクスとプロセス応用 ＝Defect-active Processingへの展望＝: 鶴島 稔夫: 重点領域研究「知能の極限集積化」, 特別公開シンポジウム (1998-4)


  104. Narrow CoSi2 line formation on SiO2 by Focused Ion Beam: A. Matsushita, T. Sadoh, and T. Tsurushima: XII International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'98), Kyoto, Japan (June, 1998)


  105. Silicon Fine Structure Formation on Sapphire with Focused Ion Beam: D. J. Bai, Y. Q. Zhang, A. Matsushita, A. Baba, A. Kenjo, T. Sadoh, H. Nakashima, H. Mori, and T. Tsurushima: XII International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'98), Kyoto, Japan (June, 1998)


  106. ECRプラズマによるSi酸化膜の低温成長とイオン照射効果: 鶴島 稔夫、佐道 泰造、松尾 慎一郎、中島 寛: 重点領域研究「知能の極限集積化」, SCS-TV研究会 (1998-7)


  107. 微細構造形成におけるイオンビームプロセシングの新展開: 鶴島 稔夫: 九州大学大学院システム情報科学研究科研究活動説明会 (1998-9)


  108. ECRプラズマによる低温酸化膜形成のイオン照射効果: 松尾慎一郎、安田隆幸、高大為、中島寛、村岡克紀、鶴島稔夫: 電気関係学会九州支部連合大会 (1998-10)


  109. FIB照射効果を利用したSi表面へのCoSi細線の室温形成: 肥山恭子、松下篤志、権丈淳、佐道泰造、鶴島稔夫: 応用物理学九州支部学術講演会 (1998-12)


  110. ECRプラズマによる低温Si酸化膜成長の基板バイアス効果: 松尾慎一郎、安田隆幸、佐道泰造、鶴島稔夫、高大為、中島寛: 応用物理学九州支部学術講演会 (1998-12)


  111. イオン照射によるCoSi2損傷形成の評価: 松下篤志、権丈淳、佐道泰造、鶴島稔夫: 応用物理学九州支部学術講演会 (1998-12)


  112. イオン照射原子混合反応により形成したCoSi2ゲートMOS構造の評価: 城戸成範、松下篤志、権丈淳、佐道泰造、鶴島稔夫: 応用物理学九州支部学術講演会 (1998-12)


  113. CoSi2ゲートMOSトンネル電子エミッタの作製と評価: 張依群、権丈淳、佐道泰造、鶴島稔夫: 応用物理学九州支部学術講演会 (1998-12)


  114. 分子ビーム堆積法による酸化膜上へのSi層の形成と評価: 犬塚昌宏、権丈淳、佐道泰造、鶴島稔夫: 応用物理学九州支部学術講演会 (1998-12)


  115. 半導体シリコン中の微少欠陥の挙動とプロセス応用: 佐道 泰造: 九州大学中央分析センター講演会 (1999-3)

九州大学　大学院システム情報科学研究院
情報エレクトロニクス部門　電子デバイス工学講座(佐道研究室)

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