 |
研究室卒業生 | |
| 令和元年 |
| 令和元年 大学院博士課程修了者 |
| 孫 祥方 |  |
研究テーマ | ： | SiCデバイスプロセス |
| 進路 | ： | 台湾の企業 |
| 令和元年 大学院修士課程修了者 |
| 公 祥生 |  |
研究テーマ | ： | 層交換成長法によるGe/絶縁膜の高品位形成 |
| 進路 | ： | 中国の研究機関 |
| 八木 和樹 |  |
研究テーマ | ： | SiSn薄膜/絶縁基板の低温固相成長 |
| 進路 | ： | 九州電力 |
| 令和元年度 学部卒業者 |
| 小杉 智浩 | 研究テーマ | ： | Ⅳ族系ヘテロ半導体/絶縁膜の固相成長 | |
| 進路 | ： | 修士課程進学 |
| 千代薗 修典 | 研究テーマ | ： | Ⅳ族系ヘテロ半導体/絶縁膜の固相成長 | |
| 進路 | ： | 修士課程進学 |
| 平成30年度 |
| 平成30年度 大学院修士課程修了者 |
| 高 洪ミョウ |  |
研究テーマ | ： | 層交換成長法によるGe/絶縁膜の高品位形成 |
| 進路 | ： | マイクロン |
| 徐 暢 |  |
研究テーマ | ： | Ge極薄膜/絶縁基板の高キャリア移動度化 |
| 進路 | ： | サンディスク |
| 平成30年度 学部卒業者 |
| 丹 優太 | 研究テーマ | ： | Ⅳ族系ヘテロ半導体/絶縁膜の固相成長 | |
| 進路 | ： | 修士課程進学 |
| 平成29年度 |
| 平成29年度 大学院修士課程修了者 |
| 杉野 貴之 | 研究テーマ | ： | 弱励起レーザ照射によるGeSn/絶縁膜の固相成長の促進 | |
| 平成29年度 学部卒業者 |
| 畠中 駿介 | 研究テーマ | ： | Ge/絶縁膜の触媒誘起成長 | |
| 進路 | ： | 修士課程進学 |
| 八木 和樹 | 研究テーマ | ： | Ⅳ族系ヘテロ半導体/絶縁膜の固相成長 | |
| 進路 | ： | 修士課程進学 |
| 平成28年度 |
| 技術補佐員 |
| 山本 哲子 |  |
ご退職 | ||
| 平成28年度 大学院修士課程修了者 |
| 青木 陸太 |  |
研究テーマ | ： | 局所的金誘起層交換法による擬似単結晶Ge/絶縁基板の低温成長 |
| 進路 | ： | SCREEN |
| 酒井 崇嗣 |  |
研究テーマ | ： | 絶縁基板上におけるa-GeSnのAu誘起横方向低温成長 |
| 進路 | ： | 堀場製作所 |
| 佐々木 雅也 |  |
研究テーマ | ： | 金属誘起層交換成長法によるSn添加Ge/絶縁膜の低温成長 |
| 進路 | ： | 住友電工 |
| 茂藤 健太 |  |
研究テーマ | ： | パルスレーザーアニール法による高Sn濃度GeSn結晶/絶縁基板の形成 |
| 進路 | ： | 博士課程進学 |
| 平成27年度 |
| 平成27年度 大学院博士課程修了者 |
| 松村 亮 |  |
研究テーマ | ： | Study of Crystallization of Ge-Based Group-IV Semiconductor Films on Insulating Substrates （絶縁基板上におけるGeベースIV族半導体薄膜の結晶成長に関する研究） |
| 進路 | ： | 東京大学高木研ポスドク | ||
| 平成27年度 大学院修士課程修了者 |
| 甲斐 友樹 |  |
研究テーマ | ： | 低温固相成長法によるGe(Sn)/絶縁膜の形成 |
| 進路 | ： | 信越化学 | ||
| 平成27年度 学部卒業者 |
| 田中 尊大 |  |
研究テーマ | ： | 拡散障壁パターニングを用いた金誘起層交換法による大粒径Ge/絶縁基板の位置制御 |
| 進路 | ： | 東芝 | ||
| 平成26年度 |
| 平成26年度 大学院博士課程修了者 |
| パク・ジョンヒョク |  |
研究テーマ | ： | Study of Low-Temperature Formation of Orientation-Controlled SiGe Crystals on Insulator by Gold-Induced Crystallization （金誘起成長法を用いた絶縁基板上における方位制御されたSiGe結晶の低温形成に関する研究） |
| 進路 | ： | パーク・システムズ | ||
| 平成26年度 大学院修士課程修了者 |
| 知北 大典 |  |
研究テーマ | ： | GeSn/絶縁膜の極低温成長 |
| 進路 | ： | 村田製作所 | ||
| 平成26年度 学部卒業者 |
| 青木 陸太 | 研究テーマ | ： | Ge/絶縁膜の低温成長 | |
| 進路 | ： | 修士課程進学 | ||
| 佐々木 雅也 | 研究テーマ | ： | GeSn/絶縁膜の低温成長 | |
| 進路 | ： | 修士課程進学 |
| 平成25年度 |
| 平成25年度 大学院博士課程修了者 |
| アニスッザマン モハマッド |  |
研究テーマ | ： | Study of Orientation Rotation in Rapid-Melting Growth of Ge-on-Insulator
（急速溶融法を用いた絶縁膜上のゲルマニウム結晶成長における回転機構に関する研究） |
| 進路 | ： | マレーシア工科大学 | ||
| 平成25年度 大学院修士課程修了者 |
| 大跡 明 |  |
研究テーマ | ： | GeSn/Geの低温固相エピタキシャル成長 |
| 進路 | ： | 大日本スクリーン | ||
| 木下 侑紀 |  |
研究テーマ | ： | Ge系半導体の自己組織的成長 |
| 進路 | ： | 東プレ | ||
| 牟田 俊平 |  |
研究テーマ | ： | Ge/絶縁膜の溶融成長に与える細線化効果の検討 |
| 進路 | ： | 京セラ | ||
| 平成25年度 学部卒業者 |
| 甲斐 友樹 | 研究テーマ | ： | Ge/絶縁膜の溶融成長 | |
| 進路 | ： | 修士課程進学 | ||
| 東 英実 | 研究テーマ | ： | Ge/絶縁膜の溶融成長に与える細線化効果の検討 | |
| 進路 | ： | 修士課程進学 |
| 平成24年度 |
| 平成24年度 大学院修士課程修了者 |
| 加藤 立奨 | 研究テーマ | ： | Ge系半導体のシードレス溶融成長 | |
| 進路 | ： | 昭栄化学工業 | ||
| 鈴木 恒晴 | 研究テーマ | ： | Ge擬似単結晶の低温形成 | |
| 進路 | ： | 富士通VLSI | ||
| 東條 友樹 |  |
研究テーマ | ： | 溶融成長法によるハイブリッドGOIの形成 |
| 進路 | ： | アルパイン | ||
| 松村 亮 | |
研究テーマ | ： | Ge系半導体のシードレス溶融成長 |
| 進路 | ： | 博士課程進学 | ||
| 平成24年度 学部卒業者 |
| 知北 大典 | 研究テーマ | ： | Ge/絶縁膜の溶融成長 | |
| 進路 | ： | 修士課程進学 | ||
| 高橋 雅尚 | 研究テーマ | ： | Ge/絶縁膜の溶融成長に与える細線化効果の検討 | |
| 進路 | ： | 修士課程進学 |
| 平成23年度 |
| 平成23年度 大学院博士後期課程修了者 |
| 黒澤 昌志 |  |
研究テーマ | ： | 絶縁基板上におけるSi1-xGex(0≦x≦1)薄膜の結晶方位制御に関する研究 |
| 進路 | ： | 名古屋大学財満研究室ポスドク | ||
| 平成23年度 大学院修士課程修了者 |
| パク ジョンヒョク |  |
研究テーマ | ： | |
| 進路 | ： | 九州大学後期博士課程進学 | ||
| 横山 裕之 |  |
研究テーマ | ： | 高品質・大面積GOI(Ge on Insulator) |
| -SiGeミキシング誘起溶融成長とホモエピタキシャル成長の融合- | ||||
| 進路 | ： | 旭硝子 | ||
| 平成23年度 学部卒業者 |
| 藤田 裕一 | 研究テーマ | ： | ||
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 牟田 俊平 | 研究テーマ | ： | ||
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 |
| 平成22年度 |
| 平成22年度 大学院博士後期課程修了者 |
| 都甲 薫 |  |
研究テーマ | ： | SiGe/絶縁膜の方位制御とデバイス応用 |
| 進路 | ： | 筑波大学助教 | ||
| 平成22年度 大学院修士課程修了者 |
| 大田 康晴 |  |
研究テーマ | ： | SiGe(SiGe on Insulator)構造の低温形成と歪制御 |
| 進路 | ： | Canon | ||
| 川畑 直之 |  |
研究テーマ | ： | SiGe(SiGe on Insulator)j上におけるヘテロエピタキシャル成長 |
| 進路 | ： | 三菱電機 | ||
| 坂根 尭 |  |
研究テーマ | ： | 固相/液相融合成長によるSiGe/絶縁膜 |
| 進路 | ： | 九州電力 | ||
| 平成22年度 学部卒業者 |
| 加藤 立奨 | 研究テーマ | ： | - | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 東條 友樹 | 研究テーマ | ： | - | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 |
| 平成21年度 |
| 平成21年度 大学院後期博士課程修了者 |
| 安藤 裕一郎 |  |
研究テーマ | ： | スピン偏強型強磁性シリサイド/SiGeのスピン評価とデバイス応用 |
| 進路 | ： | 九州大学木村研究室ポスドク | ||
| 平成21年度 大学院修士課程修了者 |
| 榎本 雄志 |  |
研究テーマ | ： | [Fe3Si/半導体]n超構造の界面構造とデバイス応用 |
| 進路 | ： | 九州電力 | ||
| 笠原 健司 | 研究テーマ | ： | スピン偏強型強磁性シリサイド/SiGeの磁気特性と結晶性の相関究明 | |
| 進路 | ： | 九州大学後期博士課程進学 | ||
| 田中 貴則 |  |
研究テーマ | ： | SiGe結晶薄膜への局所歪導入 |
| 進路 | ： | |||
| 山田 晋也 | 研究テーマ | ： | Fe3Si/Si(111)(110)(100)の高品位成長によるショットキー接合の制御 | |
| 進路 | ： | 九州大学後期博士課程進学 | ||
| 山本 健士 |  |
研究テーマ | ： | SiGeスピントロニクス用フルホイスラー合金の探索 |
| 進路 | ： | |||
| 平成21年度 学部卒業生 |
| 橋本 直樹 | 研究テーマ | ： | - | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 馬場 雄三 | 研究テーマ | ： | - | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| パク ジョンヒョク | 研究テーマ | ： | - | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 前田 雄也 | 研究テーマ | ： | - | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 横山 裕之 | 研究テーマ | ： | - | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 |
| 平成20年度 |
|---|
| 平成20年度 大学院博士課程修了者 |
|---|
| 上田 公二 |  |
研究テーマ | ： | [Fe3Si/半導体]n超構造の創出とスピントロニクス応用 |
| 進路 | ： | 東芝 | ||
| 田中 政典 | 研究テーマ | ： | 歪SOI技術の高度化とデバイス応用 | |
| 進路 | ： | 東芝 | ||
| 平成20年度 大学院修士課程修了者 |
|---|
| 岸 悠司 |  |
研究テーマ | ： | スピン偏極型強磁性シリサイド/SiGeの電気特性評価とデバイス応用 |
| 進路 | ： | 九州電力 | ||
| 黒澤 昌志 | 研究テーマ | ： | 触媒利用成長によるSGOI(SiGe on Insulator)構造の形成 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院博士後期課程進学 | ||
| 中尾 勇兼 |  |
研究テーマ | ： | SiGe結晶薄膜の物性制御と薄膜トランジスタの試作 |
| 進路 | ： | シャープ | ||
| 萩原 貴嗣 |  |
研究テーマ | ： | 電界印加型触媒誘起成長によるSiGe/絶縁膜の極低温形成 |
| 進路 | ： | 三菱電機 | ||
| 平成20年度 学部卒業者 |
|---|
| 大田 康晴 | 研究テーマ | ： | SiGe(SiGe on Insulator)構造の低温形成と歪制御 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 川畑 直之 | 研究テーマ | ： | SiGe(SiGe on Insulator)上におけるヘテロエピタキシャル成長 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 坂根 尭 | 研究テーマ | ： | 固相/液相融合成長によるSiGe/絶縁膜の方位制御 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 村上 達彦 | 研究テーマ | ： | Fe3Si/Ge(111)(110)(100)の高品位成長によるショットキー接合特性の制御 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 山根 一高 | 研究テーマ | ： | フルホイスラー合金/SiGe構造の電気・磁気特性評価 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 平成19年度 |
|---|
|
主任教授秘書 |
| 梶原 美佳 |  |
進路 | ： | 白谷主任教授秘書へ |
| 平成19年度 大学院修士課程修了者 |
|---|
| 熊野 守 |  |
研究テーマ | ： | Fe3Si/SiGeの原子層制御エピタキシャル成長 |
| 進路 | ： | シャープ | ||
| 津村 宜孝 |  |
研究テーマ | ： | 層交換成長によるSiGe/絶縁膜の結晶方位制御 |
| 進路 | ： | 九州電力 | ||
| 都甲 薫 | 研究テーマ | ： | 固相成長によるSiGe/絶縁膜の結晶方位制御 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院博士後期課程進学 | ||
| 西丸 拓朗 |  |
研究テーマ | ： | 絶縁膜上におけるa-SiGeの横方向固相成長 |
| 進路 | ： | サンヨー | ||
| 松本 達也 |  |
研究テーマ | ： | 絶縁膜上における強磁性薄膜の高配向成長 |
| 進路 | ： | 日立製作所 | ||
| 平成19年度 学部卒業者 |
|---|
| 榎本 雄志 | 研究テーマ | ： | SiGe/結晶性絶縁膜の構造評価と制御 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 笠原 健司 | 研究テーマ | ： | SiGe上に於けるスピン偏極型強磁性シリサイドの低温成長 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 田中 貴規 | 研究テーマ | ： | SiGe結晶薄膜への局所歪の導入 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 山本 健士 | 研究テーマ | ： | 強磁性シリサイド/半導体のスピン特性評価 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 |
| 平成18年度 |
|---|
| 平成18年度 日本学術振興会特別研究員(宮尾研ポスドク) |
|---|
| 菅野 裕士 |  |
進路 | ： | 東芝 |
| 平成18年度 大学院修士課程修了者 |
|---|
| 大賀 達夫 |  |
研究テーマ | ： | SiGe/SOI構造の酸化現象解析 |
| 進路 | ： | NTTドコモ中国 | ||
| 木村 真幸 |  |
研究テーマ | ： | 絶縁膜上における強磁性結晶薄膜のスピン評価とデバイス応用 |
| 進路 | ： | ソニーセミコンダクタ九州 | ||
| 中村 真紀 |  |
研究テーマ | ： | ショットキー電極型SiGe-TFTの試作・評価 |
| 進路 | ： | ソニーセミコンダクタ九州 | ||
| 平成18年度 学部卒業者 |
|---|
| 岡本 洋平 |  |
研究テーマ | ： | 結晶性絶縁膜上におけるSiGe成長 |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学（合田研） | ||
| 岸 悠司 | 研究テーマ | ： | SiGe/ガラスの低温形成と電子物性評価 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 黒澤 昌志 | 研究テーマ | ： | SiGe触媒誘起成長の低温化 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 中尾 勇兼 | 研究テーマ | ： | a-SiGe/絶縁膜の層交換成長と触媒種探索 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 萩原 貴嗣 | 研究テーマ | ： | SiGe触媒誘起成長の金属種探索 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 |
| 平成17年度 |
|---|
| 平成17年度 大学院博士課程修了者 |
|---|
| 菅野 裕士 | 研究テーマ | ： | 触媒金属誘起固相成長法を用いた 多結晶Si1-xGex(0≦x≦1)薄膜の低温形成に関する研究 |
|
| 進路 | ： | 宮尾研ポスドク |
| 平成17年度 大学院修士課程修了者 |
|---|
| 青木 智久 |  |
研究テーマ | ： | 非晶質SiGe/絶縁膜の金属触媒誘起低温成長 |
| 進路 | ： | シャープ | ||
| 上田 公二 | 研究テーマ | ： | 次世代不揮発性メモリ用磁性金属ナノドット/SiO2の形成 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院博士後期課程進学 | ||
| 上水流 隼人 |  |
研究テーマ | ： | 次世代ディスプレイ用ショットキー接触型多結晶Ge薄膜トランジスタの試作 |
| 進路 | ： | ソニーセミコンダクタ九州 | ||
| 木塚 怜 |  |
研究テーマ | ： | 分子線エピタキシー法による強磁性体シリサイドFe3Si/Siの低温成長 |
| 進路 | ： | 京セラ | ||
| 田中 政典 | 研究テーマ | ： | 超高速ＬＳＩ用歪Siウェーハの高品質形成 |
|
| 進路 | ： | 九州大学大学院博士後期課程進学 | ||
| 平成17年度 学部卒業者 |
|---|
| 熊野 守 | 研究テーマ | ： | 分子ビームエピタキシー法によるFe3Si/Geの低温成長 |
|
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 蘇 昶 |  |
研究テーマ | ： | 歪SOI用SiGeバッファ層の高品質形成 |
| 進路 | ： | 就職（北京の不動産） | ||
| 津村 宜孝 | 研究テーマ | ： | 絶縁膜上における非晶質Siの横方向固相成長 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 都甲 薫 | 研究テーマ | ： | Niインプリント法を用いたSi1-xGex(0≦x≦1)結晶薄膜の低温形成 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 |
| 平成16年度 | 【卒業写真】 |
|---|
| 平成16年度 非常勤COE研究員 |
|---|
| 角田 功 |  |
進路 | ： | 熊本テクノ産業財団 |
| 平成16年度 大学院修士課程修了者 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 太田 裕己 |  |
研究テーマ | ： | 多結晶Ge/ガラスの低温成長と次世代ＴＦＴ |
| 進路 | ： | シャープ | ||
| 大山 泰弘 |  |
研究テーマ | ： | 次世代ディスプレイ用ショットキー接続型薄膜トランジスタの研究 |
| 進路 | ： | 三洋電機 | ||
| 竹内 悠 |  |
研究テーマ | ： | Si基板上におけるシリサイド強磁性体薄膜のエピタキシャル成長と評価 |
| 進路 | ： | ソニーセミコンダクタ九州 | ||
| 平成16年度 学部卒業生 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 大江 雄二 |  |
研究テーマ | ： | SiO2における金属ナノドットの形成と評価：不揮発性メモリーの高機能化 |
| 進路 | ： | 正興電気 | ||
| 鈴村 常夫 |  |
研究テーマ | ： | 次世代歪Si用SiGe仮想基板の高品質形成 |
| 進路 | ： | 進学（量子プロセス） | ||
| ソン ジェヨル |  |
研究テーマ | ： | 高移動度TFT用Ge結晶薄膜の低温形成：Niインプリント法 |
| 進路 | ： | 進学（東京工業大学） | ||
| 平成15年度 | 【卒業写真】 |
|---|
|
研究室秘書 |
| 山口 雅子 |  |
進路 | ： | ご退職 |
| 平成15年度 大学院博士課程修了者 |
|---|
| 角田 功 |  |
研究テーマ | ： | イオン誘起固相成長によるSiGe擬似結晶/SiO2の低温形成 |
| 進路 | ： | 非常勤COE研究員 | ||
| 村上 裕二 |  |
研究テーマ | ： | イオンビームプロセスによるβ-FeSi2極微細線の低温形成 |
| 進路 | ： | 三菱電機 | ||
| 平成15年度 大学院修士課程修了者 |
|---|
| 田上 肇 |  |
研究テーマ | ： | 歪Si-SOI用SiGe仮想基板のプロセス探索 －固相拡散法と熱酸化法の比較－ |
| 進路 | ： | 京セラ | ||
| 塚原 陽平 |  |
研究テーマ | ： | シリサイド半導体β-FeSi2の形成と特性評価 |
| 進路 | ： | シャープ | ||
| 中野 修 |  |
研究テーマ | ： | 非晶質ＳｉＧｅ/絶縁膜の金属触媒誘起固相成長 |
| 進路 | ： | ソニーLSI | ||
| 松浦 良 |  |
研究テーマ | ： | 歪Si-SOI用SiGe仮想基板の高品質化 －水素イオン照射による酸化濃縮法の高度化－ |
| 進路 | ： | 旭化成マイクロシステム九州 | ||
|
修士課程１年次 |
| 松林 一也 |  |
進路 | ： | 海上自衛隊 |
| 平成15年度 学部卒業者 |
|---|
| 青木 智久 | 研究テーマ | ： | 次世代TFT用Si1-x Gex (0≦x≦1) のAu誘起低温成長 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 生島 政典 | 研究テーマ | ： | 次世代TFT用Si1-x Gex (0≦x≦0.3)のプラズマ低温酸化 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 上田 公二 | 研究テーマ | ： | 次世代メモリ用Coナノドット／SiO2の高密度形成 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 木塚 怜 | 研究テーマ | ： | Si系OEIC用FeSi2／Si薄膜成長 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 |
| 平成14年度 | 【卒業写真】 |
|---|
|
主任教授秘書 |
| 賀谷 敦子 |  |
進路 | ： | 黒木主任教授秘書へ |
| 平成14年度 大学院修士課程修了者 |
|---|
| 尾渡 正和 |  |
研究テーマ | ： | シリサイド半導体β‐FeSi2‐xGexにおけるGe混晶効果とバンドエンジニアリング |
| 進路 | ： | トヨタ自動車 | ||
| 菅野 裕士 | 研究テーマ | ： | 金属触媒誘起固相成長法による多結晶SiGe薄膜/絶縁膜の低温形成 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院博士後期課程進学 | ||
| 長友 圭 |  |
研究テーマ | ： | 低温固相成長によるSi擬似単結晶/絶縁膜の創出－Ge局所導入効果－ |
| 進路 | ： | 松下電器産業 | ||
| 宮田 昌樹 |  |
研究テーマ | ： | 高速LSI用歪みSOIウェーハの研究－SiGeバッファ層の高品質化－ |
| 進路 | ： | NEC | ||
| 平成14年度 学部卒業者 |
|---|
| 太田 裕己 | 研究テーマ | ： | 表面凹凸を有するガラス基板上における非晶質Si(Ge)の固相成長 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 大山 泰弘 | 研究テーマ | ： | 次世代MOSトランジスタ用ショットキー電極の形成と評価 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 竹内 悠 | 研究テーマ | ： | シリサイド半導体β‐FeSi2へのGe固相拡散と歪み制御の検討 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 福島 早知子 |  |
研究テーマ | ： | ボロン注入した多結晶SiGe/SiO2の光吸収・光伝導機構の検討 |
| 進路 | ： | ソニーセミコンダクタ九州 |
| 平成13年度 | 【卒業写真】 |
|---|
| 平成13年度 大学院修士課程修了者 |
|---|
| 国頭 正樹 |  |
研究テーマ | ： | 次世代CMOS用SiGeゲート電極における導入不純物の熱的安定性の向上 |
| 進路 | ： | 本田技研工業（株） | ||
| 永田 朝洋 |  |
研究テーマ | ： | SiGe/SiO2固相成長における非晶質性，堆積膜厚及びGe添加効果 |
| 進路 | ： | 福岡ハイウェイサービス | ||
| 城戸 英男 |  |
研究テーマ | ： | β-FeSi2/Si薄膜の固相成長とその物性評価 |
| 進路 | ： | ソニー（株） | ||
| 平成13年度 学部卒業者 |
|---|
| 田上 肇 | 研究テーマ | ： | イオン注入法による次世代CMOS用SiGeゲート電極の形成 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 松浦 良 | 研究テーマ | ： | 光学的手法による多結晶/擬似結晶SiGeの粒内特性評価 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 内藤 周作 |  |
研究テーマ | ： | SiGe結晶におけるイオン線照射誘起欠陥の挙動解明 |
| 進路 | ： | ローム（株） | ||
| 塚原 陽平 | 研究テーマ | ： | β-FeSi2/Si薄膜の物性制御とデバイス応用 | |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 平成12年度 |
|---|
| 平成12年度 大学院修士課程修了者 |
|---|
| 角田 功 | 研究テーマ | ： | イオン線誘起固相成長法による次世代TFT用多結晶Si薄膜の形成 |
| 進路 | ： | 九州大学大学院博士後期課程進学 | |
| 村上 裕二 | 研究テーマ | ： | Si及びGeにおけるイオン線誘起欠陥の挙動解明 －イオン線照射誘起プロセスの基礎－ |
| 進路 | ： | 九州大学大学院博士後期課程進学 | |
| 江口 博臣 | 研究テーマ | ： | イオン線誘起固相成長法による次世代TFT用多結晶Si薄膜の形成 |
| 進路 | ： | トヨタ自動車 | |
| フィトリアント | 研究テーマ | ： | 次世代ゲート電極用多結晶SiGe/SiONにおける導入不純物の熱的安定性の向上 |
| 進路 | ： | 東京エレクトロン | |
| 吉門 豊 | 研究テーマ | ： | 固相成長法によるFeSi2薄膜の直接遷移型化の検討 －エコ・エレクトロニクスの創出を目指して－ |
| 進路 | ： | 日立超LSIシステムズ | |
| 平成12年度 学部卒業者 |
|---|
| 長友 圭 | 研究テーマ | ： | 集束イオンビーム照射によるGe(Si)の増速エッチング特性 |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| 宮田 昌樹 | 研究テーマ | ： | イオン照射Siの欠陥発生及び緩和に与える不純物効果 |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| 大西 将夫 | 研究テーマ | ： | イオン注入した多結晶SiGe薄膜/SiO2のアニール特性 |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学(渡辺研） | |
| 菅野 裕士 | 研究テーマ | ： | 金属触媒誘起固相成長法を用いた多結晶Si薄膜/石英の低温形成 |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| 石井 俊輔 | 研究テーマ | ： | 直接遷移型鉄シリサイド薄膜のエネルギー帯構造の光学的評価 |
| 進路 | 九州大学大学院修士課程進学(松山研) | ||
| 古川 明 | 研究テーマ | ： | 直接遷移型鉄シリサイド薄膜の基礎吸収端の赤外分光評価 |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学(前田研) | |
| 平成11年度 |
|---|
| 平成11年度 大学院博士後期課程修了者 |
|---|
| 佐藤 克己 | 研究テーマ | ： | 高耐圧・大容量サイリスタの高性能化に関する研究 |
| 進路 | ： | 三菱電機（株） |
| 平成11年度 大学院修士課程修了者 |
|---|
| 安田 隆幸 | 研究テーマ | ： | 電子ビーム露光におけるシリコンメンブレン構造の作製と応力評価 |
| 進路 | ： | 松下電器産業（株） | |
| 帆玉 信一 | 研究テーマ | ： | 極浅接合用多原子クラスターイオン注入技術の研究 |
| 進路 | ： | 東芝(株) | |
| 山内 秀巧 | 研究テーマ | ： | イオン照射による過剰点欠陥の緩和過程の研究 －イオン線誘起固相成長の基礎－ |
| 進路 | ： | オリンパス(株) | |
| 安永 浩樹 | 研究テーマ | ： | CoSi2ゲートMOS型トンネル電子放出素子の研究 |
| 進路 | ： | 京セラ(株) | |
| 平成11年度 学部卒業者 |
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| 国頭 正樹 | 研究テーマ | ： | TEOSプラズマCVDによるSiO2絶縁膜の形成と評価 |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| 永田 朝洋 | 研究テーマ | ： | シリコン固相結晶成長に及ぼす熱処理前イオン照射の効果 |
| 進路 | ： | 九州大学大学院修士課程進学 | |