学会発表


【2019年】

  1. Low-temperature and low-cost excimer laser doping for poly-si thin-film transistor fabrication, K. Imokawa, N. Tanaka, A. Suwa, D. Nakamura, T. Sadoh, T. Goto, H. Ikenoue (SPIE Photonics West, Lase, Laser-based Micro- and Nanoprocessing XIII, 10906-19, San Francisco, United States (Feb. 5-7 2019))

  2. Improved Carrier Mobility of Thin Ge Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization Combined with Interface-Modulation, Xiangsheng Gong, Chang Xu, and Taizoh Sadoh (26th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials- (AM-FPD ’19), P-L6, Kyoto (Jul. 2-5, 2019))

  3. Low-Temperature Bi-Induced Layer Exchange Crystallization for Formation of n-Type Ge on Insulator, Xiangsheng Gong, Sen Liu, Hongmiao Gao, and Taizoh Sadoh (2019 International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM 2019)), PS-11-08, Nagoya (Sep. 2-5, 2019))


  4. High Carrier Mobility Sn-Doped Ge Thin-Films (≤ 50 nm) on Insulator by Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization at Low-Temperature, Xiangsheng Gong, Chang Xu, and Taizoh Sadoh (2019 International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM 2019)), F-6-02, Nagoya (Sep. 2-5, 2019))

【2018年】

  1. (Invited) Low-Temperature Crystallization of Group-IV Semiconductors on Insulator Using Catalysis, T. Sadoh, M. Miyao, and I. Tsunoda (11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, I-10, Sendai (Feb. 23-24, 2018))


  2. Low-Temperature Formation of n-Type Ge on Insulator by Sb-Induced Layer Exchange Crystallization, Hongmiao Gao, Masanobu Miyao, and Taizoh Sadoh (11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, P-04, Sendai (Feb. 23-24, 2018))


  3. Low-Temperature Formation of n-Ge/Insulator by Sb-Induced Layer Exchange Crystallization Combined with Ge Under-Layer Insertion, Hongmiao Gao and Taizoh Sadoh (2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), B2-2, Kitakyushu (Jul. 2-4, 2018))

  4. Effects of a-Si Layer Insertion on Solid-Phase Crystallization of Sn Doped Ge on Insulator, Chang Xu, Hongmiao Gao, Masanobu Miyao, and Taizoh Sadoh (2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), B2-3, Kitakusyu (Jul. 2-4, 2018))


  5. Effect of film thickness on low temperature solid-phase crystallization of SiSn on insulator, Kazuki Yagi and Taizoh Sadoh (2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), P-19, Kitakyushu (Jul. 2-4, 2018))


  6. Characterization of Characterization of Excimer-Laser Doping of a Poly-Si Thin Film with a Phosphoric-Acid Coating for Thin-Film-Transistor Fabrication, Kaname Imokawa, Nozomu Tanaka, Akira Suwa, Daisuke Nakamura, Taizoh Sadoh, Tetsuya Goto, and Hiroshi Ikenoue (25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials- (AM-FPD ’18), P-L4, Kyoto (Jul. 3-6, 2018))


  7. Low-Temperature Formation of n-Type Ge on Insulator by Thickness-Modulated Sb-Induced Layer Exchange Crystallization Combined with Thin Ge Under-Layer Insertion, H. Gao, M. Miyao, T. Sadoh (2018 International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM 2018), E-6-02, Tokyo (Sep. 9-13, 2018))

  8. Enhanced Growth of High Sn Concentration (Sn>=10%) GeSn on Insulator by Low Temperature (~170°C) Solid-Phase Crystallization Combined with Weak Laser Irradiation, T. Sadoh, T. Sugino, K. Moto, R. Matsumura, H. Ikenoue, M. Miyao (2018 International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM 2018), E-6-03, Tokyo (Sep. 9-13, 2018))


  9. Excimer Laser Doping of LTPS Thin Films for Printable Device Fabrication, N. Tanaka, K. Imokawa, A. Suwa, D. Nakamura, T. Sadoh, H. Ikenoue (2018 International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM 2018), N-2-01, Tokyo (Sep. 9-13, 2018))

  10. High Carrier Mobility Sn-Doped Ge on Insulator by Solid-Phase Crystallization Combined with Si-Under-Layer Insertion, Chang Xu, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh (E-MRS, 2018 Fall Meeting, U.P.5, Warsaw, Porland (Sep. 17-19, 2018))

  11. N-Type Ge on Insulator by Low-Temperature Sb-Induced Layer Exchange Crystallization Combined with Ge Under-Layer Insertion, Hongmiao Gao, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh (E-MRS, 2018 Fall Meeting, U.P.6, Warsaw, Porland (Sep. 17-19, 2018))

  12. Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of SiSn Films on Insulator, K. Yagi, M. Miyao and T. Sadoh (14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), 22P019, Sendai (Oct. 21-25, 2018))

【2017年】

  1. Low-Temperature (~250°C) Growth of Large-Grain Sn-Doped Ge (100) on Insulator by Al-Induced Crystallization for Flexible Electronics, M. Sasaki, M. Miyao, and T. Sadoh, (10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, P-09, Sendai (Feb. 13-14, 2017))


  2. Characterization of Si Thin Films Doped by Wet-Chemical Laser Processing, Akira Suwa, Nozomu Tanaka, Taizoh Sadoh, Daisuke Nakamura, Hiroshi Ikenoue (Society for Information Display 2017 International Symposium, Seminar and Exbition, 30.4, Los Angels (May 21-26, 2017))

  1. Weak-Laser-Irradiation-Enhanced Solid-Phase Crystallization of GeSn-on-Insulator at Low-Temperature (180°C) - Thickness-Dependent High Substitutional-Sn-Concentration -, T. Sugino, K. Moto, H. Ikenoue, M. Miyao, and T. Sadoh (17th International Workshop on Junction Technology 2017, S2-1, Kyoto (Jun. 1-2, 2017))


  2. Formation of n-Type Ge on Insulator by Low-Temperature Sb-Induced Layer Exchange Crystallization, H. Gao, R. Aoki, M. Sasaki, M. Miyao, and T. Sadoh (17th International Workshop on Junction Technology 2017, S2-2, Kyoto (Jun. 1-2, 2017))

  1. A Novel Method for Laser Doping of Poly-Si Thin Films Using XeF Excimer Laser Irradiation in Acid Solution, Nozomu Tanaka, Akira Suwa, Tetsuya Goto Daisuke Nakamura, Taizoh Sadoh, Hiroshi Ikenoue (Lasers in Manufacturing Conference 2017, Munich, Germany (Jun. 26-29 (2017))

  2. Low-Temperature Formation of n-Type Ge/Insulator by Sb-Induced Layer Exchange Crystallization, H. Gao, R. Aoki, M. Sasaki, M. Miyao, and T. Sadoh (24th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, P36, Kyoto (Jul. 4-7, 2017))
    016))


  3. Thickness-Dependent Substitutional-Sn-Concentration in GeSn-on-Insulator by Weak- Laser-Irradiation-Enhanced Solid-Phase Crystallization at Low-Temperature (180°C), T. Sugino, K. Moto, H. Ikenoue, M. Miyao, and T. Sadoh (24th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, P37, Kyoto (Jul. 4-7, 2017))


  4. High Substitutional-Sn-Concentration GeSn-on-Insulator by Weak-Laser-Irradiation-Enhanced Solid-Phase Crystallization at Low-Temperature (~170°C), T. Sugino, K. Moto, R. Matsumura, H. Ikenoue, M. Miyao, and T. Sadoh (2017 International Conference on Solid-State Devices and Materials, Sendai, M-4-01 (Sep. 19-22, 2017))

  5. Low-Temperature Sb-Induced Layer Exchange Crystallization for Slef-Limiting Formation of n-Type Ge/Insulator, H. Gao, R. Aoki, M. Miyao, and T. Sadoh (2017 International Conference on Solid-State Devices and Materials, Sendai, PS-8-03 (Sep. 19-22, 2017))


【2016年】

  1. Formation of GeSn Crystals with High Sn Concentration on Insulating Substrate by Pulsed Laser-Annealing : K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue and M. Miyao (9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, P-10, 1/12, Sendai, JAPAN, (Jan. 11-12, 2016))


  2. Low Temperature (~150oC) Au-Induced Lateral Growth of a-GeSn on Insulator : T. Sakai, R. Matsumura , T. Sadoh and M. Miyao (9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, P-11, 1/12, Sendai, JAPAN, (Jan. 11-12, 2016))

  1. Non-Thermal Equilibrium Growth of Amorphous Ge1-xSnx (0<x<0.2) / Insulator Structures by Pulsed Laser-Annealing, K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao, ( 8th  International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM2016, 6/9, TP3-A-4, Nagoya, ( June7-11, 2016))


  2. Position-Controlled Ge Crystals on Insulator at Low Temperature (≤300°C) by Spatially-Modulated Gold-Induced Crystallization, R. Aoki, T. Tanaka, Jong-Hyeok Park, M. Miyao, and T. Sadoh, (8th International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM2016, 6/10, FE-PB-20, Nagoya, ( June7-11, 2016))

  1. Formation of High-Mobility Ge(Sn) on Insulator by Low-Temperature (~400°C) Solid-Phase Crystallization, Y. Kai, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao, (8TH International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM2016, 6/10, FE-PB-21, Nagoya, ( June7-11, 2016))

  2. Low Temperature (<250oC) Au-Induced Lateral Crystallization of Sn-Doped Ge on Insulator, T. Sakai, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao, (8TH International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM2016, 6/9, TP3-A-5, Nagoya, ( June7-11, 2016))

  3. Liquid Phase Growth of Composition-Controlled Large-Grain SixGe1-x (0<x<0.2) on Insulating Substrates, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao, (8TH International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM2016, 6/11, SA2-A-2, Nagoya, (June 7-11, 2016)))


  4. Pulsed Laser Annealing for Supersaturated Substitutional Sn Atoms in GeSn Thin-Films on Insulator, K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao, ( International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials , IUMRS-ICEM 2016, B-6, 7/8, Singapore, (July 4-8, 2016))

  5. Large-Grain Sn-Doped Ge (100) on Insulator by Aluminum-Induced Crystallization at Low-Temperature for Flexible Electronics, M. Sasaki, M. Miyao, and T. Sadoh, (Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2016, AM-FPD16, 7/7, P-41, Kyoto, (July6-8, 2016))


  6. (Plenary) Novel Growth techniques of Group-IV Based Hetero-structures for Multi-Functional Devices, M. Miyao, (Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2016, APAC SILICIDE 2016, 7/16, 16-PM-I-1, Fukuoka, ( July 16-18, 2016))

  1. Formation and Analysis of GeSn on Insulator with Non-Thermal Equilibrium Sn Concentration Obtained by Pulsed Laser-Annealing, K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M Miyao, (Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2016, APAC SILICIDE 2016, 7/17, P-6, Fukuoka, ( July 16-18, 2016))


  2. Low-Temperature Formation of Position-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Localized Nucleation, T. Sadoh, R. Aoki, T. Tanaka, and M. Miyao, (Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2016, APAC SILICIDE 2016, 7/16, 16-PM-II-4, Fukuoka, ( July 16-18, 2016))


  3. Low Temperature (<250oC) Au-Induced Lateral Crystallization of Sn-Doped Ge on Insulator, T. Sakai, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao, (8TH International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM2016, 6/9, TP3-A-5, Nagoya, ( June7-11, 2016))


  4. Orientation Controlled Artificial Nano-Crystals for Hybrid-Formation of (111), (110), and (100) Germanium-on-Insulator Structures, M. Miyao, M. Kurosawa, and T. Sadoh, (XIII International Conference on Nanostructured Materials, NANO 2016, Canada, 8/11, NS-3-1, ( Aug. 7-12, 2016))

  1. Low-Temperature (<300°C) Nano-Seeding Growth of Position-Controlled Large-Grain Germanium on Insulator for Flexible Electronics, T. Sadoh, R. Aoki, T. Tanaka, M. Miyao, (XIII International Conference on Nanostructured Materials, NANO 2016, Canada, 8/11, NS-2-1, ( Aug. 7-12, 2016))
    2016))

  1. Thickness-Controlled Low-Temperature (~380°C) Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Poly-Ge/Insulator for High Carrier Mobility (~320 cm2/Vs), K. Moto, T. Sadoh, Y. Kai, R. Matsumura, and M. Miyao, (International Conference on Solid State Devices and Materials 2016, SSDM, Tsukuba, 9/29, D-5-04, (Sep. 26-29, 2016))
    16))



  2. Low-Temperature Gold-Induced Lateral Crystallization of Sn-Doped Ge on Insulator for Flexible Electronics, T. Sakai, T. Sadoh, R. Matsumura, and M. Miyao, (International Conference on Solid State Devices and Materials 2016, SSDM, Tsukuba, 9/29, D-5-03, (Sep. 26-29, 2016))


  3. Thermally-Stable High Sn Concentration (~9%) GeSn on Insulator by Ultra-Low Temperature (~180°C) Solid-Phase Crystallization Triggered by Laser-Anneal Seeding, R. Matsumura, K. Moto, Y. Kai, T. Sadoh, H. Ikenoue, M. Miyao, (International Conference on Solid State Devices and Materials 2016, SSDM, Tsukuba, 9/27, G-5-3, (Sep. 26-29, 2016))

  1. Low-Temperature Formation of Sn-Doped Ge on Insulating Substrates by Metal-Induced Crystallization, T. Sakai, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao ( Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science, PRiME 2016& 230th ECS Meeting, 10/4, H03-2130, Hawaii, U.S.A., ( Oct.2-7, 2016))


  2. (Invited) Low-Temperature Growth of Orientation-Controlled Large-Grain Ge-Rich SiGe on Insulator at Controlled-Position for Flexible Electronics, T. Sadoh, R. Aoki, T. Tanaka, J. H. Park, and M. Miyao ( Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science, PRiME 2016& 230th ECS Meeting, 10/4, H03-2127, Hawaii, U.S.A., ( Oct.2-7, 2016))

  1. Cooling Rate Dependent High Substitutional Sn Concentration (>10%) in GeSn Crystals on Insulator by Pulsed Laser-Annealing, K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao, ( Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science, PRiME 2016& 230th ECS Meeting, 10/4, H03-2129, Hawaii, U.S.A., ( Oct.2-7, 2016))


  2. High Carrier Mobility (~320 cm2/Vs) of Sn-Doped Poly-Ge on Insulator by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization, T. Sadoh, Y. Kai, K. Moto, R. Matsumura, and M. Miyao, (Materials Research Society, 2016 MRS Falll Meeting & Exhibit, 11/28, EM6.1.7, Boston, Massachusetts, U.S.A., (Nov. 27-Dec. 2, 2016))


  3. Low-Temperature (<250°C) Lateral Crystallization of Sn-Doped Ge-on-Insulator Enhanced by Au Catalysis, T. Sakai, T. Sadoh, R. Matsumura, and M. Miyao, (Materials Research Society, 2016 MRS Falll Meeting & Exhibit, 11/30, EM6.8.18, Boston, Massachusetts, U.S.A., (Nov. 27-Dec. 2, 2016))

  1. Pulsed Laser Annealing for Non-Thermal Equilibrium GeSn (Sn>10%) on Insulating Substrate, K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao, (Materials Research Society, 2016 MRS Falll Meeting & Exhibit, 11/30, EM6.8.17, Boston, Massachusetts, U.S.A., (Nov. 27-Dec. 2, 2016))


【2015年】

  1. Ultra-Low-Temperature Crystallization of a-GeSn on Insulator for Flexible Electronics : H. Chikita, R. Matsumura, Y. Kai, T. Sadoh,andM. Miyao ( 8th Int. Workshop on New Group  IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai-WS, 1/30, P-02, Japan, (Jan. 29-30, 2015))


  2. Composition-controlled SiGe crystalson insulator by rapid-melting growth -Analysisand control of SiGe segregation- : R. Matsumura, T. Sadoh,and M. Miyao ( 8th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, 仙台WS, 1/29, O-06, Japan, (Jan. 29-30, 2015))


  3. Low temperature solid phase crystallization of GeSn on insulator for flexible electronics : R. Matsumura, M. Sasaki, H. Chikita, M. Miyao, T. Sadoh, (The 11th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation - INC11, 5/11, P-3, Japan, (May 12-13, 2015))


  4. Sn-precipitation-suppressed solid-phase epitaxy of GeSn on Ge at low-temperatures (~150°C) : T. Sadoh, A. Ooato, J. -H. ParkH. M. Miyao, (The 11th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation - INC11, 5/11, P-2, Japan, (May 12-13, 2015))


  5. Orientation-controlled large-grain SiGe on insulator by gold-induced crystallization at low-temperature for flexible opto-electronics : T. Sadoh, J.-H. Park R. Aoki, M. Miyao, (The 11th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation - INC11, 5/11, P-1, Japan, (May 12-13, 2015))


  6. Thickness dependent solid phase crystallization of amorphous GeSn on insulating substrates : R. Matsumura, M. Sasaki, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao, (the 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI 9, 5/19, P-15021, Canada, (May 17-22, 2015))


  7. Low Temperature (<200oC) position controlled Solid Phase Crystallization of GeSn combined with Laser Anneal Seeding : R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao, (the 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI 9, 5/21, 4.3-3, Canada, (May 17-22, 2015))


  8. Melting Sn Induced Low-Temperature Seeding for Position Controlled Giant GeSn Crystal Arrays : Y. Kai, H.i Chikita, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao, (the 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI 9, 5/21, 4.3-2, Canada, (May 17-22, 2015))


  9. High Sn-Concentration (~8%) GeSn by Low-Temperature (~150°C) Solid-Phase Epitaxy of a-GeSn/c-Ge : T. Sadoh, A. Ooato, J.-H. Park, and M. Miyao, (the 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI 9, 5/19, P-15030, Canada, (May 17-22, 2015))


  10. Low-Temperature (≤300°C) Formation of Orientation-Controlled Large-Grain (≥10 μm) Ge-Rich SiGe on Insulator by Gold-Induced Crystallization : T. Sadoh, J.-H. Park, R. Aoki, and M. Miyao, (the 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI 9, 5/19, P-15084, Canada, (May 17-22, 2015))


  11. Large Single-Crystal Ge-on-Insulator by Thermally-Assisted Si-Seeded-Pulse-Laser Annealing (≤400°C)  : T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, and M. Miyao, (the 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI 9, 5/19, P-15031, Canada, (May 17-22, 2015))


  12. Quasi-Single Crystal SiGe on Insulator by Au-Induced Crystallization for Flexible Electronics : T. Sadoh, J-H Park, R. Aoki, and M. Miyao, The 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, AM-FPD-15, 7/2, P-15, 京都(July 1-3, 2015)


  13. Crystallization of GeSn on insulating substrates by lateral solid-phase crystallization technique : R. Matsumura, K. Moto, H. Chikita, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao, (34回電子材料シンポジウム, 34th Electronic Materials Symposium, EMS2015, 7/16, Th1-10, P, 滋賀, (July 15-17,2015))


  14. Laser-Anneal Seeded Solid-Phase Crystallization for Ultra-Low Temperature Growth of Germanium-Tin : R. Matsumura, K. Moto, H. Chikita, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao, (24th International Materials Research Congress, IMRC2015, 8/18, S7A-O020, Mexico, (Aug. 16-20,2015))


  15. (Invited) Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Sige-on-Insulator with Uniform Lateral Composition, : R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao, (24th International Materials Research Congress, IMRC2015, 8/18, S7A-O025, Mexico, (Aug. 16-20,2015))


  16. Thermally-Stable High Sn Concentration (~9%) GeSn on Insulator by Ultra-Low Temperature (~180°C) Solid-Phase Crystallization Triggered by Laser-Anneal Seeding : R. Matsumura, K. Moto, Y. Kai1, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao, (International Conference on Solid State Devices and Materials2015, SSDM2015, G-5-3, 9/29, Sapporo, (Sep. 27-30, 2015))


  17. Low-Temperature (~150°C) Solid-Phase Epitaxy of a-GeSn/c-Ge for High Non-Equilibrium Substitutional Sn-Concentration GeSn : T. Sadoh, A. Ooato, J.-H. Park, and M. Miyao, (International Conference on Solid State Devices and Materials2015, SSDM2015, G-4-3, 9/29, Sapporo, (Sep. 27-30, 2015)


  18. (Invited) Gold-induced low-temperature (≤300°C) growth of quasi-single crystal SiGe on insulator for advanced flexible electronics : T. Sadoh, J.-H. Park, R. Aoki, M. Miyao, (The 228th ECS Meeting, 103-B-1074, 10/12, U.S.A. (Oct. 11-16, 2015))


  19. Non-thermal equilibrium formation of Ge1-xSnx (0x0.2) crystals on insulator by pulsed laser annealing : K. Moto, R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao, (The 228th ECS Meeting, 105-B-846, 10/14, U.S.A. (Oct. 11-16, 2015))


  20. Ultra-low temperature (~180°C) solid-phase crystallization of GeSn on insulator triggered by laser-anneal seeding : R. Matsumura, K. Moto, Y. Kai, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao, (The 228th ECS Meeting, 105-B-847, 10/14, U.S.A. (Oct. 11-16, 2015))


  21. Effects of Diffusion-Barrier-Patterning on Formation of Position-Controlled Ge-on- Insulator by Gold-Induced Crystallization at Low Temperatures (≤300°C) : R. Aoki, J-H Park, M. Miyao, and T. Sadoh, (2015 International Electron Devices and Materials Symposium, IEDMS 2015, 11/19, Taiwan, (Nov.19-20, 2015))


  22. Analysis and control of Si segregation phenomena to achieve uniform-SiGe crystals on insulator by rapid-melting growth : R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao, (2015 International Electron Devices and Materials Symposium, IEDMS 2015, 11/19, Taiwan, (Nov.19-20, 2015))


  23. Laser-Annealing-Induced Crystallization of Ge1-xSnx (0≦x≦0.2) on Insulating Substrate : K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M.u Miyao, (2015 International Electron Devices and Materials Symposium, IEDMS 2015, 11/19, Taiwan, (Nov.19-20, 2015))


  24. GeSn/絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法(3)- パルスレーザーアニール・シーディングの検討 - Laser Annealed Seeding Solid Phase Crystallization of GeSn on Insulator (3) : 松村 亮,知北大典,佐道泰造,池上 浩,宮尾正信 (第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,(311-14日,2015))


  25. 絶縁基板上におけるGeSnの極低温固相成長 - Sn濃度GeSnの形成 - Realization of high Sn concentration GeSn on Insulator by solid-phase technique : 松村 , 佐々木雅也, 知北大典, 甲斐友樹, 佐道泰造, 宮尾正信 (第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,(311-14日,2015))


  26. 金誘起低温層交換法による高Ge組成(50%)SiGe/絶縁膜の大粒径・方位制御成長(300):Formation of orientation-controlled large-grain Ge-rich SiGe on insulator by gold-induced layer-exchange low-temperature crystallization (≤300°C) : 鍾爀,青木陸太,宮尾正信,佐道泰造(第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,(311-14日,2015))


  27. GeSn/絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法(2)-Sn濃度の横方向分布- : Seeded Lateral Solid-Phase Crystallization of GeSn/Insulator (2) : 甲斐友樹, 知北大典, 松村 , 佐道泰造, 宮尾正信 (第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,(311-14日,2015))


  28.  GeSn/絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法(1)-種付け効果に与えるアイランド構造の影響- : Seeded Lateral Solid-Phase Crystallization of GeSn/Insulator (1) : 甲斐友樹, 知北大典, 松村 , 佐道泰造, 宮尾正信 (第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,(311-14日,2015))


  29. フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長 Lateral Solid-phase Crystallization of GeSn on Insulator for Flexible Electronics,松村 , 知北大典, 甲斐友樹, 佐々木雅也, 佐道泰造, 池上 浩, 宮尾正信 (電子情報通信学会研究会, 2015-04-OME-SDM, 4/30, No.12, 石垣,(429-30日,2015)


  30. パルスレーザーアニールによる非晶質GeSn/絶縁膜の非熱平衡成長:Non-thermal equilibrium crystallization of amorphous GeSn on insulator by pulsed laser annealing : 茂藤健太,松村 亮,佐道泰造,池上 浩,宮尾正信 (第76回応用物理学会秋季学術講演会,13a-2W-6, 9/13, 名古屋,(913-162015))


  31. 局所的金誘起低温層交換法による擬似単結晶Ge/絶縁基板の位置制御成長(300) : Formation of position-controlled pseudo-single crystal Ge on insulator by local gold -induced layer-exchange crystallization (≤300°C) :青木陸太,朴 鍾爀,宮尾正信,佐道泰造 (第76回応用物理学会秋季学術講演会,13a-2W-2, 9/13, 名古屋,(913-16日,2015))


  32. 次世代エレクトロニクス実現に向けたGeSn/絶縁基板の創成 ~パルスレーザーアニールによる非熱平衡成長~ : Formation of GeSn on Insulator for Advanced Electronics ~ Non-Thermal Equilibrium Growth by Pulsed Laser Annealing ~ 茂藤健太,松村 亮,宮尾正信,池上 浩,佐道泰造,( 第7回 半導体材料・デバイスフォーラム,O-7,熊本,(1114日,2015))


  33. フレキシブルエレクトロニクスの実現に向けたGe(Sn)/絶縁基板の極低温金属誘起成長 : Metal-induced crystallization of Ge(Sn) on insulating substrates for realization of flexible electronics 酒井崇嗣,松村 亮,宮尾正信,角田 功,佐道泰造,( 第7回 半導体材料・デバイスフォーラム,P-13 熊本,(1114日,2015))


  34. 拡散障壁パターニングを用いた金誘起低温層交換法による大粒径Ge/絶縁基板の位置制御 : Position-control of large-grain Ge on insulator by gold-induced layer-exchange crystallization combined with diffusion barrier patterning : 田中尊大,青木陸太,朴 鍾爀 ,宮尾正信,佐道泰造 ( 平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会,沖縄,(125-6日,2015))


  35. 金属触媒を用いたa-GeSn/絶縁膜基板の極低温(150)横方向成長: Ultra-low temperature, metal-induced lateral growth of a-GeSn on insulating substrate:酒井崇嗣,松村 亮,佐道泰造,角田 功,宮尾正信,  ( 平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会,沖縄,(125-6日,2015))


【2014年】

  1. Influences of Sn on low-temperature crystallization of a-GeSn mixed or a-Ge/Sn stacked layer on crystal substrate : H. Chikita, R. Matsumura, Y. Kinoshita, A. Ooato, T. Sadoh and M. Miyao, (7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, JAPAN, (Jan. 27-28, 2014))


  2.  (Invited) Orientation-Controlled Large-Grain SiGe Crystal on Flexible Substrate by Low -Temperature Metal-Induced Crystallization : T. Sadoh, J.-H. Park, and M. Miyao, (7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, JAPAN, (Jan. 27-28, 2014))


  3. Dynamic control of lateral crystallization for Group IV mixed-crystal semiconductor on insulating substrate : R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao, (7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, JAPAN, (Jan. 27-28, 2014))


  4. Formation of Large Grain Ge single crystal on Insulating substrate by Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-Ge(Sn) : R. Matsumura, Y. Kai, H. Chikita, T. Sadoh, M. Miyao, (The Electrochemical Society, 225th ECS Meeting, 5/13, P2-1462, Orlando, U.S.A., (May 11-16, 2014))


  5. (Invited) Ultralow-Temperature Catalyst-Induced-Crystallization of SiGe on Plastic for Flexible Electronics : T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao, (7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, 2014 ISTDM, 6/3, 6-1, Singapore, (June 2-4, 2014))


  6. Effect of Sn-doped Ge Insertion Layers on Epitaxial Growth of Ferromagnetic Fe3Si Films on a Flexible Substrate : H. Higashi, Y. Fujita, M. Kawano, J. Hirayama, S. Yamada, Jong-Hyeok Park, T. Sadoh, M. Miyao, and K. Hamaya, (7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, 2014 ISTDM, 6/3, 7-3, Singapore, (June 2-4, 2014))


  7. Sn-enhanced low-temperature crystallization of a-GeSn/c-Si Stacked Structure for high-quality SiGe on Si platform : H. Chikita, R. Matsumura, Y. Kinoshita, A. Ooato, T. Sadoh, and M. Miyao, (7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, 2014 ISTDM, 6/3, P16, Singapore, (June 2-4, 2014))


  8. Self-organized-seeding process for melt-back lateral-growth of group-IV mixed-crystal on insulator : R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao, (7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, 2014 ISTDM, 6/3, P15, Singapore, (June 2-4, 2014))


  9. Formation of Quasi-Single-Crystal Ge on Plastic by Nucleation-Controlled Au-Induced Layer-Exchange Growth for Flexible Electronics : Jong-Hyeok Park, M. Miyao, and T. Sadoh, (The 21th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, AM-FPD 14, 7/4, 3-4, Kyoto, Japan, (July 2-4, 2014))


  10. (Invited) Composite-Structures of Single-Crystalline Ge(SiSn) and Amorphous Insulator on Si Platform for Multi-Functional Transistors by Self-Organized Processing : M. Miyao, R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, (The Twenty-second Annual International Conference on Composites-Nano Engineering , ICCE-22, 7/14, 1b-3, 2014, Malta, (July 13-19, 2014))


  11. Low-Temperature Formation of Atomically-Controlled GeSn Thin-Films on SiGe Virtual -Substrate by Liquid-Solid Coexisting Annealing : H. Chikita, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao, (The Twenty-second Annual International Conference on Composites-Nano Engineering , ICCE-22, 7/14, 1b-4, 2014, Malta, (July 13-19, 2014))


  12. Self-Organized Crystallization of Group IV Mixed-Crystal Semiconductors on Insulating Substrate for Advanced Thin-Film-Transistors : R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, M. Miyao, (The Twenty-second Annual International Conference on Composites-Nano Engineering , ICCE-22, 7/14, 1b-5, 2014, Malta, (July 13-19, 2014))


  13. Formation of Large Grain Ge on Insulator Structure by Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-GeSn : Y. Kai, R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao, (International Union of Materials Research Societies The IUMRS International Conference in Asia 2014, IUMRS-ICA, D5-O26-005, 8/26, Fukuoka, Japan, (Aug. 24-30, 2014))


  14. Melting-Sn Induced Seeding-Processing for Low-Temperature Lateral-Crystallization of a-GeSn on Insulating Substrate : H. Chikita, R. Matsumura, Y. Kai, T. Sadoh,andM. Miyao, (International Conference on Solid State Devices and Materials2014, SSDM2014, 9/11, C-8-4, Tsukuba, Japan, (Sep. 8-11, 2014))


  15. Formation of Large-Grain Ge-Based Group-IV Crystals on Insulator by Seedless Rapid-Melting Growth in Solid-Liquid-Coexisting Temperature Region : R. Matsumura, Y. Kai, H.Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao, (International Conference on Solid State Devices and Materials2014, SSDM2014, 9/11, C-8-5, Tsukuba, Japan, (Sep. 8-11, 2014))


  16. Orientation-Controlled Large-Grain SiGe on Flexible Substrate by Nucleation-Controlled Gold-Induced Crystallization : Jong-Hyeok Park, M. Miyao, and T. Sadoh, (International Conference on Solid State Devices and Materials2014, SSDM2014, 9/10, C-4-2, Tsukuba, Japan, (Sep. 8-11, 2014))


  17. (Invited) Self-Organized Technologies of  Group-IV Based Hetero-Semiconductors on Insulator for Multi-Functional Devices : M. Miyao, Jong-Hyeok PARK, T. Sadoh, (The International Conference on Thin Films2014, ICTF-16, 10/13, T11-INV6, Croatia, (Oct. 13-16, 2014))


  18. Low-Temperature Gold-Induced Crystallization of Orientation Controlled Sige on Plastic  for Flexible Electronics : T. Sadoh, M. Miyao, (The International Conference on Thin Films2014, ICTF-16, 10/13, T11-OR17, Croatia, (Oct. 13-16, 2014))


  19. (Invited) Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Large-Grain and Uniform -Composition SiGe on Insulator : T. Sadoh, Y. Kai, H. Chikita, R. Matsumura, and M. Miyao, (JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 2014, JSPS-imec 2014, Talk 4.1, 11/13, Belgium, (Nov. 13-14, 2014)


  20. Low-Temperature Crystallization of a-GeSn on Insulating Films for Next-Generation Flexible Electronics(1) Characteristics of Solid Phase Crystallization : R. Matsumura, H. Chikita, M. Sasaki, T. Sadoh, and M. Miyao, (2014 International Electron Devices and Materials Symposium, IEDMS 2014, #1111, 11/20, Taiwan, (Nov. 20-21, 2014))


  21. Low Temperature Crystallization of a-GeSn on Insulating Films for Next Generation Flexible Electronics - (2) Positioning Control of Nucleation – H. Chikita, R. Matsumura, Y. Kai, T. Sadoh, and M. Miyao, (2014 International Electron Devices and Materials Symposium, IEDMS 2014, #1190, 11/21, Taiwan, (Nov. 20-21, 2014))


  22. Large-Grain Ge-on-Insulator Structure by Rapid-Melting Growth of a-GeSn : Y. Kai, R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao, (2014 International Electron Devices and Materials Symposium, IEDMS 2014, #1197, 11/20, Taiwan, (Nov. 20-21, 2014))


  23. ガラス基板上におけるSnドットの自己組織的形成-横方向固相成長のリソグラフィーレス化:Self-organized formation of Sn dots on glass substrate - Lateral solid phase crystallization by lithography-less process- 松村 亮,知北大典,佐道泰造,宮尾正信,(第61回応用物理学会春季学術講演会,18a-F6-63/18,神奈川,2014317- 20


  24. 非晶質GeSn/Ge基板の低温固相エピタキシャル成長-低温成長による非平衡Sn濃度の向上-Solid-Phase Epitaxy of a-GeSn/c-Ge at Low Temperatures : 大跡 明,朴爀,宮尾正信,佐道泰造,(第61回応用物理学会春季学術講演会,18a-F6-83/18,神奈川,2014317- 20


  25. ガラス基板上におけるGeSnの横方向固相成長(50 μm)Sn溶融による核の極低温形成(250) : Lateral solid phase crystallization (> 50 μm) of GeSn on glass substrate - Low temperature (< 250oC) formation of nuclei by Sn melting- 知北大典, 松村 , 木下侑紀, 佐道泰造, 宮尾正信,(第61回応用物理学会春季学術講演会,18a-F6-53/18,神奈川,2014317- 20


  26. a-GeSn/絶縁膜構造の固液共存アニールによる大粒径Ge(Sn)成長 表面モホロジの初期Sn濃度依存性 : Formation of Large Grain Ge(Sn) by Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-GeSn on Insulator Structure Effects of initial Sn concentration on morphology 甲斐友樹, 知北大典, 松村 , 佐道泰造, 宮尾 正信,(第61回応用物理学会春季学術講演会,18a-F6-73/18,神奈川,2014317- 20


  27. 交換法による大粒径Ge 結晶/プラスチックの直接成長-フレキシブル基板上における高移動度の実現-:Direct-Formation of Large-Grain Ge on Plastic Sheet by Layer -Exchange Crystallization 朴鍾爀,笠原健司,浜屋宏平,宮尾正信,佐道泰造,(第61回応用物理学会春季学術講演会,18a-F6-43/18,神奈川,2014317- 20


  28. Highly efficient detection of pure spin currents in n-Ge using L21-Co2FeSi Heusle r-compound electrodes : Y. Fujita, K. Kasahara, S. Yamada, K. Sawano, M. Miyao, and K. Hamaya, (第61回応用物理学会春季学術講演会,17a-E7-523/17,神奈川,2014317- 20


  29. 新しいⅣ族系半導体結晶薄膜の低温成長技術への期待 : Expectation for Low -Temperature Growth Technique of Group-IV Semiconductors on Insulator : 佐道泰造, (第75回応用物理学会秋季学術講演会,9/17, 17p-A19-1, 北海道,2014917-20日)


  30. 絶縁基板上におけるa-GeSnの極低温横方向固相成長(250) -極低温Sn溶融核による位置制御-: Ultra-low temperature (<250oC) lateral solid-phase crystallization of GeSn on insulating substrate -Position control by low temperature melting Sn nuclei- :知北大典, 松村 , 甲斐友樹, 佐道泰造, 宮尾正信, (第75回応用物理学会秋季学術講演会,北海道,9/19, 19p-A16-12, 2014917-20日)


  31. 高性能フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起交換成長法によるSiGe混晶の極低温成長と方位制御:Ultra-low temperature (≤ 250oC) formation of orientation -controlled SiGe mixed crystals by gold-induced crystallization for advanced flexible electronics :  朴鍾爀,宮尾正信,佐道泰造,(第75回応用物理学会秋季学術講演会,北海道,9/17, 17p-A19-9, 2014917-20日)


  32. 絶縁基板上におけるa-GeSnの極低温・高速固相成長(<250oC) : High-Speed Solid-Phase Crystallization of a-GeSn at Ultra-Low Temperature (<250oC) on Insulating Substrate : 松村 , 佐々木雅也, 知北大典, 甲斐友樹, 佐道泰造, 宮尾正信, (第75回応用物理学会秋季学術講演会,北海道,9/19, 19p-A16-13, 2014917-20日)


  33. Al誘起層交換成長の物理 〜Siの面方位制御を目指して: Physics of Al-induced crystallization -- Aiming for an orientation control of silicon -- : 黒澤昌志 佐道泰造, 宮尾正信, (第75回応用物理学会秋季学術講演会,北海道,9/17, 17p-A19-8, 2014917-20日)


  34. フレキシブル基板上における低温SiGe擬似単結晶成長技術 :Low-temperature growth technique of quasi-single crystalline SiGe on plastic sheets for advanced flexible electronics : 佐道泰造 (九州大学 新技術説明会 New Technology Presentation Meetings 東京,42014107日)


  35. 極低温固相成長法による高Sn濃度GeSnの形 : Formation of high-Sn-concentration GeSn by ultra-low temperature solid-phase crystallization : 佐々木雅也, 松村 , 知北 大典, 甲斐友樹, 宮尾正信, 佐道泰造 (平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分,2014126-7


  36. 位置制御固相法によるa-GeSnの極低温横方向成長 甲斐友樹, 知北大典, 松村 亮 , 宮尾正信, 佐道泰造  (平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分,2014126-7日)


  37. シーディング固相成長法によるGeSn/絶縁膜の極低温形成:Low Temperature fabrication of GeSn on Insulating Substrates by Seeding Solid Phase Crystallization : 甲斐友樹, 知北 大典, 松村 亮, 宮尾正信, 佐道泰造 (第6回半導体材料・デバイスフォーラム, 宮崎,P-07, 20141221日)


【2013年】

  1.    (Invited) Recent Progress of Rapid-Melting-Growth for Laterally-Graded, Ge-Based Mixed-Crystals on Insurator : T. Sadoh and M. Miyao, (6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, 仙台ワークショップ, B-2, 2/22, Sendai, Japan, Feb. 22-23, 2013))


  2. 3-Dimensionally-Graded SiGe-on-Insulator Stacked Structures by Successive Rapid -Melting Growth : Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao, (The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8, P1-15 , 6/3, Fukuoka, Japan, ( June 2-7, 2013))


  3. Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization : T. Sadoh, M. Kurosawa, K. Toko, and M. Miyao, (The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8, A6-1, 6/4, Fukuoka, Japan, ( June 2-7, 2013))


  4. Single-Crystalline SiGe Stripes on Insulating Substrate by Segregation-Free Rapid -Melting-Growth : R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, T. Sadoh, and M. Miyao, (The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8, P1-2, 6/3, Fukuoka, Japan, ( June 2-7, 2013))


  5. Dynamics Analysis of Rapid-Melting Growth Using SiGe on Insulat : R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, M. Miyao, (The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8, A6-3, 6/4, Fukuoka, Japan, ( June 2-7, 2013))


  6. Laterally-Graded P-Doping in GOI Structure by Ion-Implantation and Rapid- Melting- Growth : R. Matsumura, Mohammad Anisuzzaman, T. Sadoh, and M. Miyao, (The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8, P1-29, 6/3,  Fukuoka, Japan, ( June 2-7, 2013))


  7. Melting-Induced-Mixing in a-Ge/Sn/c-Ge Structures for Sn-Doped Ge Films : Y. Kinoshita, Y. Tojo, R. Matsumura, T. Sadoh, T. Nishimura, and M. Miyao, (The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8, P1-41 , 6/3, Fukuoka, Japan, ( June 2-7, 2013))


  8. Low-Temperature Formation of SiGe Crystals by Partial-Melting Method in a-GeSn /Si(100) Structure : H. Chikita, R. Matsumura, Y. Tojo, Y. Kinoshita, T. Sadoh, and M. Miyao, (The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8, P1-43 , 6/3, Fukuoka, Japan, ( June 2-7, 2013))


  9. Ge-Diffusion-Controlled Gold-Induced Crystallization of (100)- or (111)-Oriented Ge for Flexible Electronics : Jong-Hyeok Park, T. Suzuki, A. Ooato, M. Miyao, and T. Sadoh, (The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8, P1-3, 6/3, Fukuoka, Japan, ( June 2-7, 2013))


  10. Low-Temperature Formation (~150oC) of Ge on Insulator through Layer-Exchange of Ge/Sn Stacked-Structures : A. Ooato, T. Suzuki, J.-H. Park, M. Miyao, and T. Sadoh, (The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8, P1-44 , 6/3, Fukuoka, Japan, ( June 2-7, 2013))


  11. In-Depth Analysis of High-Quality Ge-on-Insulator Structure Formed by Rapid-Melting Growth : H. Chikita, R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, T. Sadoh, M. Miyao (The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8, P1-28, 6/3, Fukuoka, Japan, ( June 2-7, 2013))


  12. Orientation-Stabilization of Ge(111) on Insulator by Nano-Patterning in Rapid-Melting Growth : M. Anisuzzaman, S. Muta, M. Takahashi, A.M.Hashim, M. Miyao, and T. Sadoh, (The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8, P2-4, 6/4, Fukuoka, Japan, ( June 2-7, 2013))


  13. (Invited) Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth using RTA Technique : I. Mizushima, T. Sadoh and M. Miyao, (13th International Workshop on Junction Technology 2013, IWJT2013, S3-1, 6/6, Kyoto, Japan, (June 6 - 7, 2013))


  14. High-Quality Ge-Networks on Insulator by Liquid-Phase Lateral-Epitaxy : T. Sadoh, R. Matsumura, Jong-Hyeok Park, and M. Miyao, (The 55th Electronic Materials Conference : EMC 2013, X7 , 6/27, South Bend, U.S.A., (June 26-28, 2013))


  15. Ultra-Low-Temperature Formation of (100)- or (111)-Oriented Ge on Insulator for Flexible Electronics : Jong-Hyeok Park, T. Suzuki, A. Ooato, M. Miyao, and T. Sadoh, (The 55th Electronic Materials Conference : EMC 2013, 1 , 6/28, South Bend, U.S.A., (June 26-28, 2013))


  16. Laterally Graded SiGe-Profiles on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting Technique : R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao, (The 55th Electronic Materials Conference : EMC 2013, 4 , 6/28, South Bend, U.S.A., (June 26-28, 2013))


  17. Cooling-Rate-Controlled Rapid-Melting-Growth for Giant-Single-Crystal SiGe on Insulator : R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, T. Sadoh, and M. Miyao, (The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy , ICCGE-17, 8/Warsaw, Poland, (Aug. 11-16, 2013))


  18. Selective-Growth of (100)- and (111)- Ge Thin-Films on Insulator by Interfacial–Energy -Controlled Metal-Induced-Crystallization : Jong-Hyeok Park, T. Suzuki, A. Ooato, M. Miyao, and T. Sadoh, (The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy , ICCGE-17, Warsaw,  Poland, (Aug. 11-16, 2013))


  19.  (Invited) Hybrid-Formation of Single-Crystalline Ge(Si,Sn)-on-Insulator Structures by Self-Organized Melting-Growth : M. Miyao, R. Matsumura, M. Kurosawa, K. Toko, and T. Sadoh, (International Conference on Solid State Devices and Materials2013, SSDM2013, P-2-1, 9/25, Fukuoka, Japan, (Sept. 24-27, 2013))


  20. Segregation-Free Giant Single-Crystalline SiGe-on-Insulator by Super-Cooling-Controlled Rapid-Melting Growth : R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, T. Sadoh, and M. Miyao, ( International Conference on Solid State Devices and Materials2013, SSDM2013, P-2-2, 9/25, Fukuoka, Japan, (Sept. 24-27, 2013))


  21. Low-Temperature (~300oC) Epitaxial-Growth of SiGe(Sn) on Si-Platform by Liquid-Solid Coexisting Annealing : H. Chikita, R. Matsumura, Y. Tojo, Y. Kinoshita, T. Sadoh, and M. Miyao, ( International Conference on Solid State Devices and Materials2013, SSDM2013, P-2-4, 9/25, Fukuoka, Japan, (Sept. 24-27, 2013))


  22. (Invited) Low-Temperature Metal-Induced Crystallization of Orientation-Controlled SiGe on Insulator for Flexible Electronics : T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao, (The Electrochemical Society, 224th ECS Meeting, E12-2229, 10/29, San Francisco, U.S.A., (Oct.27-Nov.1, 2013))


  23. High-Quality Hybrid-GeSn/Ge Stacked-Structures by Low-Temperature -Induced-Melting Growth : Y. Kinoshita, R. Matsumura, T. Sadoh, T. Nishimura and M. Miyao, (The Electrochemical Society, 224th ECS Meeting, E12-2233, 10/29, San Francisco, U.S.A., (Oct.27-Nov.1, 2013))


  24. Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-GeSn/Si(100) Structure for Low Temperature Epitaxial Growth of SiGe, H. Chikita, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao, (The Electrochemical Society, 224th ECS Meeting, E12-2238, 10/29, San Francisco, U.S.A., (Oct.27-Nov.1, 2013))


  25. Formation of Orientation-Controlled Thin (~50 nm) Ge(111)-on-Insulator by Rapid- Melting Growth Combined with Narrow-Striping : S. Muta, M. Anisuzzaman, .M.Hashim,  and T. Sadoh, (26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, MNC 2013, 7D-5-4 , 11/7, Sapporo, Japan, (Nov. 5-8, 2013))


  26. Formation of  giant SiGe crystals on insulator by self-organized-seeding rapid-melting growth : R. Matsumura, H. Chikita,T. Sadoh, M. Miyao, (2013 2nd International Symposium on Quantum, Nano and Micro Technologies, ISQNM 2013, 030, 12/2, Singapore, (Dec. 1-2, 2013))


  27. Low Temperature (~300oC) Epitaxial Growth of SiGe by Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-GeSn/Si(100) Structure : H. Chikita, R. Matsumura, T. Sadohc, and M. Miyao, (2013 2nd International Symposium on Quantum, Nano and Micro Technologies, ISQNM 2013, 031, 12/2, Singapore, (Dec. 1-2, 2013))


  28. Narrowing-Induced Orientation-Stabilization in Rapid-Melting Growth of Ge-on- Insulator : S. Muta, M. Anisuzzaman, A.M.Hashim, and T. Sadoh, (International Conference in Asia 2013, IUMRS-ICA 2013, 12/18. 01-P-11, Bangalore, India, (Dec.16-20))


  29. シードレス溶融成長法による偏析フリー大粒径SiGe の形成 : Formation of segregation-free large-grain SiGe crystals on insulator by rapid melting growth : 加藤立奨,松村亮,東條友樹,佐道泰造,宮尾正信,(2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,神奈川27p-G20-102013327 30日)


  30. ナノワイヤー化によるGOI(111)溶融成長の結晶方位安定化 : Stabilization of GOI(111) Melting-Growth by Narrowing Strip Width: 牟田俊平, 高橋雅尚, モハマド アニスッザマン, 宮尾正信, 佐道泰造,(2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,27p-G20-82013327 30日)


  31. 絶縁基板上に形成したa-Ge/Sn 積層構造におけるGe の極低温成長 : Low-Temperature Growth of Ge in a-Ge/Sn Stacked-Structures on Insulator : 大跡 , 鈴木恒晴,朴 鍾爀, 宮尾正信,佐道泰造,(2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,29p-A3-12013327 30日)


  32. a-Ge/Sn/Ge基板における結晶化とSn再分布: Redistribution of Sn through Crystallizationof a-Ge/Sn/c-Ge Structure : 東條友樹, 木下侑紀, 松村 , 西村智朗, 佐道泰造, 宮尾正信,(2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,27p-G20-62013327 30日)


  33. a-Ge1-xSnx/Si(100)構造における低温SiGeミキシング : Low Temperature SiGe Mixing ina-Ge1-xSnx/Si(100)Structure : 知北大典, 松村 , 東條友樹, 木下侑紀, 佐道泰造,宮尾正信,(2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,27p-G20-72013327 30日)


  34. (招待講演)Si1-xGex/絶縁膜(x:01)の金属触媒成長 -成長低温化と結晶方位制御- : Metal-Induced Crystallization of SiGe on Insulator : 佐道泰造, 鍾爀, 黒澤昌志, 都甲 , 宮尾正信, 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,29p-B8-42013327 30日)


  35. SiGeミキシング誘起溶融成長法における成長速度の解析電気的特性の横方向分布との相関― : Growth Velocity during SiGe-Mixing-Triggerd Rapid-Melting-Growth -Correlation with Lateral Profile of Electrical Properties- : 松村 亮,東條友樹,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信, 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,27p-G20-92013327 30日)


  36. 溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成 : 松村 亮, 佐道泰造, 宮尾正信 (電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会,25-5, 屋久島, 2013425-26)


  37. a-GeSn/c-Si構造の固液共存アニールによる極低温SiGe(Sn)成長: Low Temperature SiGe(Sn) Growth in a-GeSn/c-Si Structure by Liquid-Solid Coexisting Annealing : 知北 大典, 松村 , 木下 侑紀, 甲斐 友樹, 佐道 泰造, 宮尾 正信, 2013 74回応用物理学会秋季学術講演会,18a-B4-5, 9/18, 京都,2013916-20日)


  38. a-GeSn/絶縁膜構造の固液共存アニールによる大粒径Ge(Sn)成長 : Formation of Large Grain Ge(Sn) on Insulator by Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-GeSn/Insulator Structure : 甲斐 友樹, 知北 大典, 松村 , 佐道 泰造, 宮尾 正信, 2013 74回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-B4-6, 9/18, 京都,2013916-20日)


  39. a-Ge/Sn/半導体 構造における自己組織的溶融帯成長 : Self-Organized Zone-Melting Growth by Using a-Ge/Sn/Semiconductor Stacked Structures : 木下侑紀, 松村亮, 佐道泰造, 宮尾正信, 2013 74回応用物理学会秋季学術講演会,18a-B4-4, 9/18, 京都,2013916-20日)


  40. 高性能フレキシブル・エレクトロニクスの創成に向けた絶縁膜上における擬似単結晶Ge の触媒誘起低温成長 : Low-Temperature Formation of Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Metal-Induced Crystallization for Advanced Flexible Electronics 鍾爀, 鈴木恒晴, 宮尾正信, 佐道泰造, (第5回半導体材料・デバイスフォーラム,熊本,P-1, 20131116日)


  41. 溶融成長法による次世代半導体基板(Ge-on-Insulator)の実現:Formation of next-generation semiconductor substrate (Ge-on-Insulator) by rapid-melting growth : 松村 亮,佐道泰造,宮尾正信, (第5回半導体材料・デバイスフォーラム,熊本,2O-6, 20131116日)


  42. Formation of (111)-oriented large-grain Ge on insulator at low-temperature by gold-induced crystallization technique : J. Park, T. Suzuki , M. Miyao, and T. Sadoh, (AWAD 2012, Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of. Advanced Semiconductor Devices. Naha, Japan, (June 27 ? 29, 2012))


【2012年】

  1. Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth : Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao, (AWAD 2012, Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of. Advanced Semiconductor Devices. Naha, Japan, (June 27 ? 29, 2012))


  2. Formation of (111)-oriented large-grain Ge on insulator at low-temperature by gold-induced crystallization technique : J. Park, T. Suzuki , M. Miyao, and T. Sadoh, (AWAD 2012, Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of. Advanced Semiconductor Devices. Naha, Japan, (June 27 ? 29, 2012))


  3. (111)-Oriented Large-Grain Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Interfacial Layer Insertion :  J. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao,and T. Sadoh, (Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, AM-FPD 2012, Kyoto, Japan, (July4-6, 2012))


  4. Formation of Nanostructured Germanium-on-Insulator for Integration of Multi-Functional Materials on a Panel : M. Anisuzzaman, S. Muta, A. M. Hashim, M. Miyao, and T. Sadoh, (Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, AM-FPD 2012, Kyoto, Japan, (July4-6, 2012))


  5. Defect Free Multi-Structures of [SiGe/Insulator]2 on Si (100) platform :Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao, (E-MRS 2012 Fall Meeting, E-XIII-3,Warsaw, Poland, (Sep. 17-21, 2012))


  6. Stripe-Length Dependent Laterally Graded SiGe Profiles by Rapid-Melting-Growth : R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, M. Miyao, (E-MRS 2012 Fall Meeting, E-XIII-1,Warsaw, Poland, (Sep. 17-21, 2012))


  7. Si Segregation Behavior in Giant SiGe Stripes on Insulator during Rapid-Melting-Growth : R. Matsumura, Y. Tojo, H.Yokoyama, M.Kurosawa, T.Sadoh and M.Miyao, (IUMRS-ICEM2012 International Conference on Electronic Materials 2012 , Yokohama, Japan, (Sep. 23 - 28, 2012))


  8. Formation of N-Type Ge-on-Insulator through P-Implantation and Rapid-Melting Growth, : R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Anisuzzaman, T. Sadoh, and M. Miyao, (IUMRS-ICEM2012 International Conference on Electronic Materials 2012 , Yokohama, Japan, (Sep. 23 - 28, 2012))


  9. Laterally Graded SiGe-on-Insulator with Universal Si Profile by Cooling-Rate-Controlled Rapid-Melting-Growth : R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao, (SSDM2012, International Conference on Solid State Devices and Materials2012, Kyoto, Japan, (September 25-27, 2012 ))


  10. SiGeミキシング誘起溶融成長法によるGOIテンプレートの形成Formation of GOI Template by SiGe Mixing-Triggered Melting-Growth :牟田俊平,モハマドアニスッザマン,マナフビンハシム,宮尾正信,佐道泰造,2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,17p-A6-9, 3/17, 2012315日~18日)

  11. Temperature dependent Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on glass substrates : K. Toko, M. Kurosawa, N. Fukata, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, M. Miyao, and T. Suemasu, (SSDM2012, International Conference on Solid State Devices and Materials2012, I-2-3, 9/25, Kyoto, Japan, (September 25-27, 2012 ))
  12. Low-temperature Crystallization of a-Si, a-Ge and a-Si1-xGex Films by Soft X-ray Irradiation : A. Heya, S. Kino, N. Matsuo, K. Kanda, S. Miyamoto, S. Amano, T. Mochizuki,  K. Toko,  T. Sadoh and M. Miyao, (SSDM2012, International Conference on Solid State Devices and Materials2012, I-2-5, 9/25, Kyoto, Japan, (September 25-27, 2012 ))

  13. (招待講演)Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal --- : M. Miyao, M. Kurosawa, K. Toko, Y. Tojo, and T. Sadoh, (PRiME 2012, ECS Pacific RIM Meeting 2012, E6-2635, 10/9, Hawaii, U.S.A. , (October 7-12, 2012))

  14. Formation of large-grain Ge(111) films on insulator by gold-induced layer-exchange crystallization at low temperature : Jong-Hyeok Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh, (PRiME 2012, ECS Pacific RIM Meeting 2012, E17-3157, 10/9, Hawaii, U.S.A. , (October 7-12, 2012))

  15. Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting-Growth : R. Matsumura, Y. Tojo,  H. Yokoyama,  M. Kurosawa, T. Sadoh and M. Miyao, (PRiME 2012, ECS Pacific RIM Meeting 2012, E17-3195, Hawaii, U.S.A. , (October 7-12, 2012))

  16. Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process : R. Kato, M. Kurosawa, R. Matsumura, T. Sadoh and M. Miyao, (PRiME 2012, ECS Pacific RIM Meeting 2012, E17-3149, 10/10, Hawaii, U.S.A. , (October 7-12, 2012))

  17. Orientation-Stabilized Lateral-Growth of Ge-on-Insulator Nano-Wires by Rapid-Melting-Process : M. Anisuzzaman, M. Miyao, and T. Sadoh, (25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, MNC2012, Kobe, Japan, (Oct.30-Nov.2, 2012))


  18. 溶融成長法による面方位ハイブリッドGOI構造の創製 ~Si基板上へのGe(100), (110), (111)混載~ : Creation of hybrid-orientation GOI structures by rapid melting growth ~ (100), (110), (111) Ge growth on Si(100) substrate ~ :黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信,(2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,16p-F11-6, 3/16, 2012315日~18日)

  19. 溶融横方向成長による傾斜構造GeSn/絶縁膜の形成Formation of Sn-concentration-graded GeSn structures by rapid melting growth :黒澤昌志,東條友樹,松村,宮尾正信,2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,16p-F11-14, 3/17, 2012315日~18日)


  20. 溶融SiGe成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成成長速度と偏析現象 Formation of Graded SiGe on Insulator Structure by SiGe Rapid Melting Growth -Growth velocity effect on segregation- :松村 亮,東條友樹,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信,2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,16p-F11-16, 3/16, 2012315日~18日)


  21. レーザーアニール法によるGOI(Ge on Insulator)構造の形成: Formation of GOI (Ge on Insulator) by laser annealin :横山裕之,東條友樹,黒澤昌志,佐道泰造,部家,松尾直人,宮尾正信,2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,16p-F11-19, 3/16, 2012315日~18日)


  22. 絶縁膜上における燐(P)ドープした非晶質Geの溶融成長: Melting growth of P-doped amorphous Ge on insulator :横山裕之,松村,アニスッザマン・モハマッド,佐道泰造,宮尾正信,2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,16p-F11-15, 3/16, 2012315日~18日)


  23. 全率固溶型SiGe混晶におけるシードレス溶融成長 Seed-less melting growth of SiGe mixed crystal :加藤立奨,黒澤昌志,横山裕之,佐道泰造,宮尾正信,2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,16p-F11-17, 3/16, 2012315日~18日)


  24. SiGeミキシング誘起溶融法における成長流の可視化 -SiGe偏析の活用-: Visualization of Growth Stream in SiGe Mixing-Triggered Melting-Growth -Application of SiGe Segregation- :東條友樹,松村亮,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信,2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,16p-F11-12, 3/16, 2012315日~18日)


  25. 溶融成長法によるSGOI(SiGe on Insulator)多段構造の形成 -Ge/SiO2/SiGe/SiN/Si(100)構造- : Multilayer Structures of SGOI (SiGe on Insulator) by Rapid Melting ?Growth :東條友樹,横山裕之,松村亮,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信,2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,16p-F11-18, 3/16, 2012315日~18日)


  26. A u誘起層交換成長法による大粒径G e ( 1 1 1 )結晶/絶縁膜の形成:界面酸化膜挿入効果 : Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer Exchange Crystallization with Interfacial Modulation :鍾?,鈴木恒晴,黒澤昌志,宮尾正信,佐道泰造,2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,16p-F11-5, 3/16, 2012315日~18日)


  27. 溶融GOIの成長フロント衝突領域におけるコヒーレント格子整合Coherently-Aligned Growth-Front in GOI by Rapid Melting Growth :佐道泰造,黒澤昌志,加藤立奨,東條友樹,大田康晴,都甲薫,宮尾正信,2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,16p-F11-13, 3/16, 2012315日~18日)


  28. 非晶質SiGe多層膜の軟X線照射による結晶化 :木野翔太,野々村勇希,部家 彰,松尾直人,天野 壮,宮本修治,神田一浩,望月孝晏,都甲 薫,佐道泰造,宮尾正信,2012年春季59応用物理学関係連合講演会,東京,17p-A6-8, 3/17, 2012315日~18日)


  29. 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長-界面酸化膜厚依存性-:Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer Exchange Crystallization with Interfacial Oxide Layer: 鈴木恒晴,鍾?,黒澤昌志,宮尾正信,佐道泰造,(電子情報通信学会,シリコン材料・デバイス(SDM)研究会,28-17,那覇,2012427日~28日)


  30. 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 ~Si偏析効果による大粒径化~:Seed-Less Melting Growth of Ge(Si) on InsulatorLarge Grain Formation by Si Segregation-:加藤立奨,黒澤昌志,横山裕之,佐道泰造,宮尾正信,(電子情報通信学会,シリコン材料・デバイス(SDM)研究会,28-14,那覇,2012427日~28日)


  31. 大粒径SiGe結晶/絶縁膜のシードレス溶融成長 : Formation of large SiGe crystals on insulator by seed-less melting growth :加藤立奨,黒澤昌志,松村亮,東條友樹,佐道泰造,宮尾正信, (2012秋季73回応用物理学会学術講演会,  9/13, 13p-J-3,愛媛, 2012911日~14)


  32. 固相成長法による GeSnの形成 : Formation of GeSn by Solid Phase Crystallization :下侑紀 ,東條友樹 ,佐道泰造 佐道泰造 ,宮尾正信,(2012秋季73回応用物理学会学術講演会,  9/13, 13p-J-9,愛媛, 2012911日~14)


  33. SiGe溶融成長によるSGOI構造の濃度制御―Si濃度分布に与える冷却速度効果― :Control of Si concentration profile in SiGe on Insulator formed by SiGe Rapid Melting Growth :松村 亮,東條友樹,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信,(2012秋季73回応用物理学会学術講演会, 9/13, 13p-J-2,愛媛, 2012911日~14)


  34. 溶融エピタキシャル成長法で形成したGOI結晶性の膜厚依存性 :Thickness dependent on crystallinity of GOI formed by melting growth :松村 亮,知北大典、東條友樹,横山裕之,佐道泰造,宮尾正信, (2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 9/13, 13p-J-1,愛媛, 2012911日~14)


  35. Sn触媒を用いた非晶質Ge薄膜/絶縁膜の低温成長 :黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚 理,宮尾正信,財満鎭明, (2012秋季73回応用物理学会学術講演会, 12a-F5-9, 9/12,  愛媛, 2012911日~14)


  36. 非晶質SiGe膜のレーザ結晶化と軟X線照射による膜厚依存性: 木野翔太,野々村勇希,部家 彰,松尾直人,天野 壮,宮本修治,神田一浩,望月孝晏,都甲 薫,佐道泰造,宮尾正信,(2012秋季73回応用物理学会学術講演会, 12a-F5-11, 9/12,  愛媛, 2012911日~14)


  37. Al誘起成長法によるGe薄膜/ガラスの(111)面方位制御 : 都甲 薫,黒澤昌志,深田直樹,齋藤徳之,吉澤徳子,宇佐美徳隆,宮尾正信,末益 崇,(2012秋季73回応用物理学会学術講演会, 13a-J-5, 9/13,愛媛, 2012911日~14)


  38. a-Ge, a-SiGeへの高輝度軟X線照射における光子エネルギーの効果 :丸山裕樹,木野翔太,部家 彰,松尾直人,天野 壮,宮本修治,神田一浩,望月孝晏,都甲 薫,佐道泰造,宮尾正信,(2012秋季73回応用物理学会学術講演会, 13a-J-6, 9/13,愛媛, 2012911日~14)


【2011年】

  1. Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization : M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao (219th ECS Meeting, The Electrochemical Society, Montreal, Canada, (May, 1-8, 2011))

  2. Growth-Direction Dependent Rapid-Melting-Growth of Ge-on-Insulator (GOI) and its Application to Ge Mesh-Growth : H. Yokoyama, Y. Ohta, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao (219th ECS Meeting, The Electrochemical Society, Montreal, Canada, (May, 1-8, 2011))


  3. Au-catalyst Induced Low Temperature (~250) Layer Exchange Crystallization for SiGe On Insulator : J. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh (219th ECS Meeting, The Electrochemical Society, Montreal, Canada, (May, 1-8, 2011)

  4. Orientation Control of (100), (110), (111) Mesh-Patterned GOI Grown by SiGe Mixing-Triggered Rapid Melting Technique : H. Yokoyama, Y. Ohta, K. Toko, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao (7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures , ICSI-7, Sendai, Japan, (May, 22-26, 2011))


  5. Novel Growth-techniques of SiGe-based Hetero-structures for Post-scaling Devices : M. Miyao, T. Sadoh and K. Hamaya (7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures, ICSI-7, Sendai, Japan, (May, 22-26, 2011))

  6. Low-Temperature Formation of (111)Si1-xGex (0<x<1) on Insulator by Al-Induced Crystallization : M. Kurosawa, T. Sadoh, abd M. Miyao (AWAD2011, 2011 Asia Pacific Workshop on Fundametals and Applications of advanced semiconductor devices ,2A.9, Daejeon, Korea, (June 29- July 1 , 2011))


  7. Low-temperature (~250oC) Crystallization of Poly-SiGe Films by Gold-Induced Layer-Exchange Technique for Flexible Electronics : J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, T. Sadoh (AWAD2011, 2011 Asia Pacific Workshop on Fundametals and Applications of advanced semiconductor devices , 2A.10, Daejeon, Korea, (June 29- July 1 , 2011))


  8. Recent Progress of SiGe-based Hetero-structure Technologies for Post-scaling Devices : M. Miyao, T. Sadoh and K. Hamaya (2011 International Workshop on Advanced Electrical Engineering and Related Topics, Ruhr-Universitat Bochum,Germany, (July 11-12, 2011))


  9. (招待講演)Novel Growth-techniques of SiGe-based Hetero-structures for Post-scaling Devices :M. Miyao, T. Sadoh  and K. Hamaya, (ICSI7 2011, 8/29, Leuven, Belgium, (Aug.28-Sep.1, 2011))


  10. Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si-Pillars by Modulation of SiN Network Structures : T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, and M. Miyao, (ICSI7 2011, No.1029, Leuven, Belgium, (Aug.28-Sep.1, 2011))


  11. Single-crystalline (110)-oriented Ge strips on insulating substrates by SiGe-mixing triggered rapid-melting-growth from artificial Si-micro-seeds : M. Kurosawa , N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh and M. Miyao,(ICSI7 2011, No.1024, Leuven, Belgium, (Aug.28-Sep.1, 2011))


  12. Effects of Dose on Activation Characteristics of P in Ge : Mohammad Anisuzzaman and T. Sadoh,(ICSI7 2011, No.1025, Leuven, Belgium, (Aug.28-Sep.1, 2011))


  13. Orientation Control of (100), (110), (111) Mesh-Patterned GOI Grown by SiGe Mixing-Triggered Rapid Melting Technique : H. Yokoyama, Y. Ohta, K. Toko, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao, (ICSI7 2011, 8/29, Leuven, Belgium, (Aug.28-Sep.1, 2011))


  14. Low Temperature (~250 oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex (x=1-0) on Insulator for Advanced Flexible Devices : Jong-Hyeok Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao and T. Sadoh,(ICSI7 2011, No.1037, Leuven, Belgium, (Aug.28-Sep.1, 2011))

  15. Hybrid-Formation of (100), (110), and (111) Ge-on-Insulator Structures on (100) Si Platform : M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao, (2011 International Conference on. Solid State Devices and Materials, SSDM 2011, E6-1, 9/30, Nagoya, Japan, (Sep.28-30, 2011))


  16. (招待講演)Advanced Hetero-epitaxial Growth based on SiGe for Multi-functional Devices : M. Miyao, T. Sadoh and K. Hamaya, (15th International Conference on Thin Films 2011, ICTF-15, 11/8, Kyoto, Japan, (Nov. 8-11, 2011))


  17. Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer-Exchange crystallization with Al2O3 Interfacial Layers : T. Suzuki, Jong-Hyeok Park, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh, (15th International Conference on Thin Films 2011, ICTF-15, P-S2-17, 11/8, Kyoto, Japan, (Nov. 8-11, 2011))

  18. Agglomeration Free GOI Stripe Arrays with Nano-Spacing for Epitaxial Template : A.M.Hashim, M. Anisuzzaman , S. Muta , T. Sadoh and M. Miyao (15th International Conference on Thin Films 2011, ICTF-15, P-S2-18, 11/8, Kyoto, Japan, (Nov. 8-11, 2011))


  19. Catalytic-growth of Si-based thin-films for advanced semiconductor devices : M. Kurosawa, T. Sadoh , and M. Miyao (International Thin Films Conference2011 , TACT 2011, 22-AM-2, Kenting, Taiwan, (Nov.20-23, 2011))


  20. Formation of High-Quality Ge-on-Insulator (GOI) Networks for Next-Generation Large-Scale-Integration (LSI) : Y. Tojo, H. Yokoyam, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao, (International Thin Films Conference2011 , TACT 2011, 22-AM-4, Kenting, Taiwan, (Nov.20-23, 2011))


  21. Orientation-controlled SiGe on insulator for system on panel : M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao (8th International Thin-film Transistor Conference, ITC2012, Lisbon, Portugal, (Jan. 30-31,2011))


  22. エキシマレーザアニールによるSiN誘起ローカル歪みの増強:Enhancement of SiN-Induced Local Strain by Excimer Laser Annealing :佐道泰造,黒澤昌志,部家彰,松尾直人,宮尾正信 (2011年春季58応用物理学関係連合講演会,25a-P3-22,神奈川,2011324日-27日)


  23. 金属誘起反応を用いたSi1-xGex/絶縁膜(x:01)の低温結晶成長:Low-Temperature Crystallization of SiGe on Insulator by Catalytic Effects of Metals :佐道泰造,黒澤昌志,川畑直之,鍾?,都甲,宮尾正信(2011年春季58応用物理学関係連合講演会,24p-BK-10,神奈川,2011324日-27日)


  24. SiGeミキシング誘起溶融成長法による大面積網目状GOIの形成(1) -(100),(110),(111)GOIの方位制御:Large-Area Formation of Mesh-Patterned GOI by SiGe Mixing-Triggered Melting-Growth (1)-Orientation Control of (100), (110), (111) GOI- : 横山裕之,大田康晴,都甲 薫,佐道泰造,宮尾正信(2011年春季 58 応用物理学関係連合講演会,27a-KF-2, 神奈川,2011324日-27日)


  25. 偏光ラマン分光法によるIV族半導体のひずみ評価?1軸・2軸ひずみの分離とその応用?:Strain evaluation of group-IV semiconductors by polarized Raman spectroscopy ~Distinction between uni-/bi-axial strains and its applications~ :黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信(2011年春季58応用物理学関係連合講演会,25a-KC-2,神奈川, 2011324日-27日)


  26. SiGeミキシング誘起溶融成長法とMILC法の重畳による人工単結晶GOI(110)の創製:In-plane rotation-controlled GOI(110) by SiGe-mixing triggered liquid-phase epitaxy combined with metal-induced lateral crystallization :黒澤昌志,川畑直之,加藤立奨,佐道泰造,宮尾正信(2011年春季58応用物理学関係連合講演会,神奈川,27a-KF-5, 2011324日-27日)


  27. SiGeミキシング誘起溶融成長法による大面積網目状GOIの形成(2)―シード領域の極微化― : Large-Area Formation of Mesh-Patterned GOI by SiGe Mixing-Triggered Melting-Growth (2)Shrinkage of Seeding Area―:東條友樹,大田康晴,都甲薫,佐道泰造,宮尾正信(2011年春季58応用物理学関係連合講演会,神奈川,27a-KF-3, 2011324日-27日)


  28. SiGeミキシング誘起溶融成長法によるモザイク状GOIテンプレートの形成とホモエピタキシャル成長Homo-Epitaxial Growth of Ge Layers on Mosaic-GOI (Ge on Insulator) Template Formed by SiGe Mixing Trigered Rapid Melting Growth:横山裕之,都甲薫,東條友樹,坂根尭,佐道泰造,宮尾正信(2011年春季58応用物理学関係連合講演会,神奈川,27a-KF-3, 2011324日-27日)


  29. SiGeミキシング誘起溶融成長法で形成したGOI細線のひずみ評価: Strain evaluation of GOI strips formed by SiGe mixing-triggered liquid-phase epitaxy:加藤立奨,黒澤昌志,都甲薫,佐道泰造,宮尾正信(2011年春季58応用物理学関係連合講演会,神奈川,27a-KF-2, 2011324日-27日)


  30. 次世代フレキシブルデバイスの為の多結晶Si1-xGex(x=0-1)/絶縁膜の極低温層交換成長(~250oC) : Low-Temperature (~250oC) Layer-Exchange Crystallization of Si1-xGex (x=0-1) on Insulator for Next-Generation Flexible Device:朴鍾?,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造(2011年春季58応用物理学関係連合講演会,24a-P2-8,神奈川,2011324日-27日)


  31. X線照射による半導体薄膜の低温結晶化: Low-temperature crystallization of thin film semiconductor by soft X-ray irradiation:部家彰,松尾直人,天野壮,宮本修治,神田一浩,望月孝晏,佐道泰造,宮尾正信(2011年春季58応用物理学関係連合講演会,24p-BK-9,神奈川,2011324日-27日)


  32. X線照射によるa-Si, a-Ge, a-SiGe膜の結晶化 : Crystallization of a-Si, a-Ge and a-SiGe Films by SOR Soft X-ray Irradiation:野々村勇希,部家彰,天野壮,礒田伸哉,宮本修治,神田一浩,松尾直人,望月晏,佐道泰造,宮尾正信(2011年春季58応用物理学関係連合講演会,24a-P2-5,神奈川,2011324日-27日)


  33. AlC初期過程におけるSi0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析 : Microstructural observation of Si0.5Ge0.5 thin film at an early stage of Al-induced crystallization processing:犬塚純平,光原昌寿,板倉賢,西田稔,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信(2011年春季58応用物理学関係連合講演会,27p-BA-3,神奈川,2011324日-27日)


  34. 溶融SiGeの偏析成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成 : Formation of Graded SiGe on Insulator Structure by SiGe Segregation-originated Rapid Melting Growth:松村亮,東條友樹,横山裕之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信 (72応用物理学会学術講演会,山形,2011829-92)

  35. 溶融GOI層の非直線成長と歪み発生 : Strain-generation in non-straight growth-area of melt-grown GOI:加藤立奨,黒澤昌志, 横山裕之,東條友樹,佐道泰造,宮尾正信 (72 応用物理学会学術講演会,31a-P15-6, 8/31, 山形,2011829-92)

  36. SiGeミキシング誘起溶融成長法による網目状GOI層のコヒーレント成長 : Coherent Lateral Growth of Mesh-patterned GOI Layer by SiGe Mixing-Triggered Melting-Growth:東條友樹,横山裕之,加藤立奨,黒澤昌志,都甲薫,佐道泰造,宮尾正信 (72応用物理学会学術講演会,31a-P15-7, 8/31,山形,2011829-92)

  37. 界面変調型Au誘起層交換法による大粒径Ge結晶/絶縁膜の方位制御成長:Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer Exchange Crystallization with Interfacial Modulation :鈴木恒晴,朴鍾?,黒澤昌志,宮尾正信,佐道泰造(平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会,鹿児島, 20111126-27日)



【2010年

  1. Orientation-controlled poly-SiGe on insulator by Aluminum-induced crystallization : M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao (ITC’10 5A-3, Himeji, Japan, (Jan. 28-29, 2010))

  2. (招待講演)SiGe Mixing-Triggered Liquid-Phase Epitaxy for Defect-Free GOI (Ge on Insulator) : K.Toko, M.Kurosawa, T. anaka, T.Sadoh, and M.Miyao (5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, JAPAN, (Jan. 29-30, 2010))


  3. Interfacial Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si on Insulator for Epitaxial Template : M.Kurosawa, N.Kawabata, K.Toko, T.Sadoh, and M.Miyao (5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, JAPAN, (Jan. 29-30, 2010))


  4. Al-Induced Oriented-Crystallization of Si Films on Quartz and Its Application to Epitaxial-Template for Ge Growth : M. Kurosawa, N. Kawabata, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao (5th ISTDM2010, 8-5, Stockholm, Sweden, (May 24-26, 2010))


  5. SiGe Mixing-Triggered Melting-Growth for Orientation-Controlled Ge on Transparent Insulating Substrates : K. Toko, T. Tanaka, H. Yokoyama, M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao (5th ISTDM2010, P, Stockholm, Sweden, (May 24-26, 2010))


  6. Strained Single-Crystal GOI (Ge on Insulator) Arrays by Rapid-Melting Growth from Si (111) Micro-Seeds  : T. Sakane, K. Toko, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao (5th ISTDM2010, 8-2, Stockholm, Sweden, (May 24-26, 2010))


  7. Growth-Direction-Dependent Characteristics of Ge-on-Insulator by SiGe Mixing Triggered Melting Growth  : Y. Ohta, T. Tanaka, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao(5th ISTDM2010, 8-3, Stockholm, Sweden, (May 24-26, 2010))


  8. Orientation control of Ge on insulator by growth-direction-selected SiGe-mixing-triggered melting growth 40  : T. Sadoh, K. Toko, T. Tanaka, M. Miyao(ISTESNE 2010, P-1, Tokyo, Japan, (June 3-5, 2010))


  9. (招待講演)Defect-Free GOI (Ge on Insulator) by SiGe Mixing-Triggered Liquid-Phase Epitaxy : M. Miyao : (SSDM2010, 9/22, Tokyo, Japan, (Sep.22-24, 2010))


  10. Single-Crystalline (100) Ge Stripes with High Mobilities Formed on Insulating Substrates by  Rapid-Melting-Growth with Artificial Single-Crystal Si Seeds: K. Toko, T. Sakane, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, M. Miyao, (SSDM2010, B-2-2, 9/22, Tokyo, Japan, (Sep.22-24, 2010))


  11. Uniaxial and Biaxial Strain Distribution Mapping in SOI Micro-Structures by Polarized Raman Spectroscopy : M. Kurosawa, T. Sadoh, M. Miyao, (SSDM2010, B-9-5, 9/24, Tokyo, Japan, (Sep.22-24, 2010))


  12. (招待講演)High-Mobility Ge on Insulator (GOI) by SiGe Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth : T. Sadoh and M. Miyao (4th International SiGe Symposium The ECS 218th, 1897, 10/12, Las Vegas, U.S.A, (Oct.10-15, 2010))

  13. (招待講演)High-mobility Defect-free Ge Single-crystals by Rapid Melting Growth on Insulating Substrates : M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and T. Sadoh, (ICSICT 2010, 105_01, 11/2, Shanghai, Chaina, (Nov. 1-4, 2010))

  14. Low-temperature (?250oC) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique Jong-Hyeok  : J. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh (TENCON2010, T2-2,P2, Fukuoka, Japan, (Nov. 21-24, 2010))

  15. Recrystallization and Dopant Activation in P-Implanted Ge : Mohammad Anisuzzaman and T. Sadoh (22年度 応用物理学会九州支部, 28Ea-9, 11/28, Fukuoka, Japan, (Nov. 27-28, 2010))

  16. (招待講演)High-Mobility Ge on Insulator (GOI) Nano-Stripes for Next Generation LSI : T. Sadoh (ESciNano2010, Invited5, 12/2, Kuala Lumpur, Malaysia, (Dec.1-3, 2010))


  17. Al誘起結晶化Si0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析: 犬塚純平,板倉,西田,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信(第57回応用物理学関係連合講演会,湘南,18p-TM-4, 2010317日-320日)


  18. イオンチャネリングによる鉄シリサイド・ホイスラー合金/Ge(111)界面の評価前田佳均,池田達哉,鳴海一雅,寺井慶和,佐道泰造,浜屋宏平,宮尾正信(第57回応用物理学関係連合講演会,湘南,18p-TM-4, 2010317日-320日)


  19. Al誘起層交換成長法により形成したSiGe/絶縁膜の配向性制御:川畑直之,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信(第57回応用物理学関係連合講演会,湘南,18p-TN-12, 2010317日-320日)


  20. 人工単結晶核を用いたSiGeミキシング誘起溶融成長法: 横山裕之,川畑直之,坂根,大田康晴,田中貴規,黒澤昌志,都甲,佐道泰造,宮尾正信(第57回応用物理学関係連合講演会,湘南,17p-TJ-4, 2010317日-320日)


  21. SiGeミキシング誘起溶融成長法における単結晶GOIの屈折成長:坂根尭,田中貴規,大田康晴,都甲,宮尾正信(第57回応用物理学関係連合講演会,湘南,17p-TJ-3, 2010317日-320日)


  22. SiGeミキシング誘起溶融成長法による無欠陥/高移動度GOI(Ge on Insulator)の形成都甲,田中貴規,大田康晴,坂根,横山裕之,黒澤昌志,川畑直之,佐道泰造,宮尾正信(第57回応用物理学関係連合講演会,湘南,17p-TJ-1, 2010317日-320日)


  23. 絶縁膜上におけるSi単結晶粒の方位制御とSiGeミキシング誘起横方向Geエピタキシャル成長:黒澤昌志,川畑直之,都甲,佐道泰造,宮尾正信(第57回応用物理学関係連合講演会,湘南,18a-D-8, 2010317日-320日)


  24. SiGeミキシング誘起溶融成長法による超巨大単結晶GOIの電気的特性:大田康晴,田中貴規,都甲,宮尾正信(57回応用物理学関係連合講演会,湘南,17p-TJ-2, 2010317日-320日)


  25. SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOIGe on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性大田康晴 田中貴規 佐道泰造 宮尾正信(電子情報通信学会研究会 SDM2010,沖縄,11, 2010423日)


  26. ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム川畑直之,黒澤昌志 ,佐道泰造 ,宮尾正信(電子情報通信学会研究会 SDM2010,沖縄,4, 2010423日)


  27. インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成:坂根,都甲薫,田中貴規,佐道泰造,宮尾正信(電子情報通信学会研究会 SDM2010,沖縄,12, 2010423日)


  28. (招待講演)SiGe系スピントランジスタの創出を目指してー強磁性シリサイド,SiGe結晶成長の新展開ー:宮尾正信(つくばナノテク産学独連携人材育成プログラム・シンポジウム, 8/5,筑波, 201085-7日)

  29. 偏光ラマン分光法による局所ひずみ軸のダイレクト評価:黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信(第71応用物理学会学術講演会,16p-ZD-10,長崎,2010914日-17日)


  30. SiGeミキシング誘起溶融成長法による網目状GOIの大面積方位制御:大田康晴,都甲,佐道泰造,宮尾正信(第71応用物理学会学術講演会,14p-ZQ-13,長崎,2010914日-17日)


  31. SiGeミキシング誘起溶融成長法によるGOI(Ge on Insulator)モザイク成長とテンプレート応用:横山裕之,東條友樹,坂根,都甲,佐道泰造,宮尾正信(第71応用物理学会学術講演会,14p-ZQ-14,長崎,2010914日-17


  32. 横方向液相エピタキシャル成長によるチップサイズGOI(Ge on Insulator)の形成と高キャリヤ移動度:坂根,大田康晴,都甲,佐道泰造,宮尾正信(第71応用物理学会学術講演会,16p-ZD-1,長崎,2010914日-17日)


  33. Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(250oC):朴鍾?,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造 (71応用物理学会学術講演会,15p-ZD-3,長崎,2010914日-17日)

  34. Al誘起層交換法によるSiGe結晶の配向成長機構:川畑直之,黒澤昌志,鍾?,佐道泰造,宮尾正信(71応用物理学会学術講演会,15p-ZD-2,長崎,2010914日-17日)


  35. Au誘起層交換成長法によるGe結晶/絶縁膜の極低温形成(250oC): 朴鍾?,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造(第63回電気関係学会九州支部連合大会,06-2P-109/26,福岡,2010925日-26日)

  36. フレキシブルデバイス実現に向けたSi及びGe結晶/絶縁膜の極低温成長(250):朴鍾?,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造(22年度応用物理学会九州支部, 28Ea-1, 11/28,福岡 20101127日-28)


【2009年】

  1. Improvement of Electrical Characteristics of Poly-Ge by Two-Step Solid-Phase Crystallization : T. Sadoh, I. Nakao, K. Toko, T. Noguchi, and M. Miyao (ITC' 09 Ecole Polytechnique, France, (Mar. 5-6, 2009))

  2. Co2FeSi/Si Schottky Contacts for Future Thin-film Transistors : S. Yamada, K. Yamane, Y. Kishi, Y. Ando, K.Ueda, K. Hamaya, T. Sadoh, and M. Miyao (ITC' 09 Ecole Polytechnique, France, (Mar. 5-6, 2009))

  3. Formation of Single Crystalline Ge on Insulator by Liquid-Phase Epitaxy from Ni-Imprint-Induced Si Seed : K. Toko, T. Sakane, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao (ITC' 09 Ecole Polytechnique, France, (Mar. 5-6, 2009))

  4. Molecular Beam Epitaxial Growth of Ferromagnetic Heusler Alloys for Group-IV Semiconductor Spintronic Devices : M. Miyao, K.Hamaya, T.Sadoh, H.Itoh and Y.Maeda (ICSI-6, 648513, Los Angeles, USA, (May 17 - 22, 2009 ))

  5. Molecular beam epitaxial growth of Co2FeSi thin films on Si(111) for spintronic devices : S. Yamada, K. Yamamoto, K. Ueda, Y. Ando, K. Hamaya, T. Sadoh, and M. Miyao (ICSI-6, 648536, Los Angeles, USA, (May 17 - 22, 2009 ))

  6. Formation of Single-Crystalline Ge Stripes on Quartz Substrates by SiGe Mixing-Triggered Liquid-Phase Crystallization : K. Toko, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao (ICSI-6, 657528, Los Angeles, USA, (May 17 - 22, 2009 ))

  7. Liquid-Phase Epitaxial Growth of Ge Island on Insulator Using Ni-Imprint-Induced Si Crystal as Seed : K. Toko, T. Sakane, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao (ICSI-6, 657535, Los Angeles, USA, (May 17 - 22, 2009 ))

  8. Giant Growth of Single Crystalline Ge on Insulator by Seeding Lateral Liquid-Phase Epitaxy : T. Tanaka, M. Tanaka, M. Itakura, T. Sadoh, and M. Miyao (ICSI-6, 657526, Los Angeles, USA, (May 17 - 22, 2009 ))

  9. Al-Induced Low Temperature Crystallization of Si1-xGex by Interfacial Al Oxide Layer Control : M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao (ICSI-6, 657524, Los Angeles, USA, (May 17 - 22, 2009 ))

  10. 金属触媒誘起横方向成長法による多結晶Geの極低温成長:佐道泰造,萩原貴嗣,黒澤昌志,都甲薫,権丈淳(第56回応用物理学関係連合講演会,1a-T-3, 筑波,(2009年3月30日-4月2日)

  11. 2段熱処理固相成長法による多結晶Geの高品質形成:佐道泰造,中尾勇兼,都甲 薫,野口 隆 (第56回応用物理学関係連合講演会,1a-T-4, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  12. シリコンスピントロニクスの実現に向けたFe3Si/Si ヘテロ界面制御 :浜屋宏平,  上田公二, 安藤裕一郎, 岸 悠司, 佐道泰造, 宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,1p-TB-10, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  13. Mn濃度制御による室温強磁性Fe3-xMnxSi/Geエピタキシャル薄膜の実現 :山本健士, 上田公二, 安藤裕一郎, 浜屋宏平, 佐道泰造, 前田佳均, 宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,1p-ZA-11, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  14. シリコン基板上におけるフルホイスラー合金Co2FeSi 薄膜の低温エピタキシャル成長 : 山田晋也, 上田公二, 山本健士, 安藤裕一郎, 浜屋宏平, 佐道泰造, 前田佳均, 宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,1p-TB-11, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  15. 強磁性ホイスラー合金/シリコンへテロ構造上へのスピン伝導素子の作製 :榎本雄志, 安藤裕一郎, 浜屋宏平, 佐道泰造, 宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,1p-ZA-12, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  16. 絶縁膜上に堆積したGeの種付け横方向液相エピタキシャル成長-SiGeミキシング誘起液相成長(2)- : 大田康晴,田中貴規,田中政典,佐道泰造,宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,30p-E-1, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  17. 種付け横方向液相エピタキシャル成長による巨大GOI結晶の形成とその機構解明 ―SiGeミキシング誘起液相成長(3)― : 田中貴規,都甲 薫,田中政典,宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,30p-E-2, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  18. 種付け横方向SiGe液相エピタキシャル成長におけるSi再分布 ―SiGeミキシング誘起液相成長(4)― : 田中貴規,田中政典,宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,30p-E-3, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  19. インプリント法による非晶質Siの方位制御結晶化とGeの歪ヘテロエピタキシャル成長 : 坂根 尭,都甲 薫,田中貴規,佐道泰造,宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,1a-T-6, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  20. 石英基板上におけるGe溶融成長の固化過程制御と単結晶化 :都甲 薫, 田中貴規, 宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,1a-T-5, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  21. UV照射アニールによるSiN誘起ローカル歪みの増強 : 田中貴規,田中政典,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信,山口真典,鈴木信二,北村徳秀(第56回応用物理学関係連合講演会,30p-E-9, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  22. 界面酸化膜制御によるSi1-xGex(0≦x≦1)混晶のAl 誘起層交換成長: 黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,30a-TF-9, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  23. Si/Ge 多層構造のAl 誘起層交換成長とSi-Ge ミキシング : 黒澤昌志,川畑直之,佐道泰造,宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,30a-TF-10, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  24. 強磁性体FeGe/近藤絶縁体FeSi/FeGe/Ge 層状構造の自己組織化 :平岩佑介,鳴海一雅,安藤裕一郎,上田公二,浜屋宏平,佐道泰造,宮尾正信,前田佳均(第56回応用物理学関係連合講演会,1p-ZA-14, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  25. 強磁性体FeGe/近藤絶縁体FeSi/FeGe/Ge の電気伝導特性 : 平岩佑介,鳴海一雅,安藤裕一郎,上田公二,浜屋宏平,佐道泰造,宮尾正信,前田 佳均(第56回応用物理学関係連合講演会,1p-ZA-15, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  26. 低温イオンチャネリング測定によるFe3-xMnxSi/Ge(111)の評価 : 前田佳均,平岩佑介,鳴海一雅,寺井慶和,安藤裕一郎,上田公二,浜屋宏平,佐道泰造,宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,1p-ZA-13, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  27. 溶融横方向成長させたGOI 薄膜の微細構造に及ぼすSi 基板面方位の影響 : 横溝和哉,板倉 賢,西田 稔,田中貴規,田中政典,佐道泰造,宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,30p-E-4, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  28. AIC法で作製したSi0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析 : 犬塚純平,板倉 賢,西田 稔,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信(第56回応用物理学関係連合講演会,1a-T-5, 筑波,2009年3月30日-4月2日)

  29. アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長: 黒澤昌志 ,川畑直之, 佐道泰造,宮尾正信 (電子情報通信学会研究会,SDM-7,鳥栖,2009年4月24日)

【2008年】

  1. Materials Innovation for Advanced TFT : Why and How? : M. Miyao, T. Sadoh and Y. Maeda ( The 4th International Thin-Film Transistor Conference ( ITC '08, I-24, Seoul, Korea, (Jan. 24-25, 2008))

  2. Ge Fraction Dependence of Al-Induced Crystallization of SiGe at Low-Temperature : M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao ( ITC '08, LTPS-2-1, Seoul, Korea, (Jan. 24-25, 2008))

  3. Low Temperature Solid-Phase Crystallization of a-Ge on Glass Substrate for Advanced Thin-Film Transistor : T. Sadoh, K. Toko, T. Noguchi, and M. Miyao ( ITC '08, LTPS-P29, Seoul, Korea, (Jan. 24-25, 2008))

  4. Characterization of Fe3Si/Ge hetero-structures for future spin-transistors : Y. Ando, Y. Hiraiwa, K. Ueda, M. Kumano, Y. Kishi, T. Sadoh, Y. Nozaki K. Matsuyama, Y. Maeda, and M. Miyao (E-MRS 2008 Spring Meeting, J-26-8, Strasbourg, France (May 26-30, 2008))

  5. Low-Temperature (111)-Oriented SiGe Growth on Insulating Substrate by Al-Induced Crystallization : T. Sadoh, Y. Tsumura, M. Kurosawa, and M. Miyao (4th ISTDM 2008, S3-04, Hsinchu, Taiwan (May 11-14, 2008))

  6. Electrical Properties of Poly-Ge on Glass Substrate Grown by Two-Step Solid-Phase Crystallization : K. Toko, I. Nakao, T. Sadoh, T. Noguchi, and M. Miyao (4th ISTDM 2008, S2-04, Hsinchu, Taiwan (May 11-14, 2008))

  7. Effects of Si-Layer Thickness on Solid-Phase Crystalization of Stacked Ge/Si/SiO2 Structure:T. Sadoh, H. Ohta, M. Miyao (AM-FPD 08, 3-2, Tokyo, Japan (Jul. 2-4, 2008))

  8. Position Control of SiGe Crystal Grains on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization:K.Toko, T. Sadoh, and M. Miyao (AM-FPD 08, P-15, Tokyo, Japan (Jul. 2-4, 2008))

  9. Interfacial-Oxide Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex (x: 0-1) on Insulating Substrate:M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao (AM-FPD 08, P-16, Tokyo, Japan (Jul. 2-4, 2008))

  10. Atomically Controlled Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on SiGe for SiGe-Channel Schottky Source/Drain Spin Transistor : T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, Y. Kishi, K. Hamaya, Y. Maeda, and M. Miyao (NSC-JST Nano Device Workshop, Sn. 2-1, 2008, Taipei, Taiwan(Jul.30-31, 2008))

  11. Fabrication and Characterizations of Atomically-Controlled Fe3Si/Ge Heterostructures for Spin-Transistors with Ge Channel:M. Miyao, K. Ueda , Y. Ando, M. Kumano , Y. Kishi , T. Sadoh, K. Narumi , Y. Hiraiwa, Y. Maeda, Y. Nozaki , and K. Matsuyama (IUMRS-ICEM 2008, C-285, Sydney, Australia (Jul. 28- Aug. 1, 2008))

  12. Magnetic properties of epitaxial Fe3Si/Ge(111) layers for group-IV semiconductor spintronic applications: Y. Ando, K. Kasahara, K. Ueda, K. Hamaya, Y. Nozaki, T. Sadoh, Y. Maeda, K. Matsuyama, and M. Miyao (SSDM 2008, C-3-1, Tsukuba, Japan (Sep.23-26,2008))

  13. Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization of SiGe on Insulator : K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao (New Group Ⅳ Semiconductor Nanoelectronics Z-07, Sendai, Japan, (Sep.25-27, 2008))

  14. Low Temperature Epitaxial Growth of Full Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111) Substrates for Spintronics Application : K. Ueda, Y. Ando, K. Yamamoto, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, and M. Miyao (ECS-PRiME 2008, E15-23-2406, Hawaii, U.S.A. (Oct.12-17,2008))

  15. Formation of SiGe Quasi-Single Crystal Grain on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization : T. Sadoh, K. Toko, K. Ikeda, S. Hata, M. Itakura, H. Nakashima, M. Nishida, and M.Miyao (ECS-PRiME 2008, E15-23-2396, Hawaii, U.S.A. (Oct.12-17,2008))

  16. Enhancement of Local Strain in Si Microstructure by Oxidation Induced Ge Condensation: M. Tanaka, T. Tanaka, T. Sadoh, J. Morioka, T. Kitamura, and M. Miyao (ECS-PRiME 2008, E15-23-2392, Hawaii, U.S.A. (Oct.12-17,2008))

  17. Characterization of Fe3Si/Si Schottky Contact for Future Spin-Transistor : Y. Kishi, M. Kumano, K. Ueda, T. Sadoh, and M. Miyao (ECS-PRiME 2008, E15-23-2407, Hawaii, U.S.A. (Oct.12-17,2008))

  18. Atomically-Controlled Fe3Si/Ge Hybrid Structures for Group-IVsemiconductor Spin-transistor Application : M. Miyao, Y. Ando, K.Ueda, K. Hamaya, Y.Nozaki, T. Sadoh, K. Matsuyama, K. Narumi,Y. Maeda (ICSICT 2008, C4-7, Beijing, China (Oct.20-23, 2008))

  19. High-Quality Full-Heusler Fe2MnSi/Ge Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy : K. Hamaya, K. Yamamoto, K. Ueda, Y. Ando, H. Itoh, Y. Maeda, and M. Miyao (MMM2008, GT-05, Texas, U.S.A. (Nov. 10-14, 2008))

  20. Magnetic properties of epitaxially-grown Fe3Si/Ge(111) layers with atomically flat interfaces : Y. Ando, K. Kasahara, K. Ueda, K. Hamaya, Y. Nozaki, T. Sadoh,Y. Maeda, K. Matsuyama, and M. Miyao (MMM2008, DD-08, Texas, U.S.A. (Nov. 10-14, 2008))

  21. Atomically-Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide for Spin-Transistors with Ge Channel : M. Miyao (IEDMS 2008 , 343-C, Taichung, Taiwan (Nov. 28-29, 2008))

  22. Magnetic and Electrical Properties of Atomically-Controlled Fe3Si/Ge Heterostructure for Group IV-Based Spin Transistor, T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, K. Hamaya, Y. Nozaki, K. Matsuyama, Y. Maeda and M. Miyao (2008 MRS Fall Meetings, L4.1, Boston, U.S.A. (Dec.1-5))

  23. Site Preference of Atoms in Heusler Alloys Fe3Si and Fe2MnSi Grown on Ge(111) Toward Realization of Ge Channel Spin Transistors, Y. Hiraiwa, K. Narumi, A. Kawasuso, Y. Terai, Y. Ando4, K. Ueda, T. Sadoh, K. Hamaya, M. Miyao, and Y. Maeda (2008 MRS Fall Meetings, L5.2, Boston, U.S.A. (Dec.1-5))

  24. An Epitaxial Full-Heusler Alloy Fe2MnSi for Group-IV-Semiconductor Spintronic Applications, K. Hamaya, K. Yamamoto, K. Ueda, Y. Ando, H. Itoh, Y. Maeda, and M. Miyao (2008 MRS Fall Meetings, L5.4, Boston, U.S.A. (Dec.1-5))

  25. Atomically Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Heusler Alloys for Group-IV-Semiconductor Spintronic Applications:M. Miyao, K. Hamaya, T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando,Y. Nozaki, K. Matsuyama, H. Itoh, and Y. Maeda (IUMRS-ICA 2008, ZI-4, Nagoya, Japan (Dec. 9-13, 2008))

  26. Ferromagnetic FeGe/FeSi Layered Structures Formed by Interdiffusion in Fe3Si/Ge Hybrid Structures : Y. Hiraiwa Y. Ando , K. Narumi , K. Ueda, T. Sadoh , M. Miyao , Y. Maeda (IUMRS-ICA 2008, ZO-8, Nagoya, Japan (Dec. 9-13, 2008))

  27. Low-Temperature Growth of Atomically Controlled Fe3Si/Ge Heterostructures for Schottky Source/Drain Spin Transistors : T. Sadoh, K. Ueda, Y. Kishi, Y. Ando, K. Hamaya, Y. Maeda, and M. Miyao (IUMRS-ICA 2008, ZO-9, Nagoya, Japan (Dec. 9-13, 2008))

  28. Self-Limited Liquid-Phase Epitaxy of Single Crystal Ge on Insulator : T. Tanaka, M. Tanaka, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao (IUMRS-ICA 2008, ZP-10, Nagoya, Japan (Dec. 9-13, 2008))

  29. ガラス基板上における非晶質Geの低温固相成長:佐道泰造,都甲 薫,中尾勇兼,野口 隆,宮尾正信(第55回応用物理学関係連合講演会, 27a-G-3, 千葉,2008年3月27-30日)

  30. 傾斜温度型エピタキシー法による[Fe3Si/Ge]2多層構造の高品質形成:上田公二, 熊野 守, 安藤裕一郎, 佐道泰造, 宮尾正信(第55回応用物理学関係連合講演会, 29p-C-4, 千葉,2008年3月27-30日)

  31. SiGeストレッサーと酸化濃縮法の重畳による歪Siの歪率増大:田中政典,田中貴規,佐道泰造,宮尾正信,森岡純,北村徳秀(第55回応用物理学関係連合講演会, 27p-F-11, 千葉,2008年3月27-30日)

  32. スピンデバイス応用に向けた原子制御Fe3Si /Ge(111)へテロ構造の形成:安藤裕一郎,上田公二,熊野 守,上西隆文,鳴海一雅,能崎幸雄,松山公秀,佐道泰造, 前田佳均, 宮尾正信(第55回応用物理学関係連合講演会, 29p-C-2, 千葉,2008年3月27-30日)

  33. MgO/Si構造上における非晶質Geの固相成長:榎本雄志,黒澤昌志,松本達也,上田公二,佐道泰造,宮尾正信 (第55回応用物理学関係連合講演会, 27a-G-2,千葉,2008年3月27-30日)

  34. SiNストレッサーで形成した歪Siの熱処理効果: 田中貴規, 田中政典,佐道泰造,宮尾正信,森岡 純,北村徳秀(第55回応用物理学関係連合講演会,27a-F-10, 千葉,2008年3月27-30日)

  35. Fe3Si /Ge(111)ヘテロ構造の磁気特性と結晶性との相関: 笠原健司,安藤裕一郎,熊野 守,上田公二,能崎幸雄,松山公秀,佐道泰造,前田佳均,宮尾正信(第55回応用物理学関係連合講演会,29p-C-3,千葉,2008年3月27-30日)

  36. Ge基板上におけるフルホイスラー合金Co2MnSiの低温エピタキシャル成長: 山本健士, 上田公二, 熊野 守, 安藤裕一郎, 佐道泰造, 前田佳均, 宮尾正信 (第55回応用物理学関係連合講演会, 29p-C-6,千葉,2008年3月27-30日)

  37. SiGeのAl誘起層交換成長に与える界面酸化膜効果:黒澤昌志,津村宜孝,佐道泰造,宮尾正信(第55回応用物理学関係連合講演会, 27a-G-1,千葉,2008年3月27-30日)

  38. 強磁性体シリサイドFe3Siの微細加工プロセスの検討: 岸 悠司, 熊野 守, 上田公二, 佐道泰造, 宮尾正信 (第55回応用物理学関係連合講演会, 29p-C-5,千葉,2008年3月27-30日)

  39. Xeマーカーを用いたFe3Si/Ge界面での相互拡散挙動の検討:平岩佑介,安藤裕一郎,熊野 守,上田公二,佐道泰造,宮尾正信,鳴海一雅,前田佳均 (第55回応用物理学関係連合講演会, 29p-C-7,千葉,2008年3月27-30日)

  40. a-SiGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究:板倉 賢,宮尾正信(電子情報通信学会研究会 SDM, 12-17,沖縄, 2008年4月11-12日)

  41. 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成:電界印加効果、触媒種効果:萩原貴嗣, 都甲 薫 ,佐道泰造(電子情報通信学会研究会 SDM, 12-21, 沖縄, 2008年4月11-12日)

  42. 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長: 中尾勇兼, 都甲 薫 ,野口 隆,佐道泰造(電子情報通信学会研究会 SDM, 12-18, 沖縄, 2008年4月11-12日)

  43. ナノインデント法で結晶化させたSi薄膜の微細構造評価:村田大輔,板倉 賢,西田 稔,佐道泰造,宮尾正信(日本金属学会九州支部 ,福岡,2008年6月8日)

  44. 絶縁膜上におけるSiGe成長とデバイス応用:佐道泰造,都甲 薫(電気学会電子材料研究会,東京,2008年8月1日)

  45. Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面における相互拡散挙動;平岩佑介, 安藤裕一郎,鳴海一雅,上田公二,佐道泰造,宮尾正信,前田佳均(第11回シリサイド系半導体夏の学校,岡山,2008年8月2-3日)

  46. 強磁性ホイスラー合金の原子層制御エピタキシャル成長とSiGeスピントロニクス: 宮尾正信, 浜屋宏平,上田公二,安藤裕一郎, 佐道泰造, 能崎幸雄, 松山公秀, 伊藤博介, 前田佳均(第69回応用物理学会学術講演会, 3p-E-4, 愛知,2008年9月2-5日)

  47. 直接遷移型半導体シリサイド及び強磁性シリサイドの高品位成長- シリサイド系光・磁気融合型LSIを目指して -:佐道泰造,浜屋宏平,前田佳均,宮尾正信(第69回応用物理学会学術講演会, 4p-ZB-5, 愛知,2008年9月2-5日)

  48. Ⅳ族半導体上における強磁性シリサイドFe3Siの高品質形成:上田公二, 安藤裕一郎, 熊野 守, 浜屋宏平,佐道泰造,鳴海一雅,前田佳均, 宮尾正信(第69回応用物理学会学術講演会, 4a-Q-1, 愛知,2008年9月2-5日)

  49. Ge基板上におけるフルホイスラー合金Fe2MnSi薄膜の低温エピタキシャル成長:山本健士, 上田公二, 安藤裕一郎, 浜屋宏平, 佐道泰造, 前田佳均, 宮尾正信(第69回応用物理学会学術講演会, 4a-Q-4, 愛知,2008年9月2-5日)

  50. Si/Ge多層構造に於けるAl誘起層交換成長とSi/Ge相互拡散:黒澤昌志,津村宜孝,佐道泰造,宮尾正信(第69回応用物理学会学術講演会, 2a-CH-10, 愛知,2008年9月2-5日)

  51. シリサイド強磁性体Fe3Siエピタキシャル膜の誘電関数:平岩佑介,前田佳均,安藤裕一郎,上田公二,佐道泰造,宮尾正信(第69回応用物理学会学術講演会,愛知,4a-ZA-5, 2008年9月2-5日)

  52. ナノインデント誘起固相成長法によるSGOIの方位制御: 都甲 薫,萩原隆嗣, 佐道泰造(第69回応用物理学会学術講演会, 2a-CH-8, 愛知,2008年9月2-5日)

  53. Fe3Si/Siエピタキシャル界面のショットキー障壁:岸 悠司, 安藤裕一郎, 上田公二, 浜屋宏平, 佐道泰造, 宮尾正信(第69回応用物理学会学術講演会, 4a-Q-2, 愛知,2008年9月2-5日)

  54. 絶縁膜上におけるGeの自己組織的溶融成長: 田中貴規,西丸拓朗,都甲 薫,田中政典,横溝和哉,板倉 賢,西田 稔,佐道泰造,宮尾正信,第69回応用物理学会学術講演会, 2a-CH-9, 愛知,2008年9月2-5日)

  55. Fe3Si /Ge(111)ヘテロ構造の磁気特性におけるアニール効果:笠原健司,安藤裕一郎,上田公二,能崎幸雄,松山公秀,浜屋宏平,佐道泰造,前田佳均,宮尾正信(第69回応用物理学会学術講演会, 4a-Q-3, 愛知,2008年9月2-5日)

  56. 強磁性Fe3Si/Ge(111)の原子層制御エピタキシャル成長:上田公二,安藤裕一郎,浜屋宏平,鳴海一雅,佐道泰造,前田佳均,宮尾正信(第32回日本磁気学会学術講演会,13aB-6, 仙台,2008年9月12-15日)

  57. Ge(111)上にエピタキシャル成長したFe3Si薄膜の磁気特性とそのアニール効果: 安藤裕一郎,上田公二,笠原健司,浜屋宏平,能崎幸雄,松山公秀,佐道泰造,宮尾正信(第32回日本磁気学会学術講演会,13aB-7, 仙台,2008年9月12-15日)

  58. 絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長:都甲 薫,佐道泰造,宮尾正信(電子材料研究会,EFM-08-29,仙台,2008年9月27日)

【2007年】

  1. Recent Progress in Low-Temperature Epitaxy of Silicon Based Heterostructures for Novel Devices:M. Miyao, H. Kanno, K. Ueda and T. Sadoh (2007 MRS Spring Meeting, F8-3, San Francisco, CA, USA, ( Apr.9-13, 2007))

  2. Local strain evaluation of single crystal Si pillar by micro Raman spectroscopy and photoluminescence : Dong Wang, H.Nakashima, M. Tanaka, T. Sadoh, M. Miyao, Jun Morioka, and T. Kitamura (ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, S1-O7, Marseille France,( May 20 - 24, 2007 ))

  3. Comprehensive Study of Low Temperature (<1000 oC) Oxidation Process in SiGe/SOI Structures:M. Tanaka, T. Ohka, T. Sadoh and M. Miyao (ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 21P 1-21, Marseille France, (May 20 - 24, 2007 ))

  4. Stress Relaxation Mechanisms in Ultra-Thin SiGe on Insulator Formed by H+ Irradiation Assisted Ge condensation method:M. Tanaka, A.Kenjo, T.Sadoh and M.Miyao (ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 21P 1-20, Marseille France, (May 20 - 24, 2007 ))

  5. Temperature Dependent Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe3Si on Ge Substrate:K. Ueda, T. Sadoh, Y. Ando, T. Jonishi, K. Narumi, Y. Maeda and M. Miyao (ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 24P 7-02, Marseille France, (May 20 - 24, 2007 ))

  6. Low Temperature Epitaxial Growth of Fe3Si on Si(111) Substrate through Ultra-Thin SiO2 Films:K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, and M. Miyao (ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 24P 7-02, Marseille France, (May 20 - 24, 2007 ))

  7. Atomically Controlled Hetero-Epitaxy of Fe3Si/SiGe for Spintronics Application:M. Miyao, K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Andoh, and Y. Maeda (ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, S7-I27, Marseille France, (May 20 - 24, 2007 ))

  8. Low-Temperature Oriented-Growth in [CoPt/MgO]n Multi-Layer:T. Sadoh, M. Kimura, K. Ueda, M. Koyanagi, and M. Miyao (ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 27P 7-07, Marseille France, (May 20 - 24, 2007 ))

  9. Low-Temperature Fabrication of Advanced Thin-Film Transistor with Ge Channel and Schottky Source/Drain:T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao (ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, S6-O12, Marseille France, (May 20 - 24, 2007 ))

  10. Position Controlled Solid-Phase Crystallization of SiGe by Ni-Imprint Technique:T. Sadoh, K. Toko, H. Kanno, T. Asano, and M. Miyao (ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 21P 1-29, Marseille France, (May 20 - 24, 2007 ))

  11. RBS study of epitaxial growth of ferromagnetic Fe3Si on Ge : Yu-ichiro Ando, Takafumi Jonishi, Kazumasa Narumi, Kouji Ueda, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao, Yoshihito Maeda(European MRS 2007 Spring Meeting, B-13-1, Strasburg France, (May 28 - Jun. 1, 2007)) 

  12. Low Temperature Hetero-Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on Ge Substrates for Spin-Transistor Application : Y. Ando, K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, and M. Miyao (AWAD 2007 , A5-1-JR16W, Chonsun Korea, (Jun. 25-27, 2007 ))

  13. Catalytic Effect of Ni in Crystallization of Amorphous SiGe Films by Imprint Technique: K. Toko, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, T. Asano, and M. Miyao (AM-FPD 07 , 9-4 , Awaji, Japan, (Jul. 11-13, 2007))

  14. Nucleation Controlled Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Si1-xGex with Whole Ge Fraction on Insulator : T. Sadoh, K. Toko, H. Kanno, S. Masumori, M. Itakura, N. Kuwano, and M. Miyao (AM-FPD 07 , 9-5 , Awaji , Japan, (Jul. 11-13, 2007))

  15. Atomically Controlled Hetero-Epitaxy of DO3-type Fe3Si on Ge(111) Substrate: K. Ueda, Y.Ando, M.Kumano, T. Sadoh, K.Narumi, Y. Maeda and M. Miyao (SSDM 2007, C-2-1, Ibaraki, Japan, (Sep. 18-21, 2007))

  16. Electric Field Assisted Low-Temperature Growth of SiGe on Insulating Films for Future TFT : M. Miyao, H. Kanno and T. Sadoh (TFPA2007, P2-1, Shanghai, China, (Sep.25-29, 2007))

  17. Advanced Silicon Based Heterostructure Technologies for Future Devices: M. Miyao (The 21st Century COE , Osaka, Japan, (Oct. 15-17, 2007))

  18. Effect of Fe/Si Ratio on Epitaxial Growth of Fe3Si on Ge Substrate : M. Kumano, Y. Ando, K. Ueda, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maedab, M. Miyao, (212th ECS Meeting, 1292, Washington D.C. , U.S.A. (Oct.7-12, 2007))

  19. Formation of Fe3Si/Ge/Fe3Si Multi-layer by Double Heteroepitaxy on High Quality Fe3Si/Ge substrate for Spintronic Application : K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, Y. Maeda, and M.Miyao, (212th ECS Meeting, 1293, Washington D.C. , U.S.A. (Oct.7-12, 2007))

  20. Comparative Study of Al-Induced Crystallization for Poly-Si and Ge on Insulating Film : Y. Tsumura, I. Nakao, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao, (212th ECS Meeting, 1294, Washington D.C. , U.S.A. (Oct.7-12, 2007))

  21. Low-Temperature Epitaxial Grwoth of [Fe3Si/SiGe]n (n=1-2) Multi-Layered Structures for Spintronics Application : T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, K. Narumi, Y. Maeda, and M.Miyao, (212th ECS Meeting, 1315, Washington D.C. , U.S.A. (Oct.7-12, 2007))

  22. High-Performance Poly-Ge Thin-Film Transistor with NiGe Schottky Source/Drain: T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao, (PRICM 6, 9-4-5, Jeju Island, Korea, (Nov.5-9, 2007))

  23. Structural and Magnetic Properties of Ferromagnetic Silicide Fe3Si on Ge(111) Substrate :Y. Ando, K.Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, S. Yoshimura,Y. Nozaki, K. Narumi, Y. Maeda, and M. Miyao, (2007 New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, P-02, Sendai, Japan, (Nov. 8-9, 2007))
     
  24. Orientation Control of CoPt Thin Film by MgO Template :T. Matsumoto, M. Kurosawa, K. Ueda, T. Sadoh, and M. Miyao (2007 New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, P-03, Sendai, Japan, (Nov. 8-9, 2007))

  25. Influences of Si Pillar Geometry on SiN-Stressor Induced Local Strain : M. Tanaka, T. Sadoh, J. Morioka, T. Kitamura and M. Miyao (ISCSI5 2007, P-2, Tokyo, Japan, (Nov.12-14, 2007))

  26. Low Temperature Formation of Multi-Layered Structures of Ferromagnetic Silicide Fe3Si and Ge : K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh,Y. Maeda and M. Miyao (ISCSI5 2007, P-6, Tokyo, Japan, (Nov.12-14, 2007))

  27. Diffusion Behavior in Fe3Si/Ge Hybrid Structures and Related Degradation of Axial Orientation : T. Jonishi, Y. Ando, K. Narumi, M. Kumano, K. Ueda, T. Sadoh, M. Miyao, Y. Maeda (ISCSI5 2007, P-5, Tokyo, Japan, (Nov.12-14, 2007))

  28. Low Temperature Formation of Fe3Si/SiGe Hybrid Structures for SiGe Based Spin Devices : M. Miyao, K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, T. Jonishi, and Y. Maeda (International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology, Hawaii, USA, (Dec. 2-7, 2007))

  29. SiGe/SOI 構造の酸化現象とその解析:田中政典, 大賀 達夫, 佐道 泰造, 宮尾 正信 (電子情報通信学会 九州支部 研究会, 福岡, 2007年4月20日)

  30. RBSによるFe3Si/Geエピタキシャル成長の評価: 安藤裕一郎,上西隆文,西蔭義明,鳴海一雅,上田公二,佐道泰造,宮尾正信,前田佳均(第54回応用物理学関係連合講演会 29a-P6-5, 神奈川,2007年3月27-30日)

  31. Fe3Siエピタキシャル界面での原子拡散の成長温度依存性:上西隆文,安藤裕一郎,西蔭義明,鳴海一雅,上田公二,佐道泰造,宮尾正信,前田佳均(第54回応用物理学関係連合講演会29a-P6-6, 神奈川,2007年3月27-30日)

  32. Ge薄膜におけるNi誘起横方向結晶化機構の解析:増森俊二,板倉賢,桑野範之,菅野裕士,佐道泰造,宮尾正信(第54回応用物理学関係連合講演会, 29a-SM-4, 神奈川,2007年3月27-30日)

  33. Ni誘起横方向結晶化させたSi0.6Ge0.4薄膜の微細構造と結晶化機構:板倉 賢,増森俊二,桑野範之,菅野裕士,佐道泰造,宮尾正信(第54回応用物理学関係連合講演会, 29a-AM-3, 神奈川,2007年3月27-30日)

  34. AIC法による多結晶Ge薄膜の低温形成:津村宜孝,菅野裕士,権丈 淳,佐道泰造,宮尾正信(第54回応用物理学関係連合講演会 30a-SM-12, 神奈川,2007年3月27-30日)

  35. MBE法によるFe3Si/極薄SiO2/Si(111)構造の形成:熊野 守,上田公二,佐道泰造,権丈 淳,宮尾正信(第54回応用物理学関係連合講演会 29a-P6-8, 神奈川,2007年3月27-30日)

  36. MBE法によるGe/Fe3Si/Ge多層ヘテロエピタキシャル成長の形成:熊野 守, 上田公二, 権丈 淳, 佐道泰造, 前田佳均, 宮尾正信(第54回応用物理学関係連合講演会 29a-P6-7, 神奈川,2007年3月27-30日)

  37. Fe3Si/SiGeヘテロエピタキシャル成長に与える基板効果:上田公二, 熊野 守, 権 丈 淳, 佐道泰造, 前田佳均, 宮尾正信(第54回応用物理学関係連合講演会29a-P6-4, 神奈川,2007年3月27-30日)

  38. 単結晶Siピラーへの局所歪の導入(1) マイクロラマン分光法による歪分布の評 価:田中政典,佐道泰造,宮尾正信,森岡 純,北村徳秀(第54回応用物理学関係連合講演会27p-N-12, 神奈川,2007年3月27-30日)

  39. SiGe/SOI構造の酸化に与えるGe濃度及び酸化温度の影響: 田中政典,大賀達夫,佐道泰造,榎田豊次,宮尾正信(第54回応用物理学関係連合講演会27p-N-2, 神奈川,2007年3月27-30日)

  40. 非晶質Ge薄膜のNiインプリント成長に与える堆積温度効果:都甲 薫,権丈 淳, 佐道泰造(第54回応用物理学関係連合講演会28p-SM-17, 神奈川,2007年3月27-30日)

  41. 非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長に於ける触媒種効果(Ni,Co,Cu,Pd):萩原貴嗣,黒澤昌志,菅野裕士,権丈 淳,佐道泰造,宮尾正信(第54回応用物理学関係連合講演会30a-SM-13, 神奈川,2007年3月27-30日)

  42. CoPt/MgO/Si構造の固相成長によるCoPt配向制御の検討:木村真幸,松本達也,上田公二,権丈 淳,佐道泰造,宮尾正信 (第54回応用物理学関係連合講演会30a-P10-12, 神奈川,2007年3月27-30日)

  43. 強磁性体シリサイド/SiGeの低温エピタキシャル成長-Si系スピントランジスタの創製に向けて-:佐道泰造,熊野 守,安藤裕一郎,上田公二,前田佳均,宮尾正信(応用物理学会九州支部会主催研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」(兼)第12回九州薄膜表面研究会 講演番号8,福岡,2007年6月16日)

  44. [Fe3Si/SiGe]n多層構造の低温エピタキシー - SiGe系スピントロニクスを目指して -:佐道泰造,熊野 守,安藤裕一郎,上田公二,前田佳均,宮尾正信(シリサイド系半導体第10回夏の学校 K-1, 静岡, 2007年7月28日-29日)

  45. 強磁性体シリサイドFe3Siのヘテロエピタキシャル成長に与える基板効果:上田公 二,佐道泰造,宮尾正信(シリサイド系半導体第10回夏の学校 P-6, 静岡, 2007年7月28日-29日)

  46. Ge基板上へのFe3Si成長における成長温度,Fe/Si組成の最適化:安藤裕一郎, 上西隆文,上田公二,熊野 守,佐道泰造,鳴海一雅,前田佳均,宮尾正信(シリサイド系半導体第10回夏の学校 P-4, 静岡, 2007年7月28日-29日)

  47. Fe3SiGeヘテロエピタキシャル成長層の軸配向性の成長温度依存性の考察:安藤裕 一郎,上西隆文,鳴海一雅, 熊野 守,上田公二,佐道泰造, 前田佳均,宮尾正信(第68回応用物理学会学術講演会5p-Q-2, 札幌,2007年9月4-8日)

  48. Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長での軸配向性の評価:平岩佑介,上西隆文,安藤裕一郎,熊野 守,上田公二,佐道泰造,宮尾正信,前田佳均(第68回応用物理学会学術講演会5p-Q-3, 札幌,2007年9月4-8日)
     
  49. Fe3Si/Geヘテロエピタキシャル界面における相互拡散と軸配向性:上西隆文,安藤裕一郎,平岩佑介,鳴海一雅,熊野 守,上田公二,佐道泰造,宮尾正信,前田佳均(第68回応用物理学会学術講演会5p-Q-4, 札幌,2007年9月4-8日)

  50. MBE法による[Fe3Si/Ge]2多層ヘテロエピタキシャル成長の検討:熊野 守, 安藤裕一郎, 上田公二, 権丈 淳, 佐道泰造, 前田佳均, 宮尾正信(第68回応用物理学会学術講演会5p-Q-5, 札幌,2007年9月4-8日)

  51. Si(100)基板上に於けるMgO薄膜の結晶化:黒澤昌志,松本達也,上田公二,権丈 淳,佐道泰造,宮尾正信(第68回応用物理学会学術講演会4p-Q-8, 札幌,2007年9月4-8日)

  52. 絶縁膜上におけるSiGeのAl誘起層交換成長:津村宜孝,中尾勇兼,権丈 淳,佐道 泰造,宮尾正信(第68回応用物理学会学術講演会6a-P10-28, 札幌,2007年9月4-8日)

  53. 強磁性シリサイド電極の形成とショットキー接触の評価:岸 悠司, 熊野 守, 上田 公二, 佐道泰造, 宮尾 正信 (第68回応用物理学会学術講演会5p-Q-6, 札幌,2007年9月4-8日)

  54. [CoPt/MgO]n薄膜多層構造の(111)配向に与える基板効果:松本達也,黒澤昌志,上田公二,佐道泰造,宮尾正信(第68回応用物理学会学術講演会4p-Q-7, 札幌,2007年9月4-8日)

  55. 強磁性体シリサイド(Fe3Si)/半導体(Ge)ヘテロ界面の原子層制御:上田公二, 熊野 守, 安藤裕一郎, 佐道泰造, 鳴海一雅, 前田佳均, 宮尾正信(第68回応用物理学会学術講演会5p-Q-1, 札幌,2007年9月4-8日)

  56. シリコン系ヘテロ超構造技術の創出と未来型デバイスの夢-半導体ナノテクノロジーリサーチコアの活動を中心として-:宮尾正信(薄膜材料デバイス研究会 第4回研究集会,招待講演, Ⅱb-1, 京都, 2007年11月2-3日)

  57. Al誘起層交換成長法による多結晶SiGe薄膜の低温形成:津村宜孝, 権丈 淳, 佐道泰造. 宮尾正信 (薄膜材料デバイス研究会 第4回研究集会,Ⅱa-2, 京都, 2007年11月2-3日)

  58. RTA法によるGOI(Ge on Insulator)構造の形成と評価:西丸拓朗, 田中政典, 田中貴規, 権丈淳, 佐道泰造, 宮尾正信(2007年 応用物理学会九州支部学術講演会, 1Fa-11, 北九州,2007年12月1-2日)

【2006年】

  1. Low-Temperature Growth of SiGe/SiO2 and Its Device Application : M. Miyao, H. Kanno, T. Aoki, H. Kamizuru, M. Nakamura, A. Kenjo and T. Sadoh (ITC'06 2006 International Thin-Film Transistor Conference, Fukuoka, Japan (Jan. 19 - 20, 2006 ))

  2. Recent Progress of SiGe Heterostructure Technologies for Novel Devices : Masanobu Miyao, Hiroshi Kanno, and Taizoh Sadoh (209th Electrochemical Society Meeting, 391, Denver, U.S.A (May 7-12, 2006))

  3. Electric Field Controlled Mental-Induced Lateral Crystallization of SiGe on Insulating Films : M.Miyao, K.Ueda, H.Kannno, A.Kenjo and T.Sadoh (E-MRS 2006 Spring Meeting, TP1-06, Nice, France (May 29-June 2, 2006))

  4. Advanced Ge Channel TFT with Schottky Source/Drain Structures : T.Sadoh, H.Kamizuru, M.Nakamura, A.Kenjo, and M.Miyao (E-MRS 2006 Spring Meeting, TP2-03, Nice, France (May 29-June 2, 2006))

  5. Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy of Fe3Si on SiGe : K. Ueda, H. Takeuchi, R. Kizuka, M. Kumano, A. Kenjo, T. Sadoh and M. Miyao (E-MRS 2006 Spring Meeting, U /PI -05, Nice, France (May 29-June 2, 2006))

  6. Poly-Ge Thin-Film Transistor with NiGe Schottky Source / Drain Fabricated at Low-Temperature (<500oC) T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao (AM-FPD 06 9-2, Tokyo, Japan (Jul. 5-7, 2006))

  7. Influence of Substrate Orientation on Low-Temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe3Si on Si : K. Ueda, R. Kizuka, H. Takeuchi, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao (APAC-SILICIDE 2006 Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides : Science and Technology, E-1, Kyoto, Japan (Jul.29-31, 2006))

  8. Microstructures of Si0.6Ge0.4 Thin Films Fabricated by Ni-metal Induced Lateral Crystallization : M. Itakura, M. Masumori , Y. Tomokiyo, N. Kuwano, H. Kanno, T. Sadoh and M. Miyao (IMC16 2006 16th International Microscopy Congress, Sapporo, Japan (Sep. 3-8, 2006))

  9. Microstructures of Ge Thin Films Fabricated by Ni-metal Induced Lateral Crystallization : M. Masumori, M. Itakura , Y. Tomokiyo, N. Kuwano, H. Kanno, T. Sadoh and M. Miyao (IMC16 2006 16th International Microscopy Congress, Sapporo, Japan (Sep. 3-8, 2006))

  10. Stress-Relaxation Process during Post-Annealing in SGOI Formed by H+ Irradiation and Oxidation-Induced Ge Condensation : M. Tanaka, T. Sadoh, K. Matsumoto, T. Enokida and M. Miyao (SSDM 2006 ,P-1-22, Yokohama, Japan (Sep. 12-15, 2006))

  11. Low-Temperature Formation of Fe3Si/SiGe Structures for Spintronics Application : T. Sadoh, K. Ueda, M. Kumano, and M. Miyao (2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics , O-03, Sendai, Japan, (Oct. 2- 3, 2006))

  12. Low Temperature Formation of SiGe/Glass Structures for System-in-Display Application: M. Miyao, H. Kanno and T. Sadoh (2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics , Sendai, Japan, (Oct. 2- 3, 2006))

  13. Formation of High Quality SiGe Virtual Substrate for Strained SOI Application : M. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao (2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics , Sendai, Japan, (Oct. 2- 3, 2006))

  14. Development of Strained Si-SiGe-on-Insulator Wafers for High Speed ULSI: H. Nakashima, M. Miyao, M. Nakamae, T.  Asano (ICSICT 2006 International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology , Shanghai, China (Oct.23-26, 2006))

  15. Low Temperature Crystallization of a-SiGe on Insulating Films for Thin Film Transistor Application : M. Miyao, H. Kanno, I. Tsunoda and T. Sadoh (210th Electrochemical Society Meeting, E-13-1465, Cancun Mexico (Oct.29 - Nov.3 2006))
  16. Electric Field Controlled Directional Growth in Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous SiGe on Insulating Films : M. Miyao, H. Kanno, and T. Sadoh (2006 MRS Fall Meeting , L3.3, Boston, USA (Nov.27 ? Dec. 2006))

  17. 水素照射型酸化濃縮法で形成したSiGe仮想基板の歪緩和機構:田中政典,佐道泰造,二宮正晴,榎田豊次,宮尾正信 (第53回応用物理学会学術講演会, 22p-ZE-9, 東京,2006年3月)

  18. 横方向エピタキシャル成長による単結晶Si/絶縁膜構造の形成:焼き締め効果の検討:津村宜孝,上水流隼人,佐道泰造, 権丈淳,木村幸治,吉野千博,米村浩二,荒木正太,浜田弘一,大貫惣明,宮尾正信 (第53回応用物理学会学術講演会,22p-W-10,東京,2006年3月)

  19. Ni誘起横方向結晶化法により作製したGe薄膜結晶の微細構造:増森俊二,板倉賢,桑野範之,菅野裕士,佐道泰造,宮尾正信 (第53回応用物理学会学術講演会 東京,2006年3月)

  20. Ni-MILC法で形成したSi0.6Ge0.4薄膜の微細構造と結晶化温度:板倉賢,増森俊二,友清芳二,桑野範之,菅野裕士,佐道泰造,宮尾正信 (第53回応用物理学会学術講演会 東京,2006年3月) 

  21. ショットキーS/D型Ge-TFTの低温試作(≦500℃):中村真紀,上水流隼人,権丈淳, 佐道泰造, 宮尾正信 (第53回応用物理学会学術講演会,23p-W-2, 東京,2006年3月)

  22. Niインプリント法による非晶質SiGe薄膜の固相成長促進:都甲薫,青木智久,菅野裕士,権丈淳,馬場昭好,浅野種正,宮尾正信 (第53回応用物理学会学術講演会,22p-W-8,東京,2006年3月)

  23. [Ptn/Con]m/SiO2積層構造のアニーリング:合金化と磁気特性の相関:木村真幸,上田公二,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信 (第53回応用物理学会学術講演会,25a-D-11,東京,2006年3月) 

  24. Ge基板上におけるFe3Si薄膜の低温エピタキシャル成長:熊野守,木塚怜,上田公二,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信 (第53回応用物理学会学術講演会,25p-D-1,東京,2006年3月)

  25. IV族半導体基板上に於ける強磁性シリサイド(Fe3Si)の低温エピタキシャル成長:佐道泰造,木塚 怜,竹内 悠,熊野 守,上田公二,権丈 淳,宮尾正信(第9回シリサイド系半導体研究会 東京,2006年3月)

  26. 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の形成:田中政典,佐道泰造,松本光二,榎田豊次,宮尾正信(電子情報通信学会・電子デバイス研究会 福岡 2006年4月17-18日)

  27. 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長:菅野裕士,権丈 淳,佐道泰造,宮尾正信(電子情報通信学会・電子デバイス研究会 福岡 2006年4月17-18日)

  28. 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成:上田公二, 権丈 淳, 佐道泰造, 小柳光正, 宮尾正信(電子情報通信学会・電子デバイス研究会 福岡 2006年4月17-18日)

  29. あたらしい構造を求めて:強磁性シリサイド単結晶薄膜とその機能:佐道泰造,宮尾正信(67回応用物理学会学術講演会 30p-RD-6滋賀,2006829-30,91日)

  30. スピントロニクス用強磁性シリサイド(Fe3Si)/SiGeの低温形成:佐道泰造,上田公二,熊野守,宮尾正信(電子材料研究会 EFM-06-17,仙台,2006103日)

  31. NiGeショットキーS/D型多結晶Ge薄膜トランジスタの試作:中村真紀,上水流隼人,菅野裕士,佐道泰造,宮尾正信(第3回薄膜材料デバイス研究集会 B-7奈良, 20051110-11日)

【2005年】

  1. Self-Aligned Lateral Crystallization of Ni-Mediated a-Si on SiO2 Structures under High Electric Field:H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao (ICSI4 2005 Awaji , Japan, (May. 23-26,2005))

  2. Direct formation of strained Si on insulator by laser annealing:I. Tsunoda, R. Matsuura, M. Ikishima, H. Watakabe, T. Sameshima, and M. Miyao (ICSI4 2005 Awaji , Japan, (May. 23-26,2005))

  3. Morphological change of Co-nanodot on SiO2 by thermal treatment:K. Ueda, T. Sadoh, A. Kenjo, F. Shoji, H. Kurino, M. Koyanagi, and M. Miyao (ICSI4 2005 Awaji , Japan, (May. 23-26,2005))

  4. Thickness dependent stress-relaxation in thin SGOI structures and its improvement : M. Ikishima, I. Tsunoda, T. Sadoh, T. Enokida, M. Ninomiya, M. Nakamae and M. Miyao (ICSI4 2005 Awaji , Japan, (May. 23-26,2005))

  5. Au-induced Lateral Crystallization of a-Si1-xGex(x: 0-1) at low-temperature : T. Aoki, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao (ICSI4 2005 Awaji , Japan, (May. 23-26,2005))

  6. Molecular Beam Epitaxy of Fe3Si Film on Si Substrate : T. Ssadoh, H. Takeuchi, K. Ueda, A. Kenjo, and M. Miyao (AWAD2005 Seoul, Korea, (June 28-30, 2005))

  7. Suppression of Floating-Body Effects in Poly-Si TFT by Schottky S/D Structure : T. Sadoh, Y. Ohyama, A. Kenjo, K. Ikeda, Y. Yamashita, and M. Miyao (AM-LCD 05 TFTp3-2, Kanagawa, Japan, (July 6-8, 2005))

  8. Electric-Field-Assisted Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous SiGe on SiO2: H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh and M. Miyao (AM-LCD 05 TFT1-2, Kanagawa, Japan, (July 6-8, 2005))

  9. Low Temperature Formation and Device Application of SiGe Nano-Crystals on Insulating Films : M. Miyao, H. Kanno and T. Sadoh, (ICCE-12 9a-N9-5, Tenerife, Canary Islands, Spain,(Aug.1-6, 2005))

  10. Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe3Si on Si (111) Substrate:T. Sadoh, H. Takeuchi, K. Ueda, A. Kenjo, and M. Miyao (SSDM 2005 F4-4, Kobe, Japan,(Sep.12-15,2005))

  11. Improved oxidation-induced Ge condensation technique by using H+ irradiation and post-annealing for highly stress-relaxed ultrathin SGOI:M. Tanaka, I. Tsunoda, T. Sadoh, T. Enokida, M. Ninomiya, M. Nakamae and M. Miyao(SSDM 2005 B-7-2, Kobe, Japan, (Sep.12-15,2005))

  12. Ion Beam Induced Interface Slipping for Relaxed SiGe on SiO2 : M. Tanaka, R. Matsuura, T. Sadoh, M. Ninomiya, M. Nakamae, T. Enokida, and M. Miyao (MRS Fall Meeting 2005 OO-5.21, Boston, USA, ( Nov.28-Dec.2,2005))

  13. Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy of Fe3Si/Si(111) : T. Sadoh, H. Takeuchi, R. Kizuka, K. Ueda, H. Kanno, A. Kenjo, and M. Miyao, (MRS Fall Meeting 2005 II-5.2, Boston, USA, ( Nov.28-Dec.2,2005))

  14. Directional Growth of SiGe Nanowires on Insulating Films by Electric-Field-Assisted Metal-Induced Lateral Crystallization:H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao (MRS Fall Meeting 2005 EE-6.8, Boston, USA, ( Nov.28-Dec.2,2005))

  15. Low-Temperature Growth of SiGe/SiO2 and Its Device Application:M. Miyao (International TFT Conference'06 Kitakyushu, Japan (Jan.19-20, 2006))

  16. Electric Field Controlled Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous-SiGe on Insulating Films:M. Miyao, H. Kanno, H. Kamizuru, A. Kenjo and T. Sadoh (MRS Spring Meeting 2006, San Francisco, USA, (Apr.17-21, 2006))

  17. Au触媒を用いた非晶質SiGe薄膜/絶縁体の低温(~400℃)横方向成長:青木智久,菅野裕士,権丈 淳,佐道泰造,宮尾正信 (第52回応用物理学会学術講演会 30a-R-6, 埼玉,2005年3月29日-4月1日)

  18. 非晶質Ge / SiO2の界面変調による固相成長の制御: 太田裕己,菅野裕士,権丈淳,榎田豊次,佐道泰造,宮尾正信 (第52回応用物理学会学術講演会 30a-R-2, 埼玉,2005年3月29日-4月1日)

  19. 高電界印加による金属誘起SiGe固相成長の方向制御: 菅野裕士,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信 (第52回応用物理学会学術講演会 30a-R-4, 埼玉,2005年3月29日-4月1日)

  20. 金属誘起固相成長法により結晶化させたSi0.6Ge0.4薄膜の微細構造:板倉賢, 増森俊二, 友清芳二, 桑野範之, 菅野裕士, 佐道泰造, 宮尾正信(第52回応用物理学会学術講演会 30a-R-5, 埼玉,2005年3月29日-4月1日)

  21. β-FeSi2/Siの熱処理誘起表面凹凸の抑制:非晶質Siキャッピング効果:木塚怜,竹内悠, 角田功, 権丈 淳, 佐道泰造 (第52回応用物理学会学術講演会 1a-YC-8, 埼玉,2005年3月29日-4月1日)

  22. Ge-TFT用ショットキー接合 (NiGe/Ge)の形成と評価:上水流隼人,大山泰弘,佐道泰造,権丈淳,宮尾正信 (第52回応用物理学会学術講演会 31p-YE-2, 埼玉,2005年3月29日-4月1日)

  23. 歪SOI用SiGe仮想基板の高品質化:酸化濃縮に与えるパラメータの検討と制御 :生島政典,角田功,鈴村常夫,二宮正晴,榎田豊次,宮尾正信 (第52回応用物理学会学術講演会 31a-ZL-11, 埼玉,2005年3月29日-4月1日)

  24. 絶縁膜上における金属ナノドットの高密度形成(3)-基板温度効果-:上田公二,大江雄二,佐道泰造,権丈淳,栗野浩之,小柳光正,宮尾正信 (第52回応用物理学会学術講演会 1p-YC-4, 埼玉,2005年3月29日-4月1日)

  25. レーザーアニール法で形成した多結晶Si/ガラスを用いたショットキーS/D-TFT: 大山 泰弘, 佐道 泰造, 権丈 淳, 渡壁 創, 鮫島 俊之, 池田 圭司, 山下 良美, 宮尾 正信 (第52回応用物理学会学術講演会 31p-YE-1, 埼玉,2005年3月29日-4月1日)

  26. 分子線エピタキシー法によるFe3Si薄膜/Si構造の形成と評価: 竹内 悠, 佐道泰造, 権丈 淳, 宮尾正信 (第52回応用物理学会学術講演会 1p-YC-3, 埼玉,2005年3月29日-4月1日)

  27. Ni-MILC成長させた非晶質SiGe薄膜の微構造解析:板倉 賢,増森俊二,友清芳二,桑野範之,菅野裕士,佐道泰造,宮尾正信 (顕微鏡学会第61回学術講演会 筑波,2005年6月)

  28. Si基板上におけるFe3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価:佐道泰造,竹内悠,権丈淳,宮尾正信(電子情報通信学会・電子デバイス研究会,福岡,2005年4月21-22日)

  29. SiGe/SOI構造の酸化濃縮過程における歪の不均一緩和:田中政典,角田功,鈴村常夫,二宮正晴,榎田豊次,宮尾正信 (第66回応用物理学会学術講演会 8a-P5-15 徳島,2005年9月7-11日)

  30. 絶縁膜上における金属ナノドットの高密度形成(4):堆積レート効果:上田公二,佐道泰造,権丈淳,小柳光正,宮尾正信 (第66回応用物理学会学術講演会 11a-S-9 徳島,2005年9月7-11日)

  31. 電界制御による金属誘起SiGe固相成長の高度化:菅野裕士,権丈 淳,佐道泰造,宮尾正信 (第66回応用物理学会学術講演会 9p-A-1 徳島,2005年9月7-11日)

  32. Niインプリント法による非晶質SiGe薄膜/絶縁体の種付け固相成長:青木智久,都甲薫,宋在烈,菅野裕士,権丈淳,馬場昭好,浅野種正,宮尾正信 (第66回応用物理学会学術講演会 9a-A-11 徳島,2005年9月7-11日)

  33. 分子線エピタキシー法によるFe3Si/Siの低温成長と評価:木塚 怜, 竹内 悠, 佐道泰造, 権丈 淳, 宮尾正信 (第66回応用物理学会学術講演会 10p-S-11 徳島,2005年9月7-11日)

  34. SiGe/SOI構造の低温酸化とGe取り込み現象:大賀達夫,生島政典,角田功,佐道泰造,二宮正晴, 榎田豊次,宮尾正信 (第66回応用物理学会学術講演会 8a-P-14 徳島,2005年9月7-11日)
     
  35. 非晶質SiGe薄膜の金属誘起固相成長に与える電界印加効果:菅野裕士,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(第58回電気関係学会九州支部連合大会 04-2P-17 福岡,2005年9月29-30日)

  36. Niインプリント法を用いたSiGe結晶薄膜の低温形成:都甲薫,宋在烈,青木智久,菅野裕士,権丈淳,馬場昭好,浅野種正,宮尾正信(第58回電気関係学会九州支部連合大会 04-2P-16 福岡,2005年9月29-30日)

  37. SiGe/SOI構造の低温酸化とGe取り込み現象:大賀達夫,田中政典,角田功,二宮正晴,榎田豊次,宮尾正信(第58回電気関係学会九州支部連合大会 04-2P-05 福岡,2005年9月29-30日)

  38. 酸化濃縮法による歪緩和SGOI層の形成と欠陥評価:田中政典,角田功,佐道泰造,二宮正晴,中前正彦,榎田豊次,宮尾正信(第58回電気関係学会九州支部連合大会 04-2P-04 福岡,2005年9月29-30日)

  39. ショットキーS/D型Ge-MOSFETの試作と移動度解析:上水流隼人,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(第58回電気関係学会九州支部連合大会 04-2P-06 福岡,2005年9月29-30日)

  40. 全Ge濃度における非晶質SiGe薄膜のNi誘起固相成長:青木智久,菅野裕士,権丈淳, 佐道泰造,宮尾正信 (第58回電気関係学会九州支部連合大会 04-2P-15 福岡,2005年9月29-30日)

  41. 多結晶SiGe/ガラスの低温結晶成長とデバイス応用:宮尾正信, 菅野裕士,上水流隼人, 権丈淳, 佐道泰造(第2回薄膜材料デバイス研究集会 A-13京都, 2005年11月4-5日)

  42. 歪Si-SGOI用SiGeバッファ層の極薄化:宮尾正信(平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会(シンポジウム)福岡,2005年11月26-27日)

  43. 多結晶SiGe/石英を用いたショットキーS/D-TFTの試作と評価:中村真紀,上水流隼人,権丈淳, 佐道泰造, 宮尾正信(平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 1Aa-11, 福岡,2005年11月26-27日)

  44. Pt/Co/SiO2積層構造のアニーリング特性:原子混合と磁気特性の変化:木村真幸,上田公二,佐道泰造,権丈淳,宮尾正信(平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 2Aa-1, 福岡,2005年11月26-27日)

【2004年】

  1. Formation of Polycrystalline-Silicon-Germanium Films by Pulsed Laser-Induced Rapid Annealing : H. Watakabe, T. Sameshima, H. Kanno, T. Sadoh, and M. Miyao ( LPM 2004, Nara , Japan, (May 11-14,2004))

  2. 400oC Formation of Poly-SiGe on SiO2 by Au-Induced Lateral Crystallization:H. Kanno, T. Aoki, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao (ISTDM 2004, Frankfurt (Oder), Germany, (May 16-19,2004))

  3. Ge Enhanced MILC Velocity in a-Ge/a-Si/SiO2 Layered Structure : H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao (ISTDM 2004, Frankfurt (Oder), Germany,(May 16-19,2004))

  4. H+ Implantation-Enhanced Stress-Relaxation in c-Si1-xGex on SiO2 during Oxidation- Induced Ge Condensation Process : T. Sadoh, R. Matsuura, M. Ninomiya, M. Nakamae T. Enokida, H. Hagino, and M. Miyao (ISTDM 2004, Frankfurt (Oder), Germany,(May 16-19,2004))

  5. Improvement of Oxidation-Induced Ge Condensation Method by H+ Implantation and Two-Step Annealing for Highly Stress-Relaxed SGOI : Taizoh Sadoh, Ryo Matsuura, M. Ninomiya, M. Nakamae, T. Enokida, H. Hagino, and M. Miyao (International Conference on Solid State Devices and Materials, C-8-2, Tokyo, Japan, (Sep. 14-17, 2004))

  6. Low-Temperature Formation of Poly-Si1-xGex (x: 0-1) on SiO2 by Au-Mediated Lateral Crystallization : H. Kanno, T. Aoki, A. Kenjo, T. Sadoh and M. Miyao (International Conference on Solid State Devices and Materials, P5-3, Tokyo, Japan, (Sep. 14-17, 2004))

  7. Lattice Strain Engineering of β-FeSi2 by Ge Doping : T. Sadoh, Y. Murakami, A. Kenjo, T. Yoshitake, M. Itakura, T. Enokida, and M. Miyao (AWAD 2004, A9.2 , Nagasaki , Japan , (Jun. 30- Jul. 2,2004))

  8. Development of Strained Silicon Wafer for Next Generation ULSI : H. Nakashima, M. Nakamae, M. Miyao, H. Okushi, T. Asano, and H. Hagino (AWAD 2004, A3.1, Nagasaki , Japan , (Jun. 30- Jul. 2,2004))

  9. Advanced Metal-Induced Lateral Crystallization of Si and SiGe for Future TFT : T. Sadoh, H. Kanno, and M. Miyao (AM-LCD 2004, TFT1-1, Tokyo , Japan,(Aug.25-27, 2004))

  10. Pulsed Laser Crystallization of Silicon-Germanium Films : T. Sameshima, H. Watakabe, H. Kanno, T. Sadoh, and M. Miyao (The 8th International Conference on Polycrystalline Semiconductors Polyse 2004, We-1.3 , Potsdam , Germany ,(Sep.5-10, 2004))

  11. Thickness Dependent Growth Kinetics in Ni-Mediated Crystallization of a-SiGe on Insulator : T. Sadoh, H. Kanno, O. Nakano, A. Kenjo, and M. Miyao (ECS 2004 SiGe, 1296 , Hawaii , U.S.A. (Oct. 3-8,2004))

  12. Formation of High Quality SGOI Structure by Modified Oxidation-Induced Ge Condensation Process : T. Sadoh, R. Matsuura, I. Tsunoda, M. Ninomiya, M. Nakamae, T. Enokida, H. Hagino, and M. Miyao (ECS 2004 SiGe, 1370 , Hawaii , U.S.A. (Oct. 3-8,2004))

  13. Ni-Mediated Crystal Growth in Ge/Si/SiO2 Hetarrostructures:H. Kanno,T. Sadoh, and M. Miyao (SiGe-WS 2004, P-31, Sendai, Japan , (Oct.12-13,2004))

  14. Annealing Characteristics of Poly-SiGe(B) on Insulating Film : I. Tsunoda,T. Sadoh, and M. Miyao (SiGe-WS 2004, P-32, Sendai, Japan , (Oct.12-13,2004))

  15. 非晶質Si薄膜の金属誘起固相成長に与える電界印加効果:菅野裕士,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(第51回応用物理学会学術講演会 28p-ZG-10, 東京, 2004年3月28-31日)

  16. 非晶質Ge / SiO2へのSi局所導入による固相成長の促進:太田 裕己,角田 功,権丈 淳,佐道 泰造,宮尾 正信(第51回応用物理学会学術講演会 28p-ZG-9, 東京, 2004年3月28-31日)

  17. 仮想SiGe基板/SOIの高品質化(4):水素イオン注入試料の結晶性評価:松浦良,佐道泰造,二宮正晴,中前正彦, 榎田豊次,萩野浩靖,宮尾正信(第51回応用物理学会学術講演会 30za-YL-7,東京, 2004年3月28-31日)

  18. 絶縁膜上における金属ナノドットの高密度形成(1):Feドットの形成:松林一也,角田功,佐道泰造,権丈淳,宮尾正信(第51回応用物理学会学術講演会 30a-R-10, 東京, 2004年3月28-31日)

  19. Fe3Si/SiO2の形成と磁気特性:熱処理効果:竹内 悠, 角田 功, 権丈 淳, 佐道泰造, 宮尾正信(第51回応用物理学会学術講演会 30a-R-11, 東京, 2004年3月28-31日)

  20. MILC法により結晶化させた非晶質SiGe薄膜の微細構造解析 : 板倉賢, 太田智久,友清芳二 , 桑野範之 , 菅野裕士 , 佐道泰造 , 宮尾正信 (第65回応用物理学会学術講演会 3a-P9-13, 仙台,2004年9月1-4日)

  21. レーザアニールによる歪Si/SiO2/Si構造の直接形成 : 角田功,松浦良,生島政典,佐道泰造,渡壁創,鮫島俊之,宮尾正信(第65回応用物理学会学術講演会 2p-X-4, 仙台,2004年9月1-4日)

  22. SiGe/SOI構造の酸化濃縮プロセス:酸化温度依存性:田上肇,佐道泰造,二宮正晴中前正彦,榎田豊次,萩野浩靖,宮尾正信 (第65回応用物理学会学術講演会 2p-X-13, 仙台,2004年9月1-4日)

  23. 絶縁膜上における金属ナノドットの高密度形成(2):ドット形成プロセスの金属種依存性:上田公二,松林一也,角田功,佐道泰造,権丈淳,宮尾正信 (第65回応用物理学会学術講演会 2a-P4-11, 仙台,2004年9月1-4日)

  24. 非晶質Si薄膜の金属誘起固相成長に与える電界印加効果 (2) : 電界強度依存性:菅野裕士,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信 (第65回応用物理学会学術講演会 3a-P9-12, 仙台,2004年9月1-4日)

  25. 非晶質Si1-xGex(0≦x≦1)薄膜/絶縁体の共晶誘起横方向成長(1):触媒金属種の探索 : 青木智久,中野修,菅野裕士,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信 (第65回応用物理学会学術講演会 3a-P9-14, 仙台,2004年9月1-4日)

  26. 非晶質Si1-xGex(0≦x≦1)薄膜/絶縁体の共晶誘起横方向成長(2):Au誘起成長 : 青木智久,菅野裕士,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信 (第65回応用物理学会学術講演会 3a-P9-15, 仙台,2004年9月1-4日)

  27. ショットキーS/D型-多結晶Si TFTの動作特性に与える基板濃度の影響:大山泰弘, 権丈淳, 佐道泰造, 池田圭司, 山下良美, 宮尾正信 (第65回応用物理学会学術講演会 3a-P9-27, 仙台,2004年9月1-4日)

  28. 非晶質Ge/非晶質Si/SiO2の固相成長におけるSi膜厚効果:太田裕己,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(第57回電気関係学会九州支部連合大会 05-2A-03,鹿児島,2004年9月27-28日)

  29. 電界印加型金属誘起固相成長法による多結晶Si薄膜/絶縁膜の低温形成:菅野裕士,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(第57回電気関係学会九州支部連合大会 05-2A-04,鹿児島,2004年9月27-28日)

  30. 歪Si-SOI用SiGe仮想基板の高品質化:酸化濃縮プロセスの検討:生島政典,角田功,佐道泰造,二宮正晴,中前正彦,榎田豊次,宮尾正信(第57回電気関係学会九州支部連合大会 05-2A-08,鹿児島,2004年9月27-28日)

  31. 分子線エピタキシー法によるシリサイド半導体 β-FeSi2/Siの形成と歪評価:木塚怜,竹内悠,角田功,佐道泰造,権丈淳,宮尾正信(第57回電気関係学会九州支部連合大会 05-2A-17,鹿児島,2004年9月27-28日)

  32. 固相成長法による磁性金属ナノドット/SiO2の高密度形成:上田公二,松林一也,角田功,佐道泰造,権丈淳,宮尾正信(第57回電気関係学会九州支部連合大会 05-2P-08,鹿児島,2004年9月27-28日)

  33. 瞬間溶融法による歪Si/SiO2/Si構造の形成:角田功,松浦良,生島政典,佐道泰造,渡壁創,鮫島俊之,宮尾正信(第57回電気関係学会九州支部連合大会 05-2A-07,鹿児島,2004年9月27-28日)

  34. Si及びSiO2上における強磁性体シリサイドFe3Siの形成と評価:竹内 悠, 権丈 淳, 佐道 泰造, 宮尾 正信(第57回電気関係学会九州支部連合大会 05-2P-07,鹿児島,2004年9月27-28日)

  35. 非晶質Si1-xGex(0≦x≦1)薄膜の低温結晶成長用触媒金属種の探索:青木智久,中野修,菅野裕士,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(第57回電気関係学会九州支部連合大会 05-2A-05,鹿児島,2004年9月27-28日)

  36. ショットキーS/D型-多結晶Si TFTの試作と評価:大山泰弘, 権丈 淳, 佐道泰造, 池田圭司,山下良美,宮尾正信(第57回電気関係学会九州支部連合大会 05-2A-06,鹿児島,2004年9月27-28日)

【2003年】

  1. Ge dependent morphological change in poly-SiGe formed by Ni-mediated crystallization : H. Kanno, I. Tsunoda, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao (First International SiGe Technology and Device Meeting, VIII-B-3, Nagoya, Japan, January 15-17, 2003

  2. Enhanced Crystal Nucleation in a-SiGe/SiO2 by Ion-irradiation Assisted Annealing : I. Tsunoda, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao (First International SiGe Technology and Device Meeting, IX-B-2, Nagoya, Japan, January 15-17, 2003)

  3. Solid Phase Crystallization of High-Quality SiGe Films on SiO2 by Local Ge-Insertion : I.Tsunoda, K.Nagatomo, T.Sadoh, A.Kenjo,and M.Miyao (E-MRS2003Spring Meeting, D-III.8, Strasbourg, France, June 10-13,2003)

  4. Enhancement of Metal-Induced Crystallization in SiGe/Ge/Ni/SiO2 Layered Structure : H. Kanno, A.Kenjo, T.Sadoh, and M.Miyao (E-MRS2003Spring Meeting, D/PIII.29, Strasbourg, France, June 10-13, 2003)

  5. Low-Temperature Formation of Poly-SiGe on SiO2 by Ion-Beam Stimulated Solid-Phase Crystallization : I.Tsunoda, A.Kenjo, T.Sadoh, and M.Miyao (2003 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays, TFT2-2, Tokyo, Japan, July 9-11, 2003)

  6. Low-Temperature Formation of poly-SiGe on Insulator by Metal-Induced Lateral Crystallization : H.Kanno, T.Sadoh, A.Kenjo, and M.Miyao (2003 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays, TFTp2-4, Tokyo, Japan, July 9-11, 2003)

  7. Electrical Properties of Laser Crystallized Sillicon-Germanium Films : H.Watakabe, T.Sameshima, H.Kanno, T.Sadoh and M.Miyao (2003 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays, TFT,pp2-4, Tokyo, Japan, (Jul. 9-11, 2003))

  8. Formation of Strained a-FeSi2(Ge) by Ge-Segregation Controlled Solid-Phase Growth of [Amorphous Si/FeSiGe]n Multi-Layered Structure : T.Sadoh, M.Owatari, Y.Murakami, A.Kenjo, T.Yoshitake, M.Itakura and M.Miyao (International Conference on Solid State Devices and Materials, P4-11, Tokyo, Japan, (Sep. 16-18, 2003))

  9. Nucleation-Control in Solid-Phase-Crystallization of a-Si/SiO2 by Local Ge Insertion : I.Tsunoda, K.Nagatomo, A.Kenjo, T.Sadoh, S.Yamaguchi and M.Miyao (International Conference on Solid State Devices and Materials, pp4-8, Tokyo, Japan, (Sep. 16-18, 2003))

  10. Enhanced Metal-Induced Lateral Crystallization in Amorphous Ge/Si Layered Structure by Precursor Modulation : H.Kanno, A.Kenjo, T.Sadoh and M.Miyao (International Conference on Solid State Devices and Materials, D-6-4 Tokyo, Japan, (Sep. 16-18, 2003))

  11. Impurity Conduction in Ion Beam Synthesized β-FeSi2/Si : Y.Murakami, Y.Tsukahara, A.Kenjo, T.Sadoh, Y.Maeda and M.Miyao (IUMRS-ICAM 2003, C7-11-P15, Yokohama, Japan, (Oct. 8-13,2003))

  12. Growth of SiGe/a-FeSi2 Superstructure by Annealing of Amorphous Si/FeSiGe Layered Structure : T.Sadoh, M.Owatari, Y.Murakami, A.Kenjo, T.Yoshitake, M.Itakura and M.Miyao (IUMRS-ICAM 2003, C7-11-P25, Yokohama, Japan, (Oct. 8-13,2003))

  13. Solid-Phase Crystallization of β-FeSi2 Thin Film in Fe/Si Structure : Y.Murakami, I.Tsunoda, A.Kenjo, T.Sadoh, M.Miyao and T.Yoshitake (IUMRS-ICAM 2003, C7-13-O03, Yokohama, Japan, (Oct. 8-13,2003))

  14. Ge thickness dependent solid-phase crystallization of a-Si/a-Ge multi-layers deposited on SiO2:I.Tsunoda, K.Nagatomo, A.Kenjo, T.Sadoh M.Miyao (International Symposium on Information Science and Electrical Engineering (ISEE2003), 1B-3, Fukuoka, Japan, (Nov. 13-15, 2003))

  15. Ge-fraction dependent lattice strain in β-FeSi2(Ge) formed by solid-phase growth of [a-Si/a-FeSiGe]n multi-layer:Y.Murakami, A.Kenjo, T.Sadoh, T.Yoshitake, M.Itakura and M.Miyao (International Symposium on Information Science and Electrical Engineering(ISEE2003), 5B-2, Fukuoka, Japan, (Nov. 13-15, 2003))

  16. Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Si Enhanced by Ge Layer Insertion:H.Kannno, A.Kenjo, T.Sadoh and M.Miyao (International Symposium on Information Science and Electrical Engineering(ISEE2003), P-09, Fukuoka, Japan, (Nov. 13-15, 2003))

  17. Enhanced crystal nucleation in a-Si on SiO2 by local Ge doping : T.Sadoh, K.Nagatomo, A.Kenjo and M.Miyao ( 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 17C12, Nara, Japan, (Nov. 16-20, 2003))

  18. Strain of a-FeSi2 modulated by Ge segregation in solid-phase growth of [a-Si/a-FeSiGe]n stacked structure : T.Sadoh, Y.Murakami, A.Kenjo, T.Yoshitake, M.Itakura and M.Miyao (7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 18P045, Nara, Japan,( Nov. 16-20, 2003))

  19. Low-Temperature Formation of SiGe Nano-crystals by Metal-induced Lateral Crystallization : M.Miyao, H.Kanno, T.Sadoh and A.Kenjo (APNF 2003 “Oz Nano 03”(The asia Pacific Nanotechnology Forum Annual Conference), Cairns, Australia, (Nov. 19-21, 2003))

  20. Positon Control of Nucleation in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO2 by Ge Layer Insertion : T.Sadoh, K.Nagatomo, I.Tsunoda, A.Kenjo and M.Miyao (2003 MRS Fall Meeting, V2.5, Boston, USA, (Dec. 1-5, 2003))

  21. Formation of High Quality β-FeSi2 by Pre-Amorphization-Enhanced Atomic Mixing : Y.Murakami, I.Tsunoda, A.Kenjo, T.Sadoh, T.Yoshitake and M.Miyao (2003 MRS Fall Meeting, R9.16, Boston, USA, (Dec. 1-5, 2003))

  22. Strain Modulation of β-FeSi2 by Ge-Segregation in Solid-Phase Growth of [a-Si/a- FeSiGe]n Multi-Layer : Y.Murakami, A.Kenjo, T.Sadoh, T.Yoshitake, M.Itakura and M.Miyao (2003 MRS Fall Meeting,V2.9, Boston, USA, (Dec. 1-5, 2003))

  23. 仮想SiGe基板/SOIの高品質化(2):低欠陥・高平坦形成:宮田昌樹,佐道泰造,長友圭,菅野裕士,角田功,権丈淳,榎田豊次,萩野浩靖,宮尾正信(第50回応用物理学関係連合講演会29p-ZV-12,横浜,2003年3月27-30日)

  24. 多結晶SiGe/SiO2にイオン注入(P+,B+,BF2+)した不純物の電気的活性化:田上肇,権丈淳,佐道泰造,宮内昭浩,井上洋典,宮尾正信(第50回応用物理学関係連合講演会29a-ZV-8,横浜,2003年3月27-30日)

  25. 絶縁膜上に形成した多結晶SiGe薄膜の粒内物性評価:松浦良,権丈淳,佐道泰造,鮫島俊之,宮尾正信(第50回応用物理学関係連合講演会29a-ZV-9,横浜,2003年3月27-30日)

  26. イオン線誘起固相成長法で低温形成した多結晶SiGe/絶縁膜の結晶性評価:角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(第50回応用物理学関係連合講演会28a-ZT-11,横浜,2003年3月27-30日)

  27. 非晶質Si/SiO2へのGe局所導入による結晶核発生の位置制御:長友圭,権丈淳, 角田功,佐道泰造,宮尾正信(第50回応用物理学関係連合講演会28a-ZT-10,横浜,2003年3月27-30日)

  28. 非晶質SiGe / 絶縁膜における金属誘起固相成長の膜厚依存性:中野修,菅野裕士,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(第50回応用物理学関係連合講演会28a-ZT-7,横浜,2003年3月27-30日)

  29. 金属誘起固相成長法による非晶質SiGe薄膜の結晶化機構の解析:吉田星一,板倉賢,友清芳二,桑野範之,菅野裕士,佐道泰造,宮尾正信(第50回応用物理学関係連合講演会28p-ZT-8,横浜,2003年3月27-30日)

  30. 非晶質Ge/Si積層構造による金属誘起固相成長の促進:菅野裕士,角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(第50回応用物理学関係連合講演会28a-ZT-9,横浜,2003年3月27-30日)

  31. レーザアニールによる多結晶SiGe/SiO2の形成(1):結晶性評価:菅野裕士,佐道泰造,宮尾正信,大槻綾子,安東信行,鮫島俊之(第50回応用物理学関係連合講演会28p-ZT-1,横浜,2003年3月27-30日)

  32. レーザアニールによる多結晶SiGe/SiO2の形成(2):電気特性評価:渡壁創,大槻綾子,安東伸行,鮫島俊之,菅野裕士,佐道泰造,宮尾正信,(第50回応用物理学関係連合講演会28p-ZT-2,横浜,2003年3月27-30日)

  33. レーザアニールによる多結晶SiGe/SiO2の形成(3):TFT試作:渡壁創,鈴木正人,金子吉保,鮫島俊之,菅野裕士,佐道泰造,宮尾正信,(第50回応用物理学関係連合講演会28p-ZT-3,横浜,2003年3月27-30日)

  34. β-FeSi2/Si固相成長に与える基板表面の非晶質化効果:村上裕二,角田功,権丈淳,佐道泰造,吉武剛,宮尾正信(第50回応用物理学関係連合講演会30a-ZD-11,横浜,2003年3月27-30日)

  35. イオンビーム合成したβ-FeSi2の不純物伝導:塚原陽平,村上裕二,権丈淳,佐道泰造,前田佳均,宮尾正信(第50回応用物理学関係連合講演会30p-ZD-1,横浜,2003年3月27-30日)

  36. 非晶質FeSiGe/Si固相成長による歪β-FeSi2の形成:佐道泰造(第50回応用物理学関係連合講演会30p-ZD-4,横浜,2003年3月27-30日)

  37. 絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温形成と次世代ディスプレー:宮尾正信,角田功,菅野裕士,長友圭,佐道泰造,権丈淳(電子情報通信学会-有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)およびディスプレー技術-,九州寿会館(飯塚),2003年4月14日)

  38. ショットキーS/D-MOSFET用シリサイド電極の形成と評価:大山泰弘,権丈淳,佐道泰造,池田圭司,宮尾正信(第64回応用物理学会学術講演会 31p-YB-20,福岡,2003年8月30日-9月2日)

  39. 仮想SiGe基板/SOIの高品質化(3):界面への水素イオン注入:松浦良,佐道泰造,二宮正晴,中前正彦,榎田豊次,萩野浩靖,宮尾正信(第64回応用物理学会学術講演会 31a-H-8,福岡,2003年8月30日-9月2日)

  40. SiGe薄膜/絶縁膜の低温成長とデバイス応用:宮尾正信(第64回応用物理学会学術講演会 30p-ZD-10,福岡,2003年8月30日-9月2日)

  41. レーザアニールにより作製した多結晶SiGe膜の欠陥低減:渡壁創,鮫島俊之,菅野裕士,佐道泰造,宮尾正信(第64回応用物理学会学術講演会 2a-A-10,福岡,2003年8月30日-9月2日)

  42. 非晶質SiGe/SiO2構造の固相成長における膜厚効果:太田裕己,角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(第64回応用物理学会学術講演会 2p-A-1,福岡,2003年8月30日-9月2日)

  43. 対向ターゲット式DCスパッタリング法によりSi基板上に作製したβ- FeSi2薄膜の光・電気特性:井口祥佑,吉武剛,由利彰崇,佐道泰造,宮尾正信,永山邦仁(第64回応用物理学会学術講演会 2a-ZB-5,福岡,2003年8月30日-9月2日)

  44. [非晶質Si/非晶質FeSi]4/SiO2多層構造の固相成長による歪β-FeSi2/ SiO2の形成:塚原陽平,権丈淳,佐道泰造,吉武剛,宮尾正信(第64回応用物理学会学術講演会 2a-ZB-6,福岡,2003年8月30日-9月2日)

  45. [非晶質Si/非晶質FeSiGe]n多層構造の固相成長による歪β-FeSi2(Ge)の形成:村上裕二,尾渡正和,佐道泰造,吉武剛,板倉賢,榎田豊次,宮尾正信(第64回応用物理学会学術講演会 2a-ZB-7,福岡,2003年8月30日-9月2日)

  46. Ge固相拡散によるβ-FeSi2の歪み変調:竹内悠,村上裕二,権丈淳,佐道泰造,吉武剛,宮尾正信(第64回応用物理学会学術講演会 2a-ZB-8,福岡,2003年8月30日-9月2日)

  47. イオン線照射による非晶質Si1-xGex/SiO2の低温固相成長:角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会 07-1A-16,熊本,2003年9月26-27日)

  48. 前駆体Si薄膜の構造変調による金属誘起固相成長の促進:菅野裕士,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会 07-1A-15,熊本,2003年9月26-27日)

  49. 歪Si-SOI用SiGe仮想基板の高品質化:Geの固相拡散過程 :田上肇,松浦良,宮田昌樹,権丈淳,佐道泰造,二宮正晴,中前正彦,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会 07-1A-10,熊本,2003年9月26-27日)

  50. 絶縁膜上における歪β-FeSi2膜の形成と発光:塚原陽平,権丈淳,佐道泰造,吉武剛,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会 07-1P-09,熊本,2003年9月26-27日)

  51. 非晶質SiGe/SiO2の金属誘起固相成長における膜厚効果:中野修,菅野裕士,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会 07-1A-14,熊本,2003年9月26-27日)

  52. 歪Si-SOI用SiGe仮想基板の高品質化:界面への水素イオン注入 :松浦良,佐道泰造,二宮正晴,中前正彦,榎田豊次,萩野浩靖,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会 07-1A-11,熊本,2003年9月26-27日)

  53. 非晶質SiGe/SiO2,Si/Ge/SiO2構造の固相成長における膜厚効果:太田裕己,角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会 07-1A-12,熊本,2003年9月26-27日)

  54. 次世代CMOSトランジスタ用Niシリサイド電極の形成と評価:大山泰弘,権丈淳,佐道泰造,池田圭司,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会 07-1A-08,熊本,2003年9月26-27日)

  55. 固相拡散法によるβ-FeSi2へのGe導入と歪み変調:竹内悠,村上裕二,権丈淳,佐道泰造,吉武剛,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会 07-1P-08,熊本,2003年9月26-27日)

  56. 酸化膜上におけるFeナノドットの高密度形成:松林一也,角田功,佐道泰造,権丈淳,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会 07-1P-03,熊本,2003年9月26-27日)

【2002年】

  1. Metal-induced crystallization of amorphous SiGe films on insulator : H. Kanno, I. Tsunoda, A. Kenjo, T. Sadoh, S. Yamaguchi, and M. Miyao (The 2nd International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors, IV-01, Kofu, Japan, June 2-4, 2002)

  2. Pre-Irradiation Effect on Solid-Phase Crystallization in a-Si1-xGex on SiO2 : T. Sadoh, I. Tsunoda, A. Kenjo, S. Yamaguchi, and M. Miyao (The 2nd International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors, IV-02, Kofu, Japan, June 2-4, 2002)

  3. Relaxation process of ion irradiation defects in IV-semiconductors : Y. Murakami, M. Miyata, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao (E-MRS Spring Meeting, E/P75, Strasbourg, France, June 18-21, 2002)

  4. Low-temperature formation of poly-SiGe on insulator enhanced by metal-catalysis and ion-irradiation : T. Sadoh, I. Tsunoda, H. Kanno, A. Kenjo, S. Yamaguchi, and M. Miyao (E-MRS Spring Meeting, K-IV.4, Strasbourg, France, June 18-21, 2002)

  5. Ion-beam irradiation effect on solid-phase growth of β-FeSi2 : Y. Murakami, H. Kido, A. Kenjo, T. Sadoh, T. Yoshitake, and M. Miyao (E-MRS Spring Meeting, H/IP.34, Strasbourg, France, June 18-21, 2002)

  6. Thickness Dependence and Pre-Irradiation Effects for Low-Temperature Nucleation in a-Si1-xGex ON SiO2 : T. Sadoh, I. Tsunoda, A. Kenjo, S. Yamaguchi, and M. Miyao Miyao (2002 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays, TFTp2-2, Tokyo, Japan, July 10-12, 2002)

  7. CoSi2 Gate Electrode for High-Performance MOS Tunneling Cathode : T. Sadoh, Y. Zhang, H. Yasunaga, A. Kenjo, T. Tsurushima, and M. Miyao (The 5th Joint Symposium on Electronic Materials (JSEM 2002), Fukuoka, Japan, August 25-28, 2002)

  8. Enhanced Solid Phase Growth of β-FeSi2 by Pre-Amorphization: Y. Murakami, A. Kenjo, T. Yoshitake, and M. Miyao (13th International Conference on Ion Beam Modification of Materials, P1-043, Kobe, Japan, September 1-6, 2002)

  9. Etching Characteristics of SiO2 Irradiated with Focused Ion Beam : T. Sadoh, H. Eguchi A. Kenjo, and M. Miyao (13th International Conference on Ion Beam Modification of Materials, P2-061, Kobe, Japan, September 1-6, 2002)

  10. Dose Dependent Etching Selectivity in SiO2 by Focused Ion Beam : T. Sadoh, H. Eguchi, A. Kenjo, and M. Miyao (International Conference on Solid State Devices and Materials, B-8-2, Nagoya, Japan, September 17-20, 2002)

  11. Metal-Induced Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films on Insulator : H. Kanno, I. Tsunoda, A. Kenjo, T. Sadoh, S. Yamaguchi, and M. Miyao (International Conference on Solid State Devices and Materials, C-9-2, Nagoya, Japan, September 17-20, 2002)

  12. Metal-Induced Low-Temperature Crystallization of Amorphous SiGe on Insulating Films : M.Miyao, H.Kanno, I.Tsunoda, T.Sadoh, A.Kenjo (MRS Fall Meeting, M2.8, Boston, USA, December 2-6,2002 )

  13. 400℃ Formation of Poly-Si1-xGex (X≧0.5) on SiO2 by Ion-Beam Stimulated Solid-Phase-Crystallization : I.Tunoda, H.Kanno, A.Kenjo, T.Sadoh, and M.Miyao (MRS Fall Meeting, M8.22, Boston, USA, December 2-6,2002)

  14. 集束イオンビーム照射によるSi及びGeの増速エッチング特性:長友圭,江口博臣,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信,(第49回応用物理学関係連合講演会 28p-L-2,平塚,2002年3月27-30日)

  15. Si結晶のイオン線照射誘起欠陥の挙動とドーピング効果:宮田昌樹,村上裕二,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信,(第49回応用物理学関係連合講演会29p-G-6,平塚,2002年3月27-30日)

  16. 多結晶SiGe/SiONにおける導入不純物の不活性化過程の深さ方向分析:権丈淳, 国頭正樹, 佐道泰造, 宮内昭浩, 井上洋典, 宮尾正信,(第49回応用物理学関係連合講演会27p-ZR-11,平塚,2002年3月27-30日)

  17. 非晶質Si/Ge/絶縁膜積層構造における固相成長の促進:長友圭,角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信,(第49回応用物理学関係連合講演会28p-G-8,平塚,2002年3月27-30日)

  18. 非晶質Si(Ge)/ 絶縁膜における金属誘起固相成長(1) ― 前駆体効果―:菅野裕士,角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信,(第49回応用物理学関係連合講演会28p-G-3,平塚,2002年3月27-30日)

  19. 非晶質Si(Ge) / 絶縁膜における金属誘起固相成長(2) ―Ge濃度依存性―:菅野裕士,角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信,(第49回応用物理学関係連合講演会28p-G-4,平塚,2002年3月27-30日)

  20. β-FeSi2固相成長におけるイオン線照射効果:村上裕二,城戸英男,尾渡正和,権丈淳,佐道泰造,由利彰崇,吉武剛,宮尾正信,(第49回応用物理学関係連合講演会30a-P11-14,平塚,2002年3月27-30日)

  21. β-FeSi2固相成長におけるGe添加効果:尾渡正和, 村上裕二, 城戸英男, 権丈淳,佐道泰造, 吉武剛 , 宮尾正信(第49回応用物理学関係連合講演会30a-P11-15,平塚,2002年3月27-30日)

  22. 対向ターゲット式DC スパッタリング法により作製したb-FeSi2 薄膜の光・電気基礎特性:由利彰崇、吉武剛、永山邦仁、佐道泰造、宮尾正信(第49回応用物理学関係連合講演会30a-P11-13,平塚,2002年3月27-30日)

  23. 赤外分光法による多結晶SiGe/SiO2の粒内物性評価:松浦良(第4回デバイス研究会,福岡,2002年6月29日)

  24. イオン誘起固相成長法によるSiGe擬似単結晶の低温形成:角田功(第4回デバイス研究会,福岡,2002年6月29日)

  25. 歪みSi/SiGeバッファ/SOI構造の高品質化検討:宮田昌樹(第4回デバイス研究会,福岡,2002年6月29日)

  26. β-FeSi2固相成長におけるGe添加効果:尾渡正和(第4回デバイス研究会,福岡,2002年6月29日)

  27. 仮想SiGe基板/SOIの高品質化(1):非晶質SiGeの拡散:宮田昌樹,長友圭,菅野裕士,角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信,萩野浩靖,榎田豊次(第63回応用物理学会学術講演会26a-P11-25,新潟大学,2002年9月24-27日)

  28. 非晶質SiGe/絶縁膜の低温固相成長(1)-初期非晶晶質性の検討-:角田功,菅野裕士,長友圭,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(第63回応用物理学会学術講演会26p-G-5,新潟大学,2002年9月24-27日)

  29. 非晶質SiGe/絶縁膜の低温固相成長(2)-イオン誘起核発生- : 角田功,菅野裕士,長友圭,権丈淳, 佐道泰造,宮尾正信(第63回応用物理学会学術講演会26p-G-6,新潟大学,2002年9月24-27日)

  30. Si基板非晶質化によるβ-FeSi2形成の促進:村上裕二,尾渡正和,権丈淳,佐道泰造,吉武剛,宮尾正信(第63回応用物理学会学術講演会26p-ZC-2,新潟大学,2002年9月24-27日)

  31. β-FeSi2の格子歪み変調(1):Ge導入効果:尾渡正和,村上裕二,権丈淳,佐道泰造,吉武剛,宮尾正信(第63回応用物理学会学術講演会26p-ZC-3,新潟大学,2002年9月24-27日)

  32. 対向ターゲット式DCスパッタリング法によるアモルファスライクFeSi2薄膜の作製とその評価:由利彰崇,吉武剛,佐道泰造,宮尾正信,永山邦仁(第63回応用物理学会学術講演会26p-ZC-8,新潟大学,2002年9月24-27日)

  33. Ge局所導入による擬似Si単結晶/SiO2の形成(1)~結晶核の空間位置制御~:長友圭,角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,長崎,2002年9月26-27日)

  34. Ge局所導入による擬似Si単結晶/SiO2の形成(2)~結晶核の方位制御~:長友圭,角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,長崎,2002年9月26-27日)

  35. 金属触媒誘起固相成長法を用いた多結晶SiGe薄膜/絶縁膜の低温形成:菅野裕士,角田功,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,長崎,2002年9月26-27日)

  36. 固相拡散法による歪みSi用SiGe仮想基板の形成:宮田昌樹,長友圭,菅野裕士,角田功,権丈淳,佐道泰造,榎田豊次,萩野浩靖,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,長崎,2002年9月26-27日)

  37. イオン(B+,P+)注入した多結晶SiGe/SiO2のアニーリング特性:田上肇,権丈淳,佐道泰造,宮内昭浩,井上洋典,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,長崎,2002年9月26-27日)

  38. 次世代ゲート用多結晶SiGe薄膜の粒内物性物価:松浦良,権丈淳,佐道泰造,鮫島俊之,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,長崎,2002年9月26-27日)

  39. Ge導入によるβ-FeSi2の格子歪み制御:尾渡正和,村上裕二,権丈淳,佐道泰造,由利彰崇,吉武剛,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,長崎,2002年9月26-27日)

  40. β-FeSi2/Siの正孔伝導の機構:塚原陽平,城戸英男,村上裕二,権丈淳,佐道泰造,宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,長崎,2002年9月26-27日)


【2001年】

  1. Improvement of thermal stability in in-situ doped poly-SiGe gate on SiON : T. Sadoh, Fitrianto, A. Kenjo, A. Miyauchi, H. Inoue, and M. Miyao (The 1st International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors, II-10, Sendai, Japan, January 21-23, 2001)

  2. Thermal stability of B in poly-SiGe on SiON : T. Sadoh, Fitrianto, M. Kunigami, A. Kenjo, A. Miyauchi, H. Inoue, and M. Miyao (E-MRS Spring Meeting, D-V/P22, Strasbourg, France, June 5-8, 2001)

  3. Low-temperature solid-phase crystallization of a-Si1-XGeX ON SiO2 by ion-beam stimulation : I. Tsunoda, T. Nagata, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao (E-MRS Spring Meeting, D-XI/P11, Strasbourg, France, June 5-8, 2001)

  4. Low temperature solid-phase crystallization of a-Si1-XGeX for future TFT : M. Miyao, T. Sadoh, S. Yamaguchi, and S. K. Park (2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), 4.1 (invited), Cheju, Korea, July 4-7, 2001)(招待)

  5. Enhancement of solid-phase crystallization of a-Si on SiO2 by Si-Si bond modulation : T. Sadoh, I. Tsunoda, T. Nagata, A. Kenjo, and M. Miyao (2001 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays, TFTp4-2, Tokyo, Japan, July 11-13, 2001)

  6. Post-annealing behavior of in-situ doped poly-SiGe on SiON : M. Miyao, T. Sadoh, A. Kenjo, Fitrianto, A. Miyauchi, H. Inoue (The 13th International Conference on Crystal Growth (ICCG13), 31p-S13-04, Kyoto, Japan, July 30-August 4, 2001)

  7. Mechanism of Improved Thermal Stability of B in Poly-SiGe Gate on SiON: T. Sadoh, Fitrianto, A. Kenjo, A. Miyauchi, H. Inoue, and M. Miyao (International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, Japan, September 28, 2001)

  8. SiO2における集束Siイオンビーム照射誘起増速エッチング:佐道泰造,江口博臣, 権丈淳,宮尾正信(第48回応用物理学関係連合講演会 28aP2-17,東京,2001年3月28日)

  9. FeSi2固相成長における基板効果の検討:佐道泰造,吉門豊,城戸英男,花田利文, 権丈淳,吉武剛,宮尾正信(第48回応用物理学関係連合講演会 28aG6,東京,2001年3月28日)

  10. 多結晶SiGe/SiONにおける導入不純物の熱的安定性の向上:権丈淳,フィトリアント,国頭正樹,佐道泰造,宮内昭浩,井上洋典,宮尾正信(第48回応用物理学関係連合講演会 30pD7,東京,2001年3月30日)

  11. 絶縁膜上における非晶質Siの固相成長に与えるボンド変調効果:角田 功,永田朝洋,権丈 淳,佐道泰造,宮尾正信(第48回応用物理学関係連合講演会 31aP16-3,京,2001年3月31日)

  12. イオン誘起固相成長によるSiGe擬似結晶/絶縁膜の形成:佐道泰造,角田功,権丈淳,宮尾正信(平成13年電気学会 電子・情報・システム部門大会MC1-2,琉球大学,2001年9月7日)

  13. 多結晶SiGe/SiONにおける導入不純物の熱的安定化の機構:権丈淳,佐道泰造,フィトリアント,国頭正樹,宮内昭浩,井上洋典,宮尾正信(第62回応用物理学会学術講演会12aS7,愛知工業大学,2001年9月12日)

  14. 絶縁膜上における非晶質SiGeの固相成長に与えるイオン線照射効果:角田 功,菅野 裕士,権丈 淳,佐道 泰造,宮尾 正信(第62回応用物理学会学術講演会13aS7,愛知工業大学,2001年9月13日)

  15. SiおよびGeにおけるイオン線照射誘起欠陥の緩和過程:村上裕二,山内英巧,佐道泰造,権丈淳,宮尾正信(第62回応用物理学会学術講演会13aV7,愛知工業大学,2001年9月13日)

  16. 集束Siイオンビームを照射したSiO2層のエッチング特性:佐道泰造,江口博臣,権丈淳,宮尾正信(第62回応用物理学会学術講演会13aG5,愛知工業大学,2001年9月13日)

  17. 金属触媒誘起固相成長法を用いた多結晶Si薄膜/絶縁膜の低温形成:菅野裕士、角田功、権丈淳、佐道泰造、宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,佐賀,2001年10月5日)

  18. 次世代ゲート電極用多結晶SiGe/SiONにおける導入不純物分布の熱処理依存性:国頭正樹、権丈淳、佐道泰造、宮尾正信、宮内昭浩、井上洋典(電気関係学会九州支部連合大会,佐賀,2001年10月5日)

  19. SiO2上における非晶質Si1-xGex薄膜のイオン線誘起固相成長:角田功、菅野裕士、長友圭、権丈淳、佐道泰造、宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,佐賀,2001年10月5日)

  20. 集束イオンビーム照射によるSi及びGe増速エッチング特性:長友圭、江口博臣、権丈淳、佐道泰造、宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,佐賀,2001年10月5日)

  21. Si結晶中イオン線照射誘起欠陥の挙動におけるドーピング不純物濃度依存性:宮田昌樹、村上裕二、権丈淳、佐道泰造、宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,佐賀,2001年10月5日)

  22. SiおよびGeにおけるイオン照射損傷の緩和過程の解明:村上裕二、宮田昌樹、権丈淳、佐道泰造、宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,佐賀,2001年10月5日)

  23. Fe/Si構造におけるβ-FeSi2形成とその基板面方位依存性:城戸英男、吉門豊、佐道泰造、権丈淳、花田利文、由利彰崇、吉武剛、宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,佐賀,2001年10月5日)

  24. 直接遷移型鉄シリサイド薄膜におけるエネルギー帯構造の光学的評価:尾渡正和、石井俊輔、権丈淳、佐道泰造、小寺信夫、由利彰崇、吉武剛、宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,佐賀,2001年10月5日)

  25. β-FeSi2固相成長における基板面方位、膜厚及びGe添加の影響:佐道泰造、城戸英男、尾渡正和、村上裕二、権丈淳、由利彰崇、花田利文、吉武剛、宮尾正信(第1回シリサイド系半導体研究会,堺,2001年11月6日)

  26. a-SiGe/SiO2の固相成長における膜厚依存性及びGe添加効果:永田朝洋、角田功、権丈淳、佐道泰造、宮尾正信(平成13年度応用物理学会九州支部講演会,佐賀,2001年12月1日)

  27. 対向ターゲット式DCスパッタリング法によるβ-FeSi2薄膜の作製とその光・電気特性:由利彰崇、吉武剛、永山邦仁、佐道泰造、宮尾正信(平成13年度応用物理学会九州支部講演会,佐賀,2001年12月1日)


【2000年】

  1. Ion-stimulated Solid-phase Crystallization of Amorphous Si on SiO2 : M. Miyao, I. Tsunoda, T. Sadoh, and A. Kenjo (E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, May 30-June 2, 2000)

  2. Influence of substrate orientation on solid phase regrowth of FeSi2 on Si : T. Sadoh, Y. Yoshikado, T. Hanada, A.Kenjo, T.Yoshitake, and M.Miyao (Japan-UK Joint Workshop on KANKYO- Semiconductors, Tsukuba, Japan, August 3-4, 2000)

  3. High Performance MOS Tunneling Cathode with CoSi2 Gate Electrode : T. Sadoh, Y. Zhang, H. Yasunaga, A. Kenjo, T. Tsurushima, and M. Miyao (International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Japan, August 29, 2000)

  4. Ion Irradiation Stimulated Crystal Nucleation in Amorphous Si on SiO2 : M. Miyao, I. Tsunoda, T. Sadoh, and A. Kenjo ( International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Japan, August 31, 2000)

  5. Dose rate dependence of ion-induced-damage in Si evaluated by spectroscopic ellipsometry : Y. Murakami, H. Yamauchi, T. Sadoh, A. Kenjo, and M. Miyao (6th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors, Fukuoka, Japan, November 12-16, 2000)

  6. Influence of ion beam irradiation on solid-phase regrowth of amorphous Si on SiO2 : I. Tsunoda, T. Nagata, T. Sadoh, M. Miyao, and A. Kenjo (6th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors, Fukuoka, Japan, November 12-16, 2000)

  7. Solid Phase Crystallization of a-Si on SiO2 Induced by Ion Irradiation at Low Temperature : T. Sadoh, I. Tsunoda, A. Kenjo, and M. Miyao (Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technologies as Applied to ULSI Technology and 2nd International Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration, Ise, Japan, November 20-24, 2000)

  8. シリコン系ヘテロ構造とそのデバイス応用:宮尾正信(シリコンスクール in 金沢,金沢,2000年1月28日)(招待)

  9. CoSi2ゲートMOS型トンネル電子放出素子の製作: 安永 浩樹, 張 依群, 権丈 淳, 佐道 泰造, 森 紘, 鶴島 稔夫, 宮尾 正信(第47回応用物理学関係連合講演会29aZA2, 東京,2000年3月29日)

  10. SiGe/Siヘテロ構造における固相成長: 山口伸也、中川清和、杉井信之、朴成基、宮尾正信(シリコンテクノロジー,東京,2000年7月23日)

  11. 絶縁膜上における非晶質Siのイオン線誘起固相成長: 角田功、永田朝洋、佐道泰造、権丈淳、宮尾正信(第61回応用物理学会学術講演会3aZB2,北海道工業大学, 2000年9月3-7日)

  12. Siにおけるイオン線照射誘起欠陥のドーズレート依存性: 村上裕二、山内英巧、佐道泰造、権丈淳、宮尾正信(第61回応用物理学会学術講演会3aZB3,北海道工業大学, 2000年9月3-7日)

  13. FeSi2固相成長のSi基板面方位依存性(Ⅰ)-X線回折測定-: 吉門豊、佐道泰造、花田利文、権丈淳、吉武剛、宮尾正信(第61回応用物理学会学術講演会5pZN7, 北海道工業大学,2000年9月3-7日)

  14. FeSi2固相成長のSi基板面方位依存性(Ⅱ)-分光エリプソメトリー測定-: 佐道泰造、吉門豊、花田利文、権丈淳、吉武剛、宮尾正信(第61回応用物理学会学術講演会5pZN8, 北海道工業大学, 2000年9月3-7日)

  15. 低エネルギーデカボラン注入層の回復過程: 佐道泰造、帆玉信一、権丈淳、宮尾正信(第61回応用物理学会学術講演会6aZD10,北海道工業大学,2000年9月3-7日)

  16. SiO2上の非晶質Si薄膜の固相成長におけるイオン線照射効果: 角田功、永田朝洋、佐道泰造、権丈淳、宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,福岡,2000年9月13日)

  17. 結晶Siにおけるイオン照射誘起非晶質化反応の照射レート依存性: 村上裕二、山内英巧、佐道泰造、権丈淳、宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,福岡,2000年9月13日)

  18. 多結晶SiGeにおける導入不純物の熱的安定性-成膜時不純物添加-: フィトリアント、佐道泰造、権丈淳、宮尾正信、宮内昭浩、井上洋典(電気関係学会九州支部連合大会,福岡,2000年9月13日)

  19. 集束イオンビーム照射によるSiO2層の増速エッチング: 江口博臣、権丈淳、佐道泰造、宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,福岡,2000年9月13日)

  20. 極薄β-FeSi2膜固相成長におけるSi基板面方位の影響: 吉門豊、佐道泰造、花田利文、権丈淳、吉武剛、宮尾正信(電気関係学会九州支部連合大会,福岡,2000年9月13日)

  21. FeSi2合金ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタリング法によるβ-FeSi2薄膜のSiO2及び Si(100)基板上への結晶成長: 花田利文、吉武剛、永山邦仁、佐道泰造,宮尾正信(応用物理学会九州支部大会,熊本,2000年12月2-3日)

  22. シリコン系ヘテロ超構造技術の進歩と夢: 宮尾正信(静岡大学電子工学研究所 平成12年度公開講演会(第2回高柳健次郎記念シンポジウム),浜松,2000年12月11-12日)(招待)

  23. FeSi2固相成長に与える種結晶の影響: 佐道泰造,吉門豊,城戸英男,花田利文,権丈淳,吉武剛,宮尾正信(環境半導体12月研究会,東京,2000年12月5日)

  24. 集束イオン線照射による酸化膜の増速エッチング特性:江口博臣(第1回デバイス研究会,福岡,2000年12月16日)

  25. ゲート電極用多結晶SiGeの熱的安定性の検討:フィットリアント(第1回デバイス研究会,福岡,2000年12月16日)

  26. 固相成長法による鉄シリサイド/Siの形成と評価:吉門豊(第1回デバイス研究会,福岡,2000年12月16日)


【1999年】

  1. Ge-induced enhancement of solid-phase crystallization of Si on SiO2 : S. Yamaguchi, S.-K. Park, N. Sugii, K. Nakagawa, M. Miyao (Int. Joint Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), Zao, Japan, September 12-17, 1999)

  2. Interface-controlled Si/SiGe heterostructures for ultrahigh-mobility FETs : N. Sugii, K. Nakagawa, S. Yamaguchi, S.-K. Park, M. Miyao (Int. Joint Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), Zao, Japan, September 12-17, 1999)

  3. Enhancement of thermal diffusion of delta-doped Sb in SiGe : K. Nakagawa, N. Sugii, S. Yamaguchi, M. Miyao (Int. Joint Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), Zao, Japan, September 12-17, 1999)

  4. Dielectric Degradation Mechanism of SiO2 Examined through First-Principles Calculations: Electric Conduction Association with Electron Traps and Its Stability under an Electric Field : I. Kitagawa, T. Maruizumi, J. Ushio, K. Kubota, M. Miyao (Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Tokyo, Japan, September 21-24, 1999)

  5. Optical Investigation of Solid-Phase Crystallization (SPC) : S. Yamaguchi, N. Sugii, K. Nakagawa, M. Miyao (Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Tokyo, Japan, September 21-24, 1999)

  6. EFFECTS OF Ge ON THE NUCLEATION AND GROWTH OF Si1-xGex : S. Yamaguchi, S.-K. Park, N. Sugii, K. Nakagawa, and M. Miyao (MRS Fall Meeting, Boston, USA, November 29-December 3, 1999)

  7. ECR PLASMA OXIDATION: DEPENDENCE ON ENERGY OF ARGON ION : S. Matsuo, M. Yamamoto, T. Sadoh, T. Tsurushima, D.-W. Gao, K. Furukawa, H. Nakashima (MRS Fall Meeting, Boston, USA, November 29-December 3, 1999)

  8. ECRプラズマ支援Si酸化とイオン照射効果: 松尾 慎一郎, 佐道 泰造, 中島 寛, 鶴島 稔夫(電子情報通信学会電子デバイス研究会,宇部,1999年4月23日)

  9. レーザー形成多結晶Siの結晶性: 山口 伸也, 朴 成基, 杉井 信之, 中川 清和, 宮尾 正信(第60回応用物理学会学術講演会,神戸,1999年9月1-4日)

  10. a-Si1-xGex/SiO2 構造の固相成長 (II): 朴 成基, 山口 伸也, 杉井 信之, 中川 清和, 宮尾 正信 (第60回応用物理学会学術講演会,神戸,1999年9月1-4日)

  11. ICP-MASSによるSiGe中のSbδドープ層の極限分布: 中川 清和, 小嶋 寿夫, 杉井 信之, 中川 清和, 宮尾 正信 (第60回応用物理学会学術講演会,神戸,1999年9月1-4日)

  12. Si/SiGeヘテロ構造の電子特性(4)-歪みSi MOSFET (1): 杉井 信夫, 中川 清和, 山口 伸也, 宮尾 正信 (第60回応用物理学会学術講演会,神戸,1999年9月1-4日)

  13. 電子ビーム露光におけるシリコンメンブレン構造の作製と評価: 安田 隆幸, 権丈 淳, 佐道 泰造, 鶴島 稔夫, 中島 寛, 古川 勝彦, 高大為(電気関係学会九州支部連合大会, 北九州,1999年10月2-3日)

  14. クラスターイオン注入法による浅い接合形成: 帆玉 信一, 池田 晃裕, 権丈 淳, 森 紘, 佐道 泰造, 鶴島 稔夫(電気関係学会九州支部連合大会,北九州, 1999年10月2-3日)

  15. シリコン結晶中における照射誘起欠陥の基礎特性評価: 山内 英巧, 権丈 淳, 佐道 泰造, 鶴島 稔夫(電気関係学会九州支部連合大会,北九州,1999年10月2-3日)

  16. CoSi2 ゲートMOSトンネル電子放出素子におけるゲート酸化膜の熱処理効果: 安永 浩樹, 権丈 淳, 森 紘, 佐道 泰造, 鶴島 稔夫(電気関係学会九州支部連合大会,北九州,1999年10月2-3日)

  17. CoSi2 ゲートMOSトンネル構造の形成とその特性の評価: 山浦 章, 張 依群, 佐道 泰造, 鶴島 稔夫(電気関係学会九州支部連合大会,北九州,1999年10月2-3日)

  18. 企業が大学・大学院に望む物理教育:宮尾正信(第4回物理教育セミナー,大阪,1999年12月11日)(招待)


九州大学 大学院システム情報科学研究院
情報エレクトロニクス部門 電子デバイス工学講座(佐道研究室)

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