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鶴島研究室卒業生（平成3〜10年度） | |
平成3〜10年度の鶴島研究室出身者の就職(進学)先及び卒業(修士、博士)論文タイトルの紹介です。
| ■ | 平成3年度 | 大学院博士後期課程終了者 | 大学院修士課程修了者 | 学部卒業者 |
| ■ | 平成4年度 | 大学院博士後期課程終了者 | 大学院修士課程修了者 | 学部卒業者 |
| ■ | 平成5年度 | 大学院博士後期課程終了者 | 大学院修士課程修了者 | 学部卒業者 |
| ■ | 平成6年度 | 大学院博士後期課程終了者 | 大学院修士課程修了者 | 学部卒業者 |
| ■ | 平成7年度 | 大学院博士後期課程終了者 | 大学院修士課程修了者 | 学部卒業者 |
| ■ | 平成8年度 | 大学院博士後期課程終了者 | 大学院修士課程修了者 | 学部卒業者 |
| ■ | 平成9年度 | 大学院博士後期課程終了者 | 大学院修士課程修了者 | 学部卒業者 |
| ■ | 平成10年度 | 大学院博士後期課程終了者 | 大学院修士課程修了者 | 学部卒業者 |
| 平成3年度 |
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| 平成3年度 大学院修士課程修了者 |
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| 井倉 裕之 | 日本電気(株) |
| 真空蒸着法によるCdSb薄膜の光導電率に関する研究 | |
| 久家 重博 | 三菱電機(株) |
| Si中にTiが作る不純物中心 | |
| 佐道 泰造 | 九州大学大学院博士後期課程進学 |
| シリコン中のバナジウムとバナジウム-水素複合体 |
| 平成3年度 学部卒業者 |
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| 石井 隆二 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| GaSb-InSb系合金に関する研究 | ||
| 白浜 英徳 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| GaSb薄膜の電気的及び光学的測定 | ||
| 瀧口 克朗 | 沖電気工業（株） | |
| 現 九州日本電気（株） | ||
| シリコン中の鉄-ボロンペアのアクセプタ準位と準安定欠陥 |
| 平成4年度 |
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| 平成4年度 大学院修士課程修了者 |
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| 若狭 和式 | 新日本製鉄(株) | |
| 同周期系三元混晶の評価 | ||
| 渡辺 正樹 | 三菱電機(株) | |
| シリコン中のクロムに関係する不純物中心 |
| 平成4年度 学部卒業者 |
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| 古賀 正行 | 富士通九州通信システム(株) | |
| Ti/Si固相界面の構造制御に関する研究 | ||
| 田代 靖典 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| Ga(1-x)InxSb混晶半導体のアニール効果に関する研究 | ||
| 藤内 俊一 | 富士通九州通信システム(株) | |
| SOI構造の照射誘起改質に関する研究 | ||
| 堀田 孝次郎 | (株)日立製作所 | |
| シリコン中の鉄-アルミニウムペアの準安定的挙動 | ||
| 松下 篤志 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| Si表面の照射誘起促蝕効果の研究 | ||
| 松本 徹也 | 日立プロセスコンピュータ(株) | |
| InSb-SnSb系混晶の基礎的研究 | ||
| 満生 彰 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| 極薄シリコン酸化膜の形成と評価 |
| 平成5年度 |
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| 平成5年度 大学院修士課程修了者 |
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| 石井 隆二 | (株)日立製作所 | |
| II-III-VI族化合物半導体CdIn2Te4の電気的特性評価 | ||
| 白浜 英徳 | 三菱電機(株) | |
| GaSb-Ga2Te3系合金の組成による特性の変化 | ||
| 竹下 裕範 | 日本電気(株) | |
| シリコン中のイオン照射誘起欠陥の挙動に関する研究 | ||
| 馬場 昭好 | 九州大学大学院博士後期課程進学 | |
| Ti/Si及びCo/Ti/Si構造の固相界面反応とシリサイド形成 |
| 平成5年度 学部卒業者 |
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| 近藤 正臣 | 九州松下電器(株) | ||
| CdIn2Te4真空蒸着膜の電気的及び光学的特性 | |||
| 竹安 功次 | 川崎重工業(株) | ||
| シリコン結晶薄膜の低速イオン照射効果に関する研究 | |||
| 東 和幸 | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| 熱処理によるCo/Ti/Si固相界面反応 | |||
| 増田 浩太郎 | 九州大学大学院修士課程進学 | ||
| GaSb-Ga2Te3系合金の組成比による特性の変化 | |||
| 森崎 和広 | NTTデータ通信(株) | ||
| シリコン中の鉄-水素複合体の深い不純物準位 |
| 平成6年度 |
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| 平成6年度 大学院博士後期課程修了者 |
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| 佐道 泰造 | 九州大学工学部電子工学科助手 |
| 現 大学院システム情報科学研究科助教授 | |
| シリコン結晶中の微小欠陥とその評価に関する研究 |
| 平成6年度 大学院修士課程修了者 |
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| 田代 靖典 | 日本電気(株) | |
| Ga(1-x)InxSb混晶半導体のアニール効果 | ||
| 日高 憲一 | 日本電気(株) | |
| Si中のFeのゲッタリング | ||
| 松下 篤志 | シャープ(株) | |
| 現 九州大学大学院システム情報科学研究科博士後期課程在学 | ||
| Siのイオン照射効果とプロセス応用 | ||
| 満生 彰 | 日本電気(株) | |
| Si酸化膜の評価及び低速粒子線照射効果 |
| 平成6年度 学部卒業者 |
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| 荒牧 宏隆 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| Si上のコバルト-シリサイド膜の電気的特性の評価 | ||
| 川久保 智広 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| InSb-In2Te3系合金の相図及び結晶構造 | ||
| 河瀬 智宏 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| SiO2/Si構造に及ぼす低速粒子線照射の効果 | ||
| 菊竹 陽 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| 極薄シリコン酸化膜の作製とその評価 | ||
| 城戸 成範 | 九州大学大学院修士課程 | |
| 現 九州大学大学院システム情報科学研究科修士課程在学 | ||
| n形シリコン中の鉄-ボロン対が形成する捕獲中心 | ||
| 小金丸 聡 | トヨタ自動車(株) | |
| ZnをドープしたGaSbの電気的特性 | ||
| 芝田 圭市 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| プラズマ照射したMOSデバイスの電気的特性評価 |
| 平成7年度 |
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| 平成7年度 大学院修士課程修了者 |
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| 滝本 俊介 | 日本電気(株) | |
| 低速酸素イオン照射によるシリコンの低温酸化 | ||
| 冨田 康博 | (株)東芝 | |
| n形シリコン中の鉄-ボロン対が形成する捕獲中心 | ||
| 東 和幸 | (株)東芝 | |
| Co/Ti/Si積層構造でのシリサイド形成過程と界面構造制御 | ||
| 増田 浩太郎 | (株)日立製作所 | |
| GaSb-Ga2Te3系合金の混晶化の可能性 |
| 平成7年度 学部卒業者 |
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| 前田 隆博 | 三菱電機熊本セミコンダクター(株) | |
| 薄いシリコン酸化膜の形成と膜圧評価 | ||
| 青木 健知 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| 分子ビーム堆積法によるSi表面へのCoSi2層形成 | ||
| 阿部 孝幸 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| Co/Si界面におけるシリサイド形成の温度依存性 | ||
| 久保山貴博 | 富士電機(株) | |
| シリコン中の鉄のアルミニウムゲッタリング | ||
| 桑野 聡 | (株)日立製作所 | |
| GaSb-Ga2Te3系混晶の禁止帯の組成依存性 | ||
| 松岡 浩史 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| GaSb-Ga2Te3系合金の電気特性の評価 | ||
| 山村 和臣 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| トンネル酸化膜の形成と機能評価 |
| 平成8年度 |
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| 平成8年度 大学院修士課程修了者 |
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| 荒牧 宏隆 | 日本電気(株) | |
| Arイオン照射によるコバルトシリサイドの形成 | ||
| 川久保 智広 | 富士通(株) | |
| InSb-In2Te3系合金の構造と電気的性質の組成依存性 | ||
| 河瀬 智宏 | シャープ(株) | |
| Si結晶へのイオン照射による非晶質層の形成とその評価 | ||
| 菊竹 陽 | 富士通(株) | |
| 極薄トンネル酸化膜の熱処理効果 | ||
| 芝田 圭市 | 四国電力(株) | |
| ECRスパッタ法を用いた高品質シリコン酸化膜の低温形成 |
| 平成8年度 学部卒業者 |
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| 犬塚 昌宏 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| 分子ビーム堆積法によるSi成膜の基板依存性 | ||
| 大平 美穂子 | 住友シチックス(株) | |
| TEOS/N2混合PCVD法による窒素添加SiO2膜の形成と特性評価 | ||
| 肥山 恭子 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| Co/Si/Al2O3系におけるイオン照射を用いたシリサイド形成 | ||
| 和田 修一 | DDI(株) | |
| トンネル酸化膜の形成とその導電特性制御 | ||
| 酒井 勇嗣 | 三菱重工業(株) | |
| 電流を用いた深い準位過渡分光法の開発とSOI構造の評価 | ||
| 佐々木 晋太 | NTTファシリティーズ(株) | |
| Siエピタキシャル層の欠陥評価 | ||
| 古川 淳一郎 | 日本鋼管(株) | |
| アモルファス太陽電池の実負荷時性能劣化現象の観測システム | ||
| 宮邊 剛 | 九州日本電気(株) | |
| InSb-In2Te3系合金の比抵抗の組成比依存性 |
| 平成9年度 |
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| 平成9年度 大学院博士後期課程修了者 |
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| 馬場 昭好 | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター |
| イオンビーム照射による金属シリサイド形成の基礎過程と微細構造形成への応用に関する研究 | |
| 白 冬菊 | テラダイン（株） |
| 固体の低エネルギーイオン照射効果とプロセス応用に関する研究 |
| 平成9年度 大学院修士課程修了者 |
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| 青木 健知 | 日本電気(株) | |
| 分子ビーム堆積法によるTiSi2の形成 | ||
| 阿部 孝幸 | 日本電気(株) | |
| 絶縁基板上のコバルトシリサイド形成におけるイオン照射効果 | ||
| 山村 和臣 | 九州電力(株) | |
| 熱処理によるトンネル酸化膜の電気的特性の改善 | ||
| 山本 光芳 | 京セラ(株) | |
| ECRプラズマによるシリコン酸化膜の低温成長 | ||
| 松岡 浩史 | トヨタ自動車(株) | |
| InSb-In2Te3系合金の構造と電気的性質の相関に関する基礎的研究 | = |
| 平成9年度 学部卒業者 |
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| 安田 隆幸 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| 極薄トンネル酸化膜の低電界リーク電流と熱処理効果 | ||
| 安永 浩樹 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| Si表面へのTiSi2形成におけるイオン照射効果 | ||
| 仲重 隆史 | パイオニア(株) | |
| 低温形成極薄酸化膜の評価 | ||
| 帆玉 信一 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| 固相拡散源を用いたSi中へのボロンのドーピング特性 | ||
| 木嶌 光次郎 | 富士電機(株) | |
| シリコン中のCu不純物中心の電気的特性 | ||
| 瀬角 和成 | 沖電気(株) | |
| TeをドープしたGaSbの電気的特性 | ||
| 八崎 栄治 | 九電工(株) | |
| アモルファス太陽電池の実負荷時劣化現象 |
| 平成10年度 |
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| 平成10年度 大学院博士後期課程修了者 |
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| 張 依群 | 富士通（株） |
| CoSi2ゲートMOS形トンネル電子放出素子の作製に関する研究 | |
| 松下 篤志 | ソニー長崎（株） |
| イオン照射による酸化膜上へのCoSi2形成とその細線加工応用に関する研究 |
| 平成10年度 大学院修士課程修了者 |
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| 犬塚 昌宏 | トヨタ（株） |
| 分子ビーム堆積法による酸化膜上へのSi層の形成と評価 | |
| 城戸 成範 | 三菱電機(株) |
| イオン照射原子混合反応により形成したCoSi2ゲートMOS構造の評価 | |
| 肥山 恭子 | オリンパス(株) |
| FIB照射効果を利用したSi表面へのCoSi細線構造の室温形成 | |
| 松尾 慎一郎 | 富士通(株) |
| ECRプラズマを用いたSi酸化膜の低温成長におけるイオン照射効果及び基板バイアスの効果 |
| 平成10年度 学部卒業者 |
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| 江口 博臣 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| TEOS酸化膜に対するSiイオン照射の影響 | ||
| 山浦 章 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| CoSi2ゲートMOSトンネル構造の形成とその特性の評価 | ||
| 吉門 豊 | 九州大学大学院修士課程 | |
| SOI構造を用いたUJTエミッタ接合の形成プロセス | ||
| 濱田 綾一郎 | 九州大学大学院修士課程進学 | |
| SOI構造を用いた照射誘起欠陥の電気的評価 | ||
| フィトリアント | 九州大学大学院修士課程 | |
| イオン照射により形成したコバルトシリサイド層の電気的評価 | ||
| 山本 貴文 | NTTファシリティーズ(株) | |
| アモルファス太陽電池の実負荷時劣化特性と温度依存性 | ||
| 脇山 政法 | シャープ(株) | |
| 四面体構造中の置換型異種原子の結合半径と固溶度の関係 |