次世代エレクトロニクス研究室 浜屋グループ

主要実験装置



分子線エピタキシー(MBE)装置
分子線エピタキシー(MBE)装置
スパッタ装置
(仕様)
・到達真空度:10-9 Torr以下
・マニピュレータ温度:〜1000 oC
・最大試料サイズ:20 mm×20 mm

Ge基板の上にFe3Si、Co2FeSi等の
高品質ホイスラー合金を作製します。
(仕様)
・到達真空度:10-8 Pa以下
・マニピュレータ温度:〜1000 oC
・最大試料サイズ:15 mm×15 mm

Si基板の上にFe3Si、Co2FeSi等の
高品質ホイスラー合金を作製します。
(仕様)
・到達真空度:10-6 Pa
・ターゲット:Si3N4、SiO2
・スパッタ電源:RF

絶縁膜SiO2薄膜、Si3N4薄膜などを
堆積します。




ドライエッチング装置、
二次イオン質量分析計
EBガン蒸着装置 抵抗加熱蒸着装置
(仕様)
・イオン化ガス:Ar、CF4、O2
・加速電圧:100〜3000 V (連続可変)

分子線エピタキシー装置で作製した
試料から、スピン注入・検出用素子を
作製するため、この装置を用いて
微細加工を行っています。
(仕様)
・到達真空度:10-5 Pa
・蒸発元素:Co、Fe、Cu、Pt、Ti、Au、etc

Co、Feなどの強磁性金属、および
電極に用いるTi、Auなどの金属を
真空蒸着します。
(仕様)
・到達真空度:10-6 Torr
・蒸発元素:Al、Au、AuSb

電極に用いるAl、Au、AuSbなどの金属を
真空蒸着します。



磁気抵抗効果測定装置
(稲盛フロンティア研究センター木村研より借用)
磁気抵抗効果測定装置
(浜屋研所有)
物理特性測定システム(PPMS)
(仕様)
・測定温度:20 〜 320 K
・最大印加磁場:0.6 T

作製したスピン注入・検出用素子を
測定する装置です。
(仕様)
・測定温度:室温
・最大印加磁場:0.6 T

作製したスピン注入・検出用素子を
測定する装置です。
(仕様)
・測定温度:1.9〜400 K
・最大印加磁場:9 T

作製した試料の磁気特性や、磁気抵抗
などを測定する装置です。写真はVSM
オプションを用いて磁化測定を行っている
様子です。



フォトリソグラフィ装置 電子線(EB)描画装置
(システム情報科学研究院所有)
低加速電子顕微鏡
(システム情報科学研究院所有)
スピン注入・検出用素子のパターニングをします。
フォトリソグラフィ装置より小さなスピン注入・
検出用素子のパターニングをします。
微細加工したスピン注入・検出用素子を
観察します。



赤外線ランプ加熱装置
電気炉
スクライバー
試料を高真空中で熱処理します。
Siなどの半導体を酸化するのに使用します。
作製した試料などを切断するのに使用します。




ドラフト
アルファステップ
SiやGeなどの基板や試料の化学洗浄を
行います。
試料の膜厚などを測定します。